新型湿度控制技术 - 产品信息 - 相关知识

2025-04-25 14:16:02新型湿度控制技术: 新型湿度控制技术是一种先进的环境调控手段，通过智能感知与精准调节，实现对空间湿度的动态平衡。该技术采用高效除湿与加湿模块，结合先进的传感器与控制系统，能够迅速响应环境变化，确保湿度维持在设定范围内。此外，它还具有节能环保、运行稳定、维护简便等优点，广泛应用于实验室、数据中心、博物馆等领域，为各类精密设备与珍贵藏品提供理想的存储环境。

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技术革新：高低温湿热试验箱的新型湿度控制技术

在材料研发、电子产品检测、药品稳定性测试等众多领域，高低温湿热试验箱发挥着作用，其精准模拟复杂温湿度环境的能力，为各行业产品质量把控与性能优化提供关键数据支撑。

广东皓天检测仪器有限公司 21
2025-04-14
新型湿度控制技术除湿协同技术材料研发领域

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2023-08-18 09:28:41【综述】新型含卤素农药及其关键合成步骤: 研究背景将卤素原子引入分子中是影响其物理化学性质的重要工具。自2010年以来，约81%的上市农用化学品含有卤素原子。作者Peter Jeschke综述了过去10年中引入市场的最新一代含卤素农用化学品，并描述了当前含卤素开发候选产品的制造方法。国际标准化组织（ISO）在过去10年（2010-2020年http://www.alanwood.net)的统计表明，除了仅有的9种非含卤农用化学品外，所有其他39种上市产品（~81%）都含有卤素原子包括12种除草剂、14种杀菌剂、10种杀虫剂/杀螨剂和3种杀线虫剂（图1）。图1. 商业化含卤农用化学品的百分比示意图（2010-2020年）一、含卤素除草剂高等植物中的纤维素生物合成（CB）对细胞生长和分裂以及组织形成和分化至关重要。因此，任何CB抑制作用都会严重损害植物的生长和发育，作为除草剂具有相当大的意义。四个子类，如腈、苯甲酰胺、三唑碳酰胺和烷基叠氮构成CB抑制剂(CBIs)。CBI 6广泛应用于抑制草和阔叶杂草，并可长期控制多种入侵的冬季一年生草。图2. CBI 6 合成路线原卟啉原IX氧化酶（PPO）催化分子氧将原卟啉原Ⅸ氧化为原卟啉Ⅸ，是最成熟的除草靶标之一。PPO的抑制导致原卟啉IX的积累，这种过氧化过程导致细胞膜破坏、色素分解和叶片坏死，从而导致植物死亡。在过去的十年中，三种卤代PPO抑制剂已作为除草剂商业化（图 3）。图3. 三种除草剂结构及其合成路线二、含卤素杀菌剂在过去的十年中，以琥珀酸脱氢酶（SDH，复合体II）为靶点的杀菌剂的数量显著增加，这些杀菌剂控制了子囊菌、担子菌和重生菌等多种植物病原体。在第一种氟化吡唑-4-甲酰胺双恶芬上市后，最新上市的六种SDH抑制剂杀菌剂32-37对重要的谷物作物病原体表现出较高的疗效（图4）。图4. 6种SDH抑制杀菌剂目前，外消旋广谱SDH抑制剂杀菌剂氟吡唑43和异氟吡唑44（ISO临时批准的通用名称）正在开发中（图 5）。图5. 开发产品 43和44（ISO临时批准的通用名称）的结构以及外消旋中间体49的合成途径1,8-二氢萘（DHN）生物合成途径中的初始酶，一种特定的聚酮合酶（PKS），是杀真菌黑色素生物合成抑制剂（MBI）的靶标。受卵菌类杀菌剂缬氨酸氨基甲酸酯-异丙维甲酸酯50的启发，设计了化合物51作为先导结构，并对稻瘟病（稻瘟病菌）PKS活性（PKSI-A）和黑色素生物合成抑制活性（MBI-A）进行了评估，从而发现了系统性杀菌剂55（图 6）。图6. 受化合物50的结构启发，根据合成途径制备化合物了51和55几年前，氧固醇结合蛋白（OBP）被鉴定为新一类哌啶基噻唑异恶唑啉的新靶标，其第一成员为Oxathiapiprolin 60（图 7）。与60相比，结构相似的开发候选Fluoxapiprolin 61（ISO临时批准的通用名称）包含3,5-双二氟甲基的结构。