- 2025-01-21 09:32:06评估技术规范
- “评估技术规范”是对某一技术或产品进行评估时所遵循的标准和程序,旨在确保评估结果的客观性、准确性和可比性。它通常包括评估指标、测试方法、数据处理与分析等方面。在仪器领域,评估技术规范有助于用户全面了解仪器的性能参数、适用范围及可靠性,为仪器选型、采购及后续使用提供重要依据。同时,它也促进了仪器供应商之间的良性竞争,推动了技术的不断进步与创新。
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- 本标准规定了草地生态系统的类型、样地选择与样方设置、野外观测指标体系、野外观测技术方法等内容和要求。本标准适用于全国及省级行政区域草地生态系统野外观测,其他自然地理区域可参照本标准执行。
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- 2023-02-15 14:27:47肿瘤疫苗生物学活性评估
- 肿瘤疫苗背景肿瘤疫苗,是一种具有预防和治 疗潜力的有吸引力的替代免疫治 疗选择,是近年研究的热点之一。针对肿瘤相关抗原(Tumor-associated antigen,TAA)或肿瘤特异性抗原 (Tumor specific antigen,TSA) 的疫苗可以特异性地攻击和破坏抗原过表达的恶性细胞,并由于免疫记忆而实现慢性治 疗反应。因此,与其他免疫疗法相比,癌症疫苗提供了特异性、安全性和可耐受的治 疗。根据肿瘤抗原的组分,癌症疫苗大致可以分为四种类型:基于 DNA 的疫苗,基于 RNA 的疫苗,基于多肽的疫苗和基于免疫细胞的疫苗。FDA 批准的首 个个性化肿瘤疫苗 PROVENGE (Sipuleucel-T) 是一种基于免疫细胞的疫苗,用于激素难治性前列腺癌的治 疗。除此之外,Moderna,BioNTech 都在布局基于 mRNA 的肿瘤疫苗。图 1 肿瘤疫苗抗原呈递平台示意图肿瘤疫苗有效性评估方法生物体接种疫苗后,肿瘤抗原被带到淋巴结,进而激活抗原特异性的 B 细胞和 T 细胞,活化的 B 细胞产生的抗体及活化的效应 T 细胞会使肿瘤内胀并诱导肿瘤细胞死亡。图 2 肿瘤疫苗诱导的免疫反应示意图如何有效的评估肿瘤疫苗的有效性是一个非常值得探讨的问题,常用的肿瘤疫苗有效性验证的方法,包括细胞因子检测、CTL 活性检测、T 细胞活化标志物检测、抗体滴度检测、ADCC 检测等。1、细胞因子检测细胞因子是由免疫细胞经过刺激而合成并分泌的小分子蛋白质,在免疫应答中起着非常重要的作用,因此可以通过细胞因子的分泌能力来反应疫苗诱导的细胞免疫的水平。常见的细胞因子有白介素 (IL) 、干扰素 (IFN)、 肿瘤坏死因子 (TNF) 等。下面比较了几种常见的检测方法。ELISA 是一种非常经典的细胞因子的检测方法,例如在王晓东等人发表的关于胃癌疫苗研究的文章中,提到了用 ELISA 的方法检测接种疫苗后小鼠骨 髓源树突状细胞(BMDCs)分泌细胞因子的能力,检测方法如下:BMDCs 在含有 10ng/mL GM-CSF 和 10ng/mL IL-4 的 X-vivo 15 培养基中培养,37℃下培养 6 天,然后以每孔 5×104 细胞的密度在 96 孔板中接种。以 5µM 或 10µM 的最 终浓度加入疫苗抗原,孵育 24 小时。使用小鼠 TNF-α 和 IL-12 p70 ELISA Ready-SET-Go 试剂组定量培养上清中的 TNF-α 和 IL-12 。首先在 4℃下用捕获抗体包被 ELISA 板过夜,然后在室温下依次加入阻断液、细胞培养上清和检测抗体,孵育 1h 。 最 后加入终止液和显色剂,用酶标仪 (BioTek) 在 450nm 处记录 OD 值。检测结果如下:从检测结果可以看出,T7(TLR7 激动剂)的存在可以显著提升 ML/MB 抗原诱导的免疫反应。