2025-01-10 17:04:26喷氦法氦检漏
喷氦法氦检漏是一种高效的泄漏检测技术,它利用氦气作为示踪气体。检测时,将氦气喷入被检件疑似泄漏部位,若存在泄漏,氦气会通过漏孔进入检测系统。系统内的氦质谱仪能高灵敏度地捕捉到氦气,从而精确确定漏孔位置及泄漏率。该方法具有灵敏度高、定位准确、检测速度快等优点,广泛应用于航空航天、汽车制造、制冷空调等领域,确保产品密封性能符合高标准要求。

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2025-03-25 13:15:15氦光泵磁力仪多少钱
氦光泵磁力仪多少钱?这是许多科研工作者、实验室工程师或生产厂商在选择磁力仪时常关注的问题之一。氦光泵磁力仪,作为一种高精度的测量工具,在现代物理学、材料科学以及相关领域中扮演着至关重要的角色。它能够准确测量极微小的磁场变化,是进行量子物理实验、精密测量和材料分析不可或缺的设备。本文将深入探讨氦光泵磁力仪的价格因素,并对市场上不同品牌、型号的价格进行分析,帮助您在选购时做出更为明智的决策。 在探讨氦光泵磁力仪的价格时,首先需要了解影响其价格的几个关键因素。其一是仪器的技术规格,氦光泵磁力仪通常根据其灵敏度、测量范围以及分辨率来定价。高灵敏度的设备通常具有更高的价格,因为它们能够探测到更微弱的磁场变化,适用于更为复杂和精密的实验。仪器的品牌和制造商也是影响价格的重要因素。一些知名品牌由于研发技术的先进性和长期积累的信誉,往往会定价较高,但相应的,产品质量、售后服务及技术支持也会更为可靠。市场需求和生产规模也会对价格产生影响,供求关系较为紧张时,价格也可能有所上升。 根据不同市场调研,氦光泵磁力仪的价格范围通常从几万到几十万不等。入门级的氦光泵磁力仪价格大约在10万元左右,而高端型号则可能超过50万元,甚至更高。具体价格还需根据客户的需求而定,包括测量的精度、仪器的耐用性以及特定功能的支持等。在选择时,除了关注价格外,建议综合评估仪器的性能、售后服务、技术支持等因素,确保选购到符合自己需求的设备。 氦光泵磁力仪的价格差异较大,选择时不仅需要关注价格本身,还应充分考虑产品的技术规格和品牌信誉。通过对市场的深入了解和需求分析,您可以选购到既经济又高效的氦光泵磁力仪,满足您的科研或工业需求。在选购氦光泵磁力仪时,专业的技术支持和后续服务同样至关重要,确保仪器的稳定性和长期可靠性。
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2023-06-21 13:55:48《Small》:精确调控样品磁性!氦离子辐照改善磁畴壁动力学
      近年来,人们在不断探索新型低能耗,高存储密度的新型磁存储材料。特别是对于磁畴壁动力学、斯格明子等方面的研究吸引了大批科研人员的目光。随着研究的深入,制备出具有特定磁各项异性的材料并且进行精细的调控变的尤为重要。在对样品特性精细调控的技术中,利用氦离子辐照是对样品无损坏的一种高精度手段。氦离子辐照具有精度高、均匀性好、条件更加灵活、易于控制等优势,与其它改性方法相比,有利于器件或集成电路的大规模生产。基于此,法国Spin-Ion 公司经多年研发推出离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®。该系统采用创新的离子束技术,可以通过超紧凑和快速的氦离子束设备精确控制原子间的位移,使其能够在原子尺度上加工材料,并通过离子束工艺来调控薄膜和异质结构。设备一经推出,便受到广大科学家的关注,截止目前已有20多家科研和工业用户以及合作伙伴使用该技术,国内也在北航和复旦等高校安装该系统,其独有的技术正受到来自相关科研圈和工业领域越来越多的认可。     近期,来自于法国格勒诺布尔-阿尔卑斯大学CNRS-Institut Néel实验室的Stefania Pizzini团队联合法国Spin-Ion Technologies公司的两名工程师利用离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®对Pt/Co/AlOx磁性薄膜进行了磁性调控研究。文章以“Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation”为题发表在Small上。氦离子辐照量对样品的磁各向异性的影响      文章讨论了使用离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®对Pt/Co/AlOx三层膜的磁性能产生的影响。研究人员发现,氦离子辐照可以改善Néel磁畴壁的动力学和斯格明子的稳定性。辐照可以降低垂直磁各向异性(PMA),而不影响界面Dzyaloshinskii-Moriya相互作用(DMI)的强度。这使得磁畴壁可以在较低的磁场下达到更大的速度。该研究表明,将PMA与DMI分离对于基于磁畴壁动力学的低能耗设备的设计是有益的。同时,辐照还可以调节斯格明子的大小和稳定性,使其更加稳定并且可以在更高的磁场下存在。这些结果表明氦离子辐照可以对基于磁畴壁动力学和斯格明子的低能耗设备的设计产生积极影响。