61的合成途径中的最后一步略有不同。如图 7所示，该杀真菌剂是通过N-(2-氯乙酰基)-4-哌啶基64与3,5-双(二氟甲基)-1H-吡唑65偶联而形成的。图7. Oxathiapiprolin 60和Fluoxapiprolin 61的结构和合成途径中的关键步骤三、含卤素杀虫剂烟碱乙酰胆碱受体（nAChR）仍然是现代害虫防治最具吸引力的靶位点之一。自2012年发现新的化学类别磺酰亚胺并推出Sulfoxaflor 66以来，氟原子或含氟取代基在设计新型nAChR竞争性调节剂中的重要性有所提高。其次是两类杀虫剂，如丁烯内酯类Flupyradifurone 67和Triflumezopyrim 68成员的介子类杀虫剂。预计，亚吡啶类杀虫剂将在适当的时机以Flupyrimin69（ISO临时批准的通用名称）作为第四类杀虫剂进入杀虫剂市场（图 8）。图8. nAChR竞争性调节剂66–69的结构和合成关键途径多年来，γ-氨基丁酸（GABA）门控的氯化物通道也是杀虫剂的有效靶标。异恶唑啉是第一类新的GABA门控氯通道变构调节剂，对昆虫产生神经毒性作用，如过度兴奋和惊厥。商品化的Fluxametamid 79和正在开发中的杀虫剂Isocycloseram 80含有典型的卤代5-苯基-5-（三氟甲基）-4H-异恶唑-3-基-2-甲基-苯甲酰胺结构（图 9）。图9. GABA门控氯化物79和80的结构与合成关键步骤间位二酰胺是GABA门控氯通道变构调节剂的第二个新的化学类别。最近上市的 Broflanilide 84含有12个 “混合” 卤素原子，即一个溴和11个氟原子，位于2-氟-苯甲酰胺中，以及2-溴-4-七氟-异丙基-6-三氟-甲基苯基作为分子片段。而正在开发的产品Cyclobroflanilide 85（ISO临时批准的通用名称）甚至具有12个氟原子（图 10）。图10. GABA门控氯化物84和85的结构与合成关键步骤四、含卤素杀螨剂杀螨剂Pyflubumide 91含有亲脂性的4-（1-甲氧基-六氟异丙基）取代苯胺结构（logP 值=5.34），其在结构上也受到类似Broflanilide 84的启发。杀螨剂92被归类为一种新的钙激活钾通道（KCa2）调节剂，对蔬菜、茶和柑橘类水果中的二斑叶螨（二斑叶蛛）和欧洲红螨（斑叶螨）有效。Acynonapyr 92（ISO临时批准的通用名称）的合成基于氮杂双环 [3.3.1] 壬烷母核结构（图 11）。图11. 复合物II抑制剂Pyflubumide 91、N-脱酰基Pyflubumide 91a和开发产品Acynonapyr 92的结构和关键合成步骤。五、含卤素杀线虫剂在过去的十年里，市场上销售了三种含卤素的杀线虫剂，其中两种被称为杀真菌产品:第一种是接触型二羧酰亚胺杀菌剂Iprodione 100,第二种是吡啶乙基苯甲酰胺SDH抑制剂Fluopyram 101。系统性杀线虫剂Fluenesulfone 102含有与5-氯噻唑母核连接的 [(3, 4, 4-三氟-3-丁烯-1-基)-磺酰基]-片段（图 12）。图12. 杀线虫剂Iprodione 100、Fluopyram 101和Fluenesulfone 102的结构和关键途径目前，另外两种对土壤线虫有活性的杀线虫剂Fluazaindolizine 109（ISO临时批准的通用名称）和Cyclobutrifluram 110（含有80-100%的（1S, 2S）-异构体）正在开发中（图 13）。图13.杀线虫剂Fluazaindolizine109和Cyclobutriflura 110 的结构与关键合成步骤研究总结作者对过去10年在全球作物保护市场上推出的现代农用化学品的分析表明，含卤素农药的影响很大。自2010年以来，市场上约81%的农用化学品被卤素取代，含氟产品显著增加。大量重要的氟代结构片段在工业规模的技术制造方面取得了突出进展。杀菌剂和杀虫剂含有大量的氟原子，而杀线虫剂和除草剂在大多数情况下含有“混合”卤素原子。考虑到监管要求，含卤素农用化学品的成功受到相关限制，用于作物保护用途的非含卤产品的开发也非常重要。