图 3 ELISA 法测定小鼠骨 髓树突状细胞 (BMDCs) 分泌TNF-α (a) 和 IL-12 (b) 的水平Ankita Leekha 等人发表的关于 SRAS-COV2 疫苗文章中,提到了用 ELISPOT 的方法评估细胞因子的分泌水平,可以作为参考。具体方法如下:从小鼠中分离脾细胞和肺细胞,使用小鼠 IFNγ ELISpot 基础试剂盒和小鼠 IL4 ELISpot 基础试剂盒 (Mabtech, VA, USA) 进行 IFNγ 和 IL4 ELISpot 检测。在 37℃ 下,在预包被抗体的 ELISpot 板中,用抗原刺激脾细胞和肺细胞,培养 16-18 小时。第二天,洗掉细胞,加入生物素化的检测抗体。洗板后,加入 1:30000 稀释的 Extravidi-ALP 偶联物,室温孵育 1 小时。洗板后,每孔添加 70µL 显色液,孵育 20-30min,形成斑点,然后用水清洗,干燥。使用 Cytation 7 (BioTek) 对斑点进行量化。每个点对应一个单独的细胞因子分泌细胞。检测结果如下:图 4 ELIPSOT 方法检测小鼠脾细胞和肺细胞分泌细胞因子的水平2、CTL 活性检测疫苗诱导的细胞毒性 T 淋巴细胞 (CTL) 可以直接杀伤肿瘤细胞,起到抗肿瘤的作用,因此可以通过检测 CTL 的杀伤效应来反应疫苗的效果。常用的检测细杀伤效应的方法有很多,下表列举了一些常用的方法。王晓东等人发表的文章中提到了 LDH 检测,检测方法如下:从接种疫苗小鼠的脾 脏中分离淋巴细胞(效应细胞)。EAC 肿瘤细胞(靶细胞)与淋巴细胞(效应细胞-靶细胞比例为 50:1)共培养 4h,使用乳酸脱氢 (LDH) 法测定细胞毒性。将培养 4h 后的培养上清加入在 ELISA 板中,室温下加入底物溶液,孵育 30min。最 后,加入终止液终止反应,并用酶标仪 (BioTek) 在 490nm 处检测光密度。检测结果如下:相对于 PBS 对照组来说,T7-MB 组 CTL 细胞具有显著的杀伤效应。图 5 LDH 法测定 CTL 介导的 EAC 靶细胞的裂解水平3、抗体滴度及亲和力检测肿瘤疫苗除了可以诱导细胞免疫之外,也可诱导体液免疫,对此可通过对抗体滴度及亲和力进行检测来反应疫苗抗肿瘤的效果,ELISA 是一种非常经典的检测方法。上述关于胃癌疫苗的文章中通过 ELISA 方法测定小鼠接种疫苗后血清中总 IgG 含量,具体检测过程如下:小鼠接种疫苗后收集血液样本,通过 3000g 离心 15 分钟获得血清样本。ELISA 板预先在 4℃ 包被 BSA-MG1 过夜,然后在室温下依次加载封闭溶液 2h,血清样品 (1:50 稀释) 和检测抗体 1h。最 后,在体系中加入 p-NPP 底物 (Millipore) 和终止液,用酶标仪 (BioTek) 在 405nm 处记录 OD 值。检测结果如下:相对于 PBS 对照组来说,T7-MB 组抗体含量明显上升。图6 ELISA法测定疫苗诱导的血清抗体水平除此之外,在 Emily C. Gale 等人发表的关于 mRNA 递送系统及辅剂研究的文章中,通过 ELISA 的方法测定了 mRNA OVA 模式疫苗诱导的 OVA 特异性抗体的绝 对含量及其亲和力。具体检测方法如下:抗体浓度:小鼠接种加强疫苗后,采集血液样品,血清按照 1:100 000 进行稀释。采用 anti-OVA mouse IgG1 ELISA (Cayman Chemicals) 试剂,按照试剂厂家的说明进行 ELISA 实验。使用 Synergy H1 Microplate Reader (BioTek) 在 450nm 处记录 OD 值。根据标准曲线计算血清抗体浓度,表示 mg/mL。抗体亲和性:将 12 个梯度稀释的血清与恒定浓度标记 HRP 的 anti-OVA 抗体 (3nM) 混合,并在 OVA 抗原包被的板中室温孵育 2 小时,洗板后用 TMB 底物孵育,用 HCl 停止反应。