短距离无线通信技术 - 产品信息 - 相关知识

2025-01-21 09:34:37短距离无线通信技术: 短距离无线通信技术是指在较短距离内实现无线通信的技术，主要包括蓝牙、Wi-Fi、Zigbee、NFC（近场通信）等。这些技术广泛应用于智能设备互联、数据传输、无线控制等领域。蓝牙技术功耗低、连接稳定，适用于音频传输和设备配对；Wi-Fi传输速度快，覆盖范围广，常用于互联网接入；Zigbee功耗极低，适用于物联网中的设备组网；NFC则主要用于近距离的数据交换和支付。这些技术各有特点，共同推动了短距离无线通信的发展。

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《短距离无线通信技术溯源体系建立》等2个项目获科技进步奖

近期，2020年度上海市科学技术奖公布，上海市计量测试技术研究院两项科技成果分别获得上海市科技进步三等奖。

1015
2021-06-09
短距离无线通信技术高精度质量自动检测系统
短距离无线通信技术“星闪”有望大规模商业落地会对通信仪器有哪些颠覆？

星闪技术在功耗、速度、覆盖范围和连接性能上取得了显著突破。这意味着未来的通信仪器将能够以更低的能耗实现更高效的工作，尤其对于需要长时间运行或便携设备来说，这一优势尤为重要。

235
2024-08-23
短距离通信星闪技术仪器发展

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: E6680A无线通信测试仪; 国外美洲; ￥100000; 深圳市达瑞博电子有限公司
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: 联用技术; 国外美洲; 面议; 珀金埃尔默企业管理(上海)有限公司
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短距离无线通信技术问答

2025-02-20 12:30:14宽带无线通信测试仪校准怎么做？: 宽带无线通信测试仪校准宽带无线通信测试仪作为现代通信技术中不可或缺的测试工具，在无线信号的传输质量分析、设备性能检测等方面发挥着至关重要的作用。为了确保测试结果的性和可靠性，宽带无线通信测试仪的校准工作显得尤为重要。本文将探讨宽带无线通信测试仪的校准原理、方法以及其在实际应用中的重要性，为相关从业人员提供有价值的参考和指导。宽带无线通信测试仪校准是对仪器进行精确调试和调整的过程，其目的是确保测试仪器能够提供高精度的测量结果。宽带无线通信测试仪主要用于测试无线电频谱、信号的频率、幅度、相位等参数，并对无线设备的性能进行检测。因为无线信号的复杂性和环境因素的影响，测试仪器的准确性直接关系到测试结果的可靠性，甚至影响到整个系统的性能评估。因此，测试仪的校准工作显得尤为重要。在进行宽带无线通信测试仪的校准时，首先需要了解其内部的测试原理及校准标准。一般来说，宽带无线通信测试仪的校准可以分为两个主要方面：硬件校准和软件校准。硬件校准包括对信号源、频率计、功率计等设备的精度调整，通过使用标准信号源与高精度测量仪器进行比对，确保测试仪器各项功能的准确性。而软件校准则主要通过对测试软件进行优化和调整，确保仪器的软件部分能够与硬件部分协同工作，提供准确的测试结果。具体的校准流程通常需要按照以下步骤进行：首先对测试仪进行预热，确保设备在工作状态下的稳定性。接着，使用精密标准设备对仪器进行逐项校准，检查其频率响应、幅度精度和相位差异等。通过反复测试与调整，确保仪器的各项指标符合国家或国际标准。对于特殊频段或特殊功能的测试仪，还需要进行针对性的定期校准，以确保其在不同应用场景下的准确性。宽带无线通信测试仪的校准不仅仅是为了提升测试精度，还能延长设备的使用寿命。随着无线通信技术的快速发展，测试仪器的校准要求也在不断提高，特别是在5G、Wi-Fi 6等新兴技术的应用中，测试精度和校准方法面临更大的挑战。因此，测试仪器的校准工作不仅要遵循科学的技术标准，还需要根据实际应用场景做出灵活调整。总结而言，宽带无线通信测试仪的校准是保障测试结果可靠性的关键环节，通过的校准流程，能够确保设备在实际应用中的稳定性和高效性。在高速发展的通信领域，仪器的校准工作将持续发挥着至关重要的作用，对测试精度的提升和通信技术的进步起到不可忽视的推动作用。