2023-03-24 13:39:16新品上市 | 新型循环微量热电池检测系统: Waters-TA仪器部门(纽约证券交易所代码:WAT) 宣布其TA Instruments™部门推出了一款新型循环微量热电池检测系统，用于多类电池的高分辨率表征。该仪器和软件组合可在实际操作条件下进行无损测试，并将实验时间从几个月大幅缩短到几周，同时为提高电池效率、安全性和稳定性提供决定性的洞察力。“新型仪器最多可缩短75%的测试时间，同时帮助研究人员更多地了解电池及其材料在热和电化学条件下的行为和变化。它为科学家提供的精确数据对于确保电池性能和安全至关重要。”电池循环微量热系统支持三种常见电池类型的测试-纽扣电池，软包电池和18650圆柱电池-用于并行充电/放电和量热测试。它可以最大限度地提高研究人员的效率，同时支持多达12个纽扣电池的测试和数据收集——比竞争产品多6倍。易于操作的TAM控制软件减少了培训的技术障碍，同时使研究人员能够定义参数和绘图选项，汇总和分析数据，为您的电池研发或工艺改进做出明智的决策服务。这种新型解决方案使您能够更好地预测电解液的使用寿命，非常有助于开发新的电解液和电极材料。

2023-02-07 16:17:41锘海成功入选“2022年上海创新型中小企业”: 上海市经济和信息化委员会开展了2022年创新型中小企业评定工作，已于1月16日公示通过审核的企业名单，锘海生物科学仪器（上海）有限公司成功入选“2022年上海市松江区创新型中小企业”什么是创新型中小企业「上海市创新型中小企业」是根据《上海市优质中小企业梯度培育管理实施细则》（沪经信规范〔2022〕8号），经过严格的专家评审和综合评估后，符合认定标准并予以认定、公示的一项重要资质。该榜单的入选标志着锘海进入优质中小企业培育库，展现出锘海具有较高专业化水平和较强创新能力和发展潜力，同时表明锘海主营业务和发展符合国家产业政策及相关要求。此次入选上海市创新型中小企业，是政府与行业对锘海技术水平、研发能力、业务发展及综合实力等方面的认可和肯定。锘海也将紧跟科技和产业发展前沿，持续加大研发投入，加快技术突破，为行业发展提供源源不断的创新动能，一如既往的为用户提供更加专业、便利的产品和服务。关于锘海锘海生命科学成立于2017年，2020年获得国家高新技术企业资质。总部位于上海漕河泾开发区松江园区内，在北京，广州，成都，沈阳等十余座城市设有办事处。作为“生命科学的服务者，医疗创新的推动者“，致力于打造完整的生命科学仪器研发、制造、服务体系。我们积极推进科学技术转化，在大组织3D荧光成像中，处于光片显微镜行业的先进地位，自主研发的LS18平铺光片显微镜解决了传统光片显微镜中空间分辨率、光学层析能力和成像视野大小之间的矛盾，满足高通量、准确定位的荧光成像分析需求。此外，锘海还有纳米药物制备系统及纳米药物制备、检测服务—从筛选到制剂表征全线过程，适用于临床前研究和符合GMP的临床生产，目前，锘海已服务国内多家知名药企并具备成功申报临床的案例。