测定 450nm 处的 OD 值。根据业内发现的单克隆抗体的共同亲和力,假设对照抗体的 KD 为 1nM 对实验组的 KD 值进行统计。这一假设仅影响报告的绝 对 KD 值,而不影响实验组之间的相对差异。检测结果如下:pIC 为双链 RNA 结构模拟物,图E中比较了可溶性的 pIC 和不同纳米颗粒递送系统诱导的绝 对抗体含量,从图 E 中可以看出 2B 递送系统诱导的 OVA 特异性抗体含量最 高。从F和G可以看出 2B 递送系统相对于可溶性 pIC 来说诱导的 IgG 亲和力也显著升高。图 7 pIC/PBAE NPs 增强体液免疫4、ADCC 检测疫苗诱导体液免疫产生的抗体能够捕捉目标抗原,阻断这个靶分子的功能,也可以引导其他免疫细胞(如巨噬细胞和自然杀伤细胞)杀死表达抗原的靶细胞,在肿瘤治 疗中,特别是血液肿瘤中,抗体依赖的细胞介导的细胞毒性作用 (ADCC) 起着关键作用,ADCC 常用的检测方法包括细胞活力检测、LDH 检测、工程细胞株、Delfia、RTCA、细胞成像检测等。王晓东等人发表的关于胃癌疫苗研究的文章中,提到了 LDH 方法检测 ADCC,检测方法如下:小鼠接种疫苗后,采集其血清样本(1:25 稀释),然后与 EAC 细胞(靶细胞)在 37°C 孵育 30min。使用小鼠 NK 细胞分离试剂盒从正常 BALB/c 小鼠中分离出自然杀伤 (NK) 细胞(效应细胞),与抗体标记的 EAC 细胞以效靶比 50:1 共培养 4 小时。采用 LDH 法 (Promega) 测定细胞毒性,检测方法与之前提到的 CTL 活性检测的方法一致。检测结果如下:相对于 PBS 对照组来说,T7-MB 组产生的抗体具有显著的杀伤效应。图 8 LDH 法测定血清抗体介导的 EAC 靶细胞的裂解水平肿瘤疫苗生物学活性检测解决方案推荐本文介绍了肿瘤疫苗活性检测的常用方法,包括细胞因子检测、CTL 活性检测、抗体滴度及亲和力检测、ADCC 检测等方法,涉及到了酶标仪、成像系统、流式、RTCA、洗板分液系统等设备。Agilent 细胞分析事业部可以从多个角度为用户提供从样品处理,到结果检测再到数据分析的全面解决方案。
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- 2025-12-16 18:00:55选对LIMS不踩坑!三大维度解锁性能评估秘籍
- 评估LIMS(实验室信息管理系统)软件性能,是实验室数字化转型的关键决策。为确保系统精准匹配核心需求,可从以下三大维度系统化考量:一、功能适配性:贴合业务,合规高效全流程覆盖:支持样本从登记、任务分配、检测、复核到报告生成与归档的全生命周期管理,实现闭环追踪。自动化与智能:具备自动数据采集、智能计算能力,减少人为误差,提升效率与数据可靠性。合规内嵌:内置ISO/IEC 17025、CNAS等标准要求,支持审计追踪、电子签名、防篡改机制,确保数据可溯、可审。智能报表:支持数据标签化、结构化处理,提供多维统计分析与一键生成合规报表,赋能管理决策。用户体验与扩展性:界面简洁易用,降低培训成本;支持与ERP、OA等系统集成,并具备模块化扩展能力,适配未来发展。二、技术架构:稳定可靠,灵活安全高兼容集成:支持与LIS、EMR及各类仪器设备无缝对接,打通数据孤岛,构建统一信息生态。弹性可扩展:采用微服务或低代码架构,支持模块化部署、按需扩容,适应高并发与业务演进。高等级安全:具备完善的权限控制与数据保护机制,保障数据完整性、保密性与可用性。三、服务能力:专业服务保落地,长期护航无顾虑LIMS的核心价值不仅体现在产品本身,更在于供应商提供的全周期服务支持。从项目部署上线到后期运维迭代,专业的服务体系能大幅降低实施风险,最大化提升系统使用价值。实施周期:重点评估供应商的部署效率与灵活配置能力,例如青软青之提供的基础标准软件包7天即可快速上线,各功能模块支持独立选购、按需升级,同时可根据实验室个性化需求提供定制化服务,兼顾实施效率与需求适配性。