氦离子辐照量对样品的磁畴壁和斯格明子的影响     该项工作中使用的离子辐照磁性精细调控系统Helium-S®已经成为磁性薄膜研究与性能调控的重要手段。该系统可以对直径1英寸的晶圆进行扫描辐照,具有精度高,可控性好等特点。 应用领域:☛ 磁性随机存储器(MRAM):自旋转移矩磁性随机存储(STT-MRAM),自旋轨道矩磁性随机存储(SOT-MRAM),磁畴壁磁性随机存储(DW-MRAM)等;☛ 自旋电子学:斯格明子,磁性隧道结,磁传感器等;☛ 磁学相关:磁性氧化物,多铁性材料;☛ 其他方向:薄膜改性,芯片加工,仿神经器件,逻辑器件等。 产品特点:☛ 可通过超紧凑和快速的氦离子束设备精确控制原子间的位移,通过氦离子辐照可精确调控磁性薄膜或晶圆的磁学性质。☛ 可提供能量范围:1-30 keV的He+离子束☛ 采用创新的电子回旋共振(ECR)离子源☛ 可对25 mm的试样进行快速的均匀辐照(几分钟)☛ 超紧凑的设计,节省实验空间☛ 可与现有的超高真空设备互联离子辐照磁性精细调控系统Helium-S® 测试数据:调控界面各向异性性质和DMI 低电流诱发的SOT转换获取 控制斯格明子和磁畴壁的动态变化 用户单位 已经购买该设备的国内外用户单位:Beihang University (China)Fudan University (China)University of California San Diego (USA)University of California Davis (USA)New York University (USA)Georgetown University (USA)Northwestern University (USA)University of Lorraine (France)SPINTEC Grenoble (France)University of Cambridge (UK)University of Manchester (UK)Nanyang Technological University (Singapore)A*STAR (Singapore)University of Gothenburg (Sweden)Western Digital (USA)IBM (USA)Singulus Technologies (Germany) 文章列表:[1]. Tailoring magnetism by light-ion irradiation, J Fassbender, D Ravelosona, Y Samson, Journal of Physics D: Applied Physics 37 (2004)[2]. Ordering intermetallic alloys by ion irradiation: A way to tailor magnetic media, H Bernas & D Ravelosona, Physical review letters 91, 077203 (2003)[3]. Influence of ion irradiation on switching field and switching field distribution in arrays of Co/Pd-based bit pattern media, T Hauet & D Ravelosona, Applied Physics Letters 98, 172506 (2011)[4]. Ferromagnetic resonance study of Co/Pd/Co/Ni multilayers with perpendicular anisotropy irradiated with helium ions, J-M.Beaujour & A.D. Kent & D.Ravelosona &E.Fullerton, Journal of Applied Physics 109, 033917 (2011)[5]. Irradiation-induced tailoring of the magnetism of CoFeB/MgO ultrathin films, T Devolder & D Ravelosona, Journal of Applied Physics 113, 203912 (2013)[6]. Controlling magnetic domain wall motion in the creep regime in He-irradiated CoFeB/MgO films with perpendicular anisotropy, L.Herrera Diez & D.Ravelosona, Applied Physics Letter 107, 032401 (2015)[7]. Measuring the Magnetic Moment Density in Patterned Ultrathin Ferromagnets with Submicrometer Resolution, T.Hingant & D.Ravelosona & V.Jacques, Physical Review Applied 4, 014003 (2015)[8]. Suppression of all-optical switching in He+ irradiated Co/Pt multilayers: influence of the domain-wall energy, M El Hadri & S Mangin & D Ravelosona,  J. Phys. D: Appl. Phys. 51, 215004 (2018)[9]. Tuning the magnetodynamic properties of all-perpendicular spin valves using He+ irradiation, Sheng Jiang & D.Ravelosona & J.Akerman, AIP Advances 8, 065309 (2018)[10]. Enhancement of the Dzyaloshinskii-Moriya Interaction and domain wall velocity through interface intermixing in Ta/CoFeB/MgO, L Herrera Diez & D Ravelosona, Physical Review B 99, 054431 (2019)[11]. Enhancing domain wall velocity through interface intermixing in W-CoFeB-MgO films with perpendicular anisotropy, X Zhao & W.Zhao & D Ravelosona, Applied Physics Letter 115, 122404 (2019)[12]. Controlling magnetism by interface engineering, L Herrera Diez & D Ravelosona, Book Magnetic Nano- and Microwires 2nd Edition, Elsevier (2020)[13]. Reduced spin torque nano-oscillator linewidth using He+ irradiation, S Jiang & D Ravelosona & J  Akerman, Appl. Phys. Lett. 116, 072403 (2020)[14]. Spin–orbit torque driven multi-level switching in He+ irradiated W–CoFeB–MgO Hall bars with perpendicular anisotropy, X.Zhao & M.Klaui & W.Zhao & D.Ravelosona, Appl. Phys. Lett 116, 242401 (2020)[15]. Magnetic field frustration of the metal-insulator transition in V2O3, J.Trastoy & D.Ravelosona & Y.Schuller, Physical Review B 101, 245109 (2020)[16]. Tailoring interfacial effect in multilayers with Dzyaloshinskii–Moriya interaction by helium ion irradiation, A.Sud & D.Ravelosona &M.Cubukcu, Scientific report 11, 23626 (2021)[17]. Ion irradiation and implantation modifications of magneto-ionically induced exchange bias in Gd/NiCoO, Christopher J. Jensen & Dafiné Ravelosona, Kai Liu, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 540, 168479 (2021)[18]. Helium Ions Put Magnetic Skyrmions on the Track, R.Juge & D.Ravelosona & O.Boulle, Nano Lett. 2021 Apr 14;21(7):2989-2996参考文献:[1]. Cristina Balan, Johannes W. van de Jagt, et al. Improving Néel Domain Walls Dynamics and Skyrmion Stability Using He Ion Irradiation. Small, 2023. https://doi.org/10.1002/smll.202302039
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2025-04-21 12:45:20氦质谱检漏仪的检漏方法有哪些?
