扫描式光刻 - 产品信息 - 相关知识

2025-02-28 18:58:17扫描式光刻: 扫描式光刻是一种半导体制造中的关键技术，通过激光束在晶圆表面扫描，按照预设的图案精确刻蚀材料。该技术利用高精度控制系统，使激光束按特定路径移动，实现微米甚至纳米级的加工精度。扫描式光刻具有高效、灵活和精度高等优点，广泛应用于芯片制造、微纳加工等领域。通过不断优化扫描路径和激光参数，可进一步提高加工效率和图案质量。

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2023-06-14 16:49:45无掩膜直写光刻系统助力二维材料异质结构电输运性能研究，意大利: 期刊：ACS NanoIF：18.027文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】 MoS2是一种典型的二维材料，也是电子器件的重要组成部分。研究者发现，当MoS2与石墨烯接触会产生van der Waals作用，使之具有良好的电学特性，可广泛应用于各类柔性电子器件、光电器件、传感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯异质结构背后的电输运机理尚不明确。这主要是因为传统器件只有两个接触点，不能将MoS2-石墨烯异质结构产生的电学输运特性与二维材料自身的电学特性所区分。此外，电荷转移、应变、电荷在缺陷处被俘获等因素也会对器件的电输运性能产生影响，进一步提高了相关研究的难度。尽管已有很多文献报道MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能，但这些研究主要基于理论计算，缺乏对MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能在场效应器件中的实验研究。【成果简介】 2021年，意大利比萨大学Ciampalini教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件，在场效应管器件中直接测量了MoS2-石墨烯异质结构的电输运特性。通过比较MoS2的跨导曲线和石墨烯的电流电压特性，发现在n通道的跨导输运被抑制，这一现象明显不同于传统对场效应的认知。借助第一性原理计算发现这一独特的输运抑制现象与硫空位相关。本文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3无需掩膜版，可在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。设备采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便，同时其还具备结构紧凑（70cm X 70cm X 70cm）、高直写速度，高分辨率（XY：

2023-06-29 10:11:54无掩膜直写光刻系统助力二维材料异质结构电输运性能研究，意大利科学家揭秘其机理！: 期刊：ACS NanoIF：18.027文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131引言MoS2是一种典型的二维材料，也是电子器件的重要组成部分。研究者发现，当MoS2与石墨烯接触会产生van der Waals作用，使之具有良好的电学特性，可广泛应用于各类柔性电子器件、光电器件、传感器件的研究。然而，MoS2-石墨烯异质结构背后的电输运机理尚不明确。这主要是因为传统器件只有两个接触点，不能将MoS2-石墨烯异质结构产生的电学输运特性与二维材料自身的电学特性所区分。此外，电荷转移、应变、电荷在缺陷处被俘获等因素也会对器件的电输运性能产生影响，进一步提高了相关研究的难度。尽管已有很多文献报道MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能，但这些研究主要基于理论计算，缺乏对MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能在场效应器件中的实验研究。成果简介2021年，意大利比萨大学Ciampalini教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件，在场效应管器件中直接测量了MoS2-石墨烯异质结构的电输运特性。通过比较MoS2的跨导曲线和石墨烯的电流电压特性，发现在n通道的跨导输运被抑制，这一现象明显不同于传统对场效应的认知。借助第一性原理计算发现这一独特的输运抑制现象与硫空位相关。本文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3无需掩膜版，可在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。设备采用集成化设计，全自动控制，可靠性高，操作简便，同时其还具备结构紧凑（70cm X 70cm X 70cm）、高直写速度，高分辨率（XY：

2019-10-18 10:47:51小型无掩膜光刻直写系统（MicroWriter）: 小型台式无掩膜光刻直写系统（MicroWriter ML3）是英国Durham Magneto Optics公司专为实验室设计开发，为微流控、MEMS、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便GX的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩膜板的设计通常需要经常改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制DMD微镜矩阵开关，经过光学系统调制，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。同时其还具备结构紧凑（70cm X 70cm X 70cm）、高直写速度，高分辨率（XY：图8. CsPbBr3 PNC/monolayer MoS2异质结光电器件的制备流程，红色框所示为利用无掩膜激光直写系统（MicroWriter）所制备电极结构示意图9. （左）利用MicroWriter制备的MoS2基器件的I-V特性曲线，其中所示单层MoS2形貌及表面电极；（右）MicroWriter虚拟掩膜功能（VMA）结果示意

2018-11-17 20:34:08psv-400扫描式激光测振仪多少钱:

2019-10-16 10:05:04成果速递|小型无掩膜光刻直写系统（MicroWriter）在复旦大学包文中教授课题组的Z新研究应用: 随着电子信息产业的高速发展，集成电路的需求出现了井喷式的增长。使得掩膜的需求急剧增加，目前制作掩膜的主要技术是电子束直写，但该制作效率非常低下，并且成本也不容小觑，在这种背景下人们把目光转移到了无掩膜光刻技术。英国Durham Magneto Optics公司致力于研发小型台式无掩膜光刻直写系统（MicroWriter ML3），为微流控、MEMS、半导体、自旋电子学等研究领域提供方便GX的微加工方案。传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩膜板需要由专业供应商提供，但是在研发过程中，掩膜板的设计通常需要根据实际情况多次改变。无掩膜光刻技术通过以软件设计电子掩膜板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩膜板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑控制DMD微镜矩阵开关，经过光学系统调制，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。同时其还具备结构紧凑（70cm X 70cm X 70cm）、高直写速度，高分辨率（XY：相关参考：1. 小型无掩膜光刻直写系统：http://www.qd-china.com/products2.aspx?id=2972. High-Performance Wafer-Scale MoS2 Transistors toward Practical Application. Small 2018, 18034653. Wafer-scale transferred multilayer MoS2 for high performance field effect transistors. Nanotechnology, 2019, 30,174002

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