售后服务:需配备稳定、专业的售后支持团队,提供技术咨询、定期维护、需求迭代等全流程服务。青软青之高度重视用户体验,售后团队兼具深厚的实验室业务认知与扎实的软件实施维护技术,可通过售后热线、QQ等多渠道快速响应用户诉求;对于电话、邮件无法解决的问题,将派遣专业工程师上门服务。同时,为每家客户建立专属客服档案,由客服经理主动通过电话、公函、电子邮件、定期回访等方式跟踪服务,搭建畅通的信息反馈渠道,确保问题及时解决、系统持续优化。行业经验:优先选择具备丰富相关行业成功案例的供应商。这类供应商更熟悉行业核心痛点、合规要求及业务流程,能结合自身实践经验为实验室提供更贴合实际需求的解决方案,有效降低项目实施风险,提升系统适配精度与落地效果。
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- 2024-06-12 17:02:18武汉凯迪正大对10kV架空绝缘电缆检测项目与技术规范分享
- 架空绝缘电缆作为电力传输的重要组成部分,其安全性和可靠性对于电力系统的稳定运行至关重要。因此10kV架空绝缘电缆进行严格的检测与评估,确保其符合相关技术规范和安全标准,是电力工程建设和运维的重要环节。本文将根据武汉凯迪正大的从业经验对10kV架空绝缘电缆的检测项目和技术规范进行介绍。 一、检测项目 1、电缆主绝缘的绝缘电阻测量 绝缘电阻是衡量电缆绝缘性能的重要指标之一。通过测量电缆主绝缘的绝缘电阻,可以初步判断电缆是否受潮、老化或存在缺陷。绝缘电阻的测量应使用高阻计或兆欧表,测量时电缆应处于干燥、清洁的状态,并应确保测量仪表的准确性和可靠性。 2、电缆主绝缘耐压试验 耐压试验是评估电缆绝缘强度的重要手段。对于10kV架空绝缘电缆,应进行直流耐压和交流耐压试验。直流耐压试验的电压应为电缆额定电压的4倍,持续时间为1分钟;交流耐压试验的电压应为电缆额定电压的1.5倍,持续时间为5分钟。在试验过程中,应密切关注电缆的泄漏电流和局部放电情况,确保电缆在试验电压下不击穿、不闪络。 3、电缆外护套绝缘电阻测量 电缆外护套是保护电缆免受外界环境侵蚀的重要屏障。通过测量电缆外护套的绝缘电阻,可以判断其是否受损或受潮。测量时,应使用高阻计或兆欧表,并确保电缆外护套表面干燥、清洁。测量值应符合相关技术规范的要求。 4、电缆外护套直流耐压试验 电缆外护套的直流耐压试验是评估其绝缘性能的重要手段。试验电压应为电缆额定电压的2倍,持续时间为1分钟。在试验过程中,应密切关注电缆外护套的泄漏电流和局部放电情况,确保其在试验电压下不击穿、不闪络。 5、测量金属屏蔽层电阻和导体电阻比 金属屏蔽层和导体电阻的测量可以反映电缆的电气性能和结构特性。通过测量金属屏蔽层电阻和导体电阻比,可以监视电缆受腐蚀变化情况,并消除温度对直流电阻测量的影响。测量时应使用高精度电阻测量仪表,并确保测量环境的稳定性和准确性。 6、交叉互联系统试验 交叉互联系统试验是评估电缆系统电气性能的重要手段。通过模拟电缆系统的实际运行情况,测试其电气性能和绝缘性能是否符合要求。试验过程中应关注电缆系统的电压分布、电流分布和绝缘电阻等参数的变化情况。 7、检查电缆线路两端的相位和相序 新建线路投入运行前和运行中的线路连接方式变动后,应核对电缆线路两端的相位和相序,防止相位错误造成事故。检查时应使用相位仪或相序表等专用工具,确保电缆线路两端的相位和相序一致。 8、电缆线路参数测量 电缆线路参数测量包括直流电阻、正序阻抗、零序阻抗和电容等参数的测量。这些参数是计算系统短路电流、继电保护整定值等的重要依据。测量时应使用高精度测量仪表,并确保测量环境的稳定性和准确性。 二、技术规范 1、绝缘电阻测量技术规范 绝缘电阻测量应使用高阻计或兆欧表进行,测量仪表应具有良好的稳定性和准确性。测量前应对电缆进行充分放电和清洁处理,确保测量结果的准确性。