2022-11-18 16:15:48反应离子刻蚀技术: 反应离子刻蚀概述：反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半导体材料、聚合物、金属的刻蚀以及光刻胶的去除等，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。工作原理：通常情况下，反应离子刻蚀机的整个真空壁接地, 作为阳极, 阴极是功率电极, 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极上。腐蚀气体按照一定的工作压力和搭配比例充满整个反应室。对反应腔中的腐蚀气体, 加上大于气体击穿临界值的高频电场, 在强电场作用下, 被高频电场加速的杂散电子与气体分子或原子进行随机碰撞, 当电子能量大到一定程度时, 随机碰撞变为非弹性碰撞, 产生二次电子发射, 它们又进一步与气体分子碰撞, 不断激发或电离气体分子。这种激烈碰撞引起电离和复合。当电子的产生和消失过程达到平衡时, 放电能继续不断地维持下去。由非弹性碰撞产生的离子、电子及及游离基(游离态的原子、分子或原子团) 也称为等离子体, 具有很强的化学活性, 可与被刻蚀样品表面的原子起化学反应, 形成挥发性物质, 达到腐蚀样品表层的目的。同时, 由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面, 高能离子在一定的工作压力下, 垂直地射向样品表面, 进行物理轰击, 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性。所以，反应离子刻蚀包括物理和化学刻蚀两者的结合。刻蚀气体的选择对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料, 可选择气体种类较多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3 + e——CHF+2 + F (游离基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (气体) + O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF+2 基团反应，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体。对于锗材料、选用含F 的气体是十分有效的。然而, 当气体成份中含有氢时, 刻蚀将受到严重阻碍, 这是因为氢可以和氟原子结合, 形成稳定的HF, 这种双原子HF 是不参与腐蚀的。实验证明, SF6 气体对Ge 有很好的腐蚀作用。反应过程可表示为：SF6 + e——SF+5 + F (游离基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (挥发性气体) 。设备：典型的（平行板）RIE系统包括圆柱形真空室，晶片盘位于室的底部。晶片盘与腔室的其余部分电隔离。气体通过腔室顶部的小入口进入，并通过底部离开真空泵系统。所用气体的类型和数量取决于蚀刻工艺;例如，六氟化硫通常用于蚀刻硅。通过调节气体流速和/或调节排气孔，气体压力通常保持在几毫托和几百毫托之间的范围内。存在其他类型的RIE系统，包括电感耦合等离子体（ICP）RIE。在这种类型的系统中，利用RF供电的磁场产生等离子体。虽然蚀刻轮廓倾向于更加各向同性，但可以实现非常高的等离子体密度。平行板和电感耦合等离子体RIE的组合是可能的。在该系统中，ICP被用作高密度离子源，其增加了蚀刻速率，而单独的RF偏压被施加到衬底（硅晶片）以在衬底附近产生定向电场以实现更多的各向异性蚀刻轮廓。操作方法：通过向晶片盘片施加强RF（射频）电磁场，在系统中启动等离子体。该场通常设定为13.56兆赫兹的频率，施加在几百瓦特。振荡电场通过剥离电子来电离气体分子，从而产生等离子体。在场的每个循环中，电子在室中上下电加速，有时撞击室的上壁和晶片盘。同时，响应于RF电场，更大质量的离子移动相对较少。当电子被吸收到腔室壁中时，它们被简单地送到地面并且不会改变系统的电子状态。然而，沉积在晶片盘片上的电子由于其DC隔离而导致盘片积聚电荷。这种电荷积聚在盘片上产生大的负电压，通常约为几百伏。由于与自由电子相比较高的正离子浓度，等离子体本身产生略微正电荷。由于大的电压差，正离子倾向于朝向晶片盘漂移，在晶片盘中它们与待蚀刻的样品碰撞。离子与样品表面上的材料发生化学反应，但也可以通过转移一些动能来敲除（溅射）某些材料。由于反应离子的大部分垂直传递，反应离子蚀刻可以产生非常各向异性的蚀刻轮廓，这与湿化学蚀刻的典型各向同性轮廓形成对比。RIE系统中的蚀刻条件很大程度上取决于许多工艺参数，例如压力，气体流量和RF功率。 RIE的改进版本是深反应离子蚀刻，用于挖掘深部特征。