氦质谱检漏仪作为高精度气体泄漏检测的核心设备,凭借其卓越的灵敏度和可靠性,广泛应用于航空航天、电子制造、能源动力等领域。其核心原理基于质谱学技术,通过氦气示踪与离子分离机制实现微小漏点的精准定位。本文将从工作原理、检漏方法、操作流程、应用场景及维护要点等多维度,系统解析该技术的科学内涵与工程实践价值。 氦质谱检漏仪的核心工作原理涉及离子化与磁场分离过程。灯丝发射的电子在电离室内与氦气碰撞,生成带正电的氦离子。这些离子在加速电场作用下进入均匀磁场,由于洛伦兹力作用,不同质荷比的离子沿不同半径的圆弧轨迹运动。通过调节加速电压,仅氦离子能通过出口狭缝到达收集器,形成可检测的离子流信号。逆扩散检漏技术进一步优化了检测条件,利用分子泵对不同气体的压缩比差异,使氦气逆流进入质谱室,显著提升高压容器检漏效率并延长灯丝寿命。 在具体检漏方法中,吸枪法、钟罩法和背压法构成三大主流技术。吸枪法通过移动式探头采集泄漏氦气,适用于复杂结构的局部检测;钟罩法则通过密封罩覆盖被测件,测量整体漏率;背压法则对预充氦气的工件进行真空抽吸,适用于微型器件的批量检测。操作流程通常包括设备连接、真空建立、氦气喷施及信号分析四个阶段。以SFJ-231型仪器为例,其标准化流程涵盖粗真空预抽(2000-200Pa)、中真空精抽(200-40Pa)和精检模式切换,配合阀门系统实现不同灵敏度档位的无缝转换。 技术性能方面,现代氦质谱检漏仪的灵敏度可达10-13 Pa·m³/s量级,检测范围横跨10-2至10-13 Pa·m³/s,响应时间小于0.3秒。这种卓越性能使其在航空航天发动机密封检测、半导体封装气密性验证、核反应堆压力容器监控等场景中不可替代。例如,在火箭箭体检测中,氦罩法与累积法的结合使检漏灵敏度提升三个数量级,有效预防推进剂泄漏事故。 设备维护保养是保障长期稳定运行的关键。日常维护需重点关注机械泵油位监测(每500小时更换)、分子泵轴承润滑(年度保养)、质谱室污染清洁(视使用频率)等环节。校准环节强调标准漏孔的应用,通过定期对比实测值与理论值,确保检测精度偏差小于5%。此外,氦气供给系统的密封性检查与过滤器更换,可有效避免交叉污染导致的误报。 相较于传统检漏技术,氦质谱法的优势显著。气泡法灵敏度仅达10-5 Pa·m³/s,而压力衰减法受温度波动影响严重。红外与超声波检漏虽具非接触优势,但无法识别微小漏点及混合气体泄漏。氦质谱技术独有的选择性识别能力,使其在10-12 Pa·m³/s级检测中保持>95%的准确率,且不受背景气体干扰,这在多组分工业环境中尤为重要。 随着智能制造升级,氦质谱检漏技术正向智能化、集成化方向发展。自动氦峰扫描、多通道并行检测、物联网数据互联等创新功能,正推动该技术从单一检测工具向智能制造质量控制节点演变。在新能源电池包密封检测、氢燃料电池堆泄漏监测等新兴领域,其技术优势将持续释放产业价值。
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2023-09-01 09:27:58拔插钉机 拔插胶钉机 充氦插钉机 包膜机 贴膜机 钢珠封口机
“东莞市双仁机械设备科技有限公司”始创于2010年7月,是一家集研发、制造、服务于一体的专业锂电池自动化生产设备的公司。 拥有方形铝壳动力电池、软包装电池等系列生产设备的研发与制造能力。我们不仅仅制造设备,同时也专注于配合客户对电池生产工艺的改进,协助客户提高产品优率和产能;我们的团队拥有丰富的同行业实战经验,对电池生产工序和生产设备有非常深刻的理解;希望我们的用心服务为您创造更高价值!主要产品有:全自动包膜机贴膜机/全自动钢珠封口机 /全自动换钉线自动拔钉自动塞钉机/全自动胶钉封口机/全自动氦检测漏机/PACK组装线;“技术创新,永不止步;用心服务,创造价值”是“我们双仁”永恒的主题!
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2020-06-16 15:09:56热电堆红外温度传感器氦质谱检漏
热电堆红外 (IR) 温度传感器氦质谱检漏       热电堆是一种热释红外线传感器,它是由热电偶构成的一种器件。它在耳式体温计、放射温度计、电烤炉、食品温度检测等领域中,作为温度检测器件获得了广泛的应用。热电堆是基于赛贝克效应机理,两种具有不同塞贝克系数的材料相互串接构建的闭环回路(即一对热电偶),两串接处中温度较高的一端通常被称作“热结”,较低的一端被称作“冷结”,材料中载流子沿着温度梯度降低的方向移动,引起电荷积累在冷结处,此时回路中便有热电势产生。           
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