测量时应记录环境温度和湿度等参数,以便对测量结果进行修正。 2、耐压试验技术规范 耐压试验应使用专用耐压设备进行,设备应具有良好的稳定性和安全性。试验前应对设备进行校准和检查,确保其满足试验要求。试验过程中应密切关注电缆的泄漏电流和局部放电情况,并记录试验过程中的相关数据。 3、电阻测量技术规范 电阻测量应使用高精度电阻测量仪表进行,测量仪表应具有良好的稳定性和准确性。测量前应对电缆进行充分放电和清洁处理,确保测量结果的准确性。测量时应记录环境温度和湿度等参数,以便对测量结果进行修正。 4、交叉互联系统试验技术规范 交叉互联系统试验应模拟电缆系统的实际运行情况进行,确保试验条件与实际情况一致。试验过程中应关注电缆系统的电压分布、电流分布和绝缘电阻等参数的变化情况,并记录相关数据。 5、相位和相序检查技术规范 相位和相序检查应使用专用工具进行,如相位仪或相序表等。检查前应对工具进行校准和检查,确保其满足检查要求。检查时应确保电缆线路两端的相位和相序一致,并记录相关数据。 6、电缆线路参数测量技术规范 电缆线路参数测量应使用高精度测量仪表进行,如直流电阻测量仪、阻抗测量仪和电容测量仪等。测量前应对仪表进行校准和检查,确保其满足测量要求。测量时应记录环境温度和湿度等参数,以便对测量结果进行修正。
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- 2023-01-31 15:25:45使用眼科手术显微镜术中OCT进行残留碎片评估
- 凭借显著优化视野的高jingzhun性和同步性,眼科手术显微镜术中OCT成像系统可以帮助眼科医生在眼科手术中实现高水准的手术效果。眼外科医生分享了在白内障和视网膜手术中使用眼科手术显微镜术中OCT的经验。关键经验眼科手术显微镜有一种内置术中OCT的高级成像解决方案,设计用于改善眼前后节手术的工作流程,实现高精准度。医生分享了在白内障手术中使用眼科手术显微镜术中OCT成像系统的体验。医生特别强调了使用这款成像解决方案在检测和处理残余晶状体碎片的优势。由于这些晶状体碎片会被手术切口或水肿遮挡,因此很难看到。眼科手术显微镜术中OCT可以有效定位残留晶状体碎片,从而改善手术效果,降低术后并发症和二次手术的风险。关 于 EnFocusEnFocus是用于眼科手术显微镜的术中OCT。它可以呈现出高度清晰的实时眼前节和眼后节图像,便于观察眼底下表面显微结构。除了角膜移植术和白内障手术,在角膜、青光眼和视网膜手术中,术中OCT同样可以提供相同的优势。它也是基因治疗中一项重要的辅助工具。EnFocus可以结合眼科手术显微镜使用,提供全面的可视化效果。免责声明:本文中医疗专业人员的陈述和解释仅代表其个人观点和经验,并不代表其所属机构的观点。残留晶状体碎片评估除了视网膜手术这一典型的适用领域,术中OCT在白内障手术中也能够发挥重要的作用,尤其是用于评估残留晶状体碎片。手术结束时,我怀疑存在晶状体碎片。借助术中OCT,可以突出显示残留碎片。碎片尺寸较大,隐藏在主切口的水肿后面。当碎片尺寸相对较小,隐藏在辅助切口后面。然而,这些碎片受切口附近的角膜水肿影响,很难发现。这时候术中OCT便可以发挥重要的作用。一般是对眼后节进行360°环形扫描。使用显微镜脚踏开关,可以返回手术区域并分析图像。这样就可以看到辅助切口水肿后面有一个隐藏的残留碎片。在别的眼科手术中也能看到虹膜角膜角度有微小的残留碎片。术中OCT的优势在眼科手术中,术中OCT可以在白内障手术中发挥重要的作用。医生可以用它发现残留碎片,避免几天或几周后进行二次手术,还可以减少术后并发症。所以说,术中OCT是一种提高白内障手术质量和完善性的有效工具。
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- 2023-06-26 14:52:50无损无接触定量评价!GaN晶体质量评估新思路——ODPL法!
- 随着疫情三年的结束,大家又开始马不停蹄出差、旅游、返乡,生活的压力让人喘不过气。更别提出行的时候,还需要背一个很沉的电脑,以及与它适配的、同样很沉的、形状不规律的、看着就很糟心的电源适配器!有没有一种东西,能够让大家的出行变得更加轻松(物理上)?那必须是现在越来越流行的氮化镓(GaN)充电器了!一个氮化镓充电器几乎可以满足所有出行充电的需求,并且占地空间小,简直是出行神器!图1 氮化镓(GaN)充电器氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,一种直接能隙(direct bandgap)的半导体材料。GaN材料具有宽禁带、高临界电场强度和高电子饱和速度等特点,其器件耐高温、耐高压、高频和低损耗,大大提升电力器件集成度,简化了电路设计和散热支持,具有重要的价值和广泛的应用,是现在最 火热的第三代半导体材料,没有之一。GaN的应用不止在流行的充电器上,早在2014年日本科学家天野浩就凭借基于GaN材料的蓝光LED获得了诺贝尔奖。不过GaN就没有缺点了吗?或者说GaN没有改善的地方了吗?并不是, GaN技术的难点在于晶圆制备工艺。由于制备GaN的单晶材料无法从自然界中直接获取,所以GaN的主要制备方法是在蓝宝石、碳化硅、硅等异质衬底上进行外延。而现在由异质外延生长的GaN普遍存在大量缺陷的问题。缺陷的存在势必会影响到晶体的质量,从而影响到材料和器件的电学性能,最 终影响到未来半导体科技的快速发展。因此,降低GaN晶体里面的缺陷量,提高晶体质量,是当前第三代半导体领域研究很重要的一个课题。GaN晶体质量/缺陷评估的方法GaN晶体里面的杂质、缺陷是非常错综复杂的,无法单纯通过某一项缺陷浓度或者杂质含量来定量描述GaN晶体是否是高质量,因此现在评价GaN晶体质量的手段比较有限。根据现有的报道,大致有以下几种:多光子激发光致发光法(Multiphoton-excitation photoluminescence method,简称MPPL)、蚀坑观察法(Etch pit method)以及二次离子质谱(Secondary-ion mass spectrometry,简称SIMS)。MPPL法多光子激发光致发光法采用长波长激发,远大于带边荧光波长。激发过程需要同时吸收二个或者多个光子。通过吸收多个脉冲光子,在导带和价带形成电子空穴对,随后非辐射驰豫到导带底和价带顶,最 后产生带边发光和缺陷发光。通过滤波片获得带边和缺陷发光光谱和光强,改变入射光斑的位置,从而得到样品的荧光信号三维分布,即三维成像。多光子荧光三维成像技术可以识别和区分不同类型的位错,但是无法定量评估GaN的晶体质量,而且多光子激发的系统造价高。图2 (a) Optical microscope image of etch pits. (b) 42 × 42 μm2 2D MPPL image taken at a depth of 22 μm. (c) 42 × 42 × 42 μm3 3D MPPL image, shown with contrast inverted参考文献:Identification of Burgers vectors of threading dislocations in free-standing GaN substrates via multiphoton-excitation photoluminescence mapping' by Mayuko Tsukakoshi et al; Applied Physics Express, Volume 14, Number 5 (2021)蚀坑观察法蚀坑观察法通过适当的侵蚀可以看到位错的表面露头,产生比较深的腐蚀坑,借助显微镜可以观察晶体中的位错多少及其分布。该方法只适合于位错密度低的晶体,如果位错密度高,蚀坑互相重叠,就很难将它们区分。并且该方法是对晶体有损伤的,做不到无损无接触。图3 蚀坑观察法SIMS技术SIMS是利用质谱法分辨一次离子入射到测试样品表面溅射生成的二次离子而得到材料表面元素含量及分布的一种方法。SIMS可以进行包括氢在内的全元素分析,并分辨出同位素、化合物组分和部分分子结构的信息。二次离子质谱仪具有ppm量级的灵敏度,最 高甚至达到ppb的量级,还具有进行微区成分成像和深度剖析的功能。但是SIMS对晶体有损伤,无法做到无损。图4 SIMS技术以上三种技术均是评估GaN晶体缺陷的方法,但是每一种都有其缺憾的地方,它们无法做到定量的去评价GaN晶体的质量,而且具有破坏性。为了更好地定量评估GaN晶体质量,滨松公司和日本Tohoku University的Kazunobu Kojima教授以及Shigefusa Chichibu教授从2016年开始合作研发了一套基于积分球的全向光致发光系统(Omnidirectional Photoluminescence,以下简称ODPL),该系统是第 一个无损无接触定量去评价GaN晶体质量的方法/系统。ODPL系统ODPL系统是首 个无接触无损评价半导体材料晶体质量的方法,通过积分球法测量半导体材料、钙钛矿材料的内量子效率。该产品可以直接测量材料 IQE,具有制冷型背照式 CCD 高灵敏度以及高信噪比。图5 ODPL测量方法示意图传统光致发光的量子效率测量指的是晶体的PLQY,即光致发光量子效率,其定义为:PLQY = 样品发射的光子数/样品吸收的光子数图6 GaN样品在积分球下的发射光谱PLQY是表征晶体发光效率最 常见的参数之一,对于绝大多数的发光材料,PLQY都是黄金标准。但是对于GaN晶体,PLQY的表征显得不足。上图可见,GaN的光致发射光谱呈双峰形状,这是由于GaN晶体中的缺陷等,会将GaN本身发射的PL再次吸收然后发射(光子回收Photon Recycling现象)。图7 ( a ) PL and ODPL spectra of the HVPE / AT - GaN crystal and ( b ) detectable light - travelling passes considered in the simulation of light extraction :(1) direct escaping from the surface :( ii ) scattered at the bottom and escaping from the surface : and ( ii ) direct eseaping from the edge .( c ) Refractive index and absorption spectra of HVPE / AT - GaN .因为存在Photon Recycling的现象,GaN的PLQY不足以表征其发光转化效率,而真正可以表征GaN晶体发光转化效率的定义是其真正的内量子效率:IQE = 样品产生的光子数/样品吸收的光子数图8 GaN样品的标准发射光谱IQE是GaN晶体的PLQY考虑LEE和光子回收现象以后的参数,更能直观、定量反映GaN晶体的质量。图9 高IQE和低IQE晶体的对比高IQE的GaN晶体通常表现为:高载流子浓度、低穿透位错密度、低杂质浓度、低点缺陷浓度、高激发功率密度。图10 不同穿透位错密度晶体的IQE结果对比免费样机预约ODPL现在ODPL样机开放免费预约试 用活动,有意向的客户请在评论区留言“样机试 用”小编看到之后会第 一时间与您联系,样机数量有限,先到先得哟~图11 ODPL样机展示以上有关新品的信息已经全部介绍完毕了,如有任何疑问,欢迎在评论区留言哟。
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