2025-02-20 12:30:14无线通信测试仪检定规程难做吗？: 无线通信测试仪检定规程无线通信测试仪是现代通信系统中不可或缺的重要设备，广泛应用于无线通信网络的建设、优化及维护中。随着无线通信技术的飞速发展，对测试仪器的度与可靠性的要求日益提高，因此，制定科学、系统的检定规程显得尤为重要。本文旨在深入探讨无线通信测试仪的检定规程，阐述其检定的重要性、实施步骤及注意事项，以确保测试仪器的准确性与稳定性，保障无线通信系统的正常运行。无线通信测试仪的检定重要性无线通信测试仪的检定不仅是确保设备性能的关键手段，也是优化通信质量和系统稳定性的基础。通过规范化的检定程序，可以有效验证测试仪器的精度、灵敏度、频率响应等关键参数的符合性，从而避免因仪器误差带来的测试结果偏差。尤其是在现代5G、物联网等高速通信技术发展迅速的背景下，测试仪器的性能直接关系到网络建设和服务质量的提升。检定规程的实施步骤无线通信测试仪的检定通常需要遵循以下几个基本步骤：设备准备和预检在进行正式检定之前，首先要对测试仪器进行初步检查。确保设备处于正常工作状态，没有外观损坏或者其它明显故障。对仪器的电源、接口、显示器及其他基本功能进行简单测试，确认设备可以正常启动并进入待检状态。确认测试环境无线通信测试仪的检定需在符合规定的测试环境中进行，环境因素如温度、湿度、电磁干扰等都可能影响测试结果的准确性。因此，应确保测试环境符合标准要求，避免不必要的误差产生。测试仪器的校准校准是检定过程中的核心步骤。使用经过认证的标准设备，对无线通信测试仪进行系统的校准，验证其频率、功率、相位等关键参数是否符合相关标准。对于不合格的仪器，需要进行调试或修理，确保其性能符合技术要求。功能测试与精度验证在完成设备校准后，需进行一系列功能测试，验证无线通信测试仪的工作性能。通过模拟真实通信环境，测试仪器应能够准确测量信号强度、误码率、频谱等参数，并与标准值进行对比。对于测试结果的偏差，需进行详细分析并调整仪器设置。数据记录与报告所有检定过程中的数据必须进行详细记录，并生成检定报告。报告应包含仪器的型号、校准过程、测试结果以及相关分析，为后续使用和维修提供参考依据。报告需要由相关技术人员审核，并保证数据的真实性与有效性。注意事项在进行无线通信测试仪的检定时，应特别注意以下几点：设备一致性检查：在多台设备同时进行检定时，需确保各台设备的测试条件一致，以确保检定结果的可靠性。检定周期：无线通信测试仪的检定应定期进行，特别是在设备使用频繁的情况下，建议设定明确的检定周期，以提前发现潜在问题。人员培训与资质认证：检定工作需要由经过专业培训的人员执行，且这些人员应持有相关资质证书，确保检定工作的质量和准确性。结语无线通信测试仪的检定规程是一项复杂且精细的技术工作，只有通过严格的标准流程和高质量的实施，才能确保测试仪器的准确性和可靠性，从而保障无线通信系统的高效运行。随着技术的不断发展，检定规程也需不断更新和完善，以适应新的通信技术需求。因此，相关领域的工程师应持续关注检定技术的进步，确保通信测试仪器始终处于佳工作状态，为通信行业的健康发展提供有力支持。

2022-01-06 13:38:14R&S CMW500 无线通信测试仪: R&S®CMW500是一款能够对当今和将来无线设备（包括从基本手机到最为复杂的PDA）进行快速、精确生产测试的紧凑型解决方案，该多技术平台使用户可从始至终实现式生产线的理念：一台测量仪器满足所有射频测试要求。主要特点• 新功能：第一款可提供网络模拟所需的LTE信令功能（"call box"功能）的测试仪，请参见演示• 主机：通用型射频功率计和CW信号发生器，具有List modes，可以快速校准无线设备• 发射机验证所需的矢量信号分析仪（VSA）• 扩展接收机测试所需的矢量信号发生器（VSG）：快速设置的ARB模式或大数据量复杂信号分析的联机模式• 功能测试所需的信令功能（网络模拟）• 可直接连接 R&S®NRP-Zxx功率探头，进行参考射频功率测量• 使用集成的射频接口可轻松连接射频架构复杂的无线设备• 最新图形用户界面（GUI）• 通过LAN/GPIB接口可实现SCPI远程控制• 为LXI Class C测量做好准备• 测试例程的过程控制器采用 Windows®XP操作系统，并可通过Windows®远程桌面实施远程控制特性一个 19 "机箱内囊括所有技术• 支持蜂窝、非蜂窝无线技术和广播技术• 为无线多模设备提供紧促解决方案只需一个可扩展硬件• 提供将来进行测量所需的射频参数• 可扩展射频资源• 基带和信令单元可以配置显著降低测试成本：校准速度快十倍之多• R&S®Multi-Evaluation发射机测量• R&S®智能校准理念为生产测试系统提供优化处理• 由于采用了一体化架构，因而使用户风险降至最低• 综合射频前端，无需使用外部硬件• 采用按键式应用程序，可实现最佳处理高直通率设计• 绝对精确度高，可重复性和线性度高• 可连接R&S®NRP-Zxx功率探头进行高精度参考测量占用空间极小• 双测试仪配置• R&S®CMW280紧凑型射频测试仪是一款可用于生产测试的宽带无线电通信测试仪降低了运行成本• 校准间隔可以选择12或24个月型号 R&S®CMW280 宽带无线通信测试仪R&S®CMW280是紧凑型的R&S®CMW500，深度比后者小了20%，该仪器可单独被配置成一台测试仪，进行传统测试时占用空间极小。R&S®CMW500和R&S®CMW280的区别R&S®CMW500R&S®CMW280测试能力一个DUT，在非信令模式下可选择同时测量2个DUT1个 DUT外形尺寸(W x H x D)465.1 mm × 197.3 mm × 517.0 mm(18.3 in × 7.8 in × 20.4 in)465.1 mm × 197.3 mm × 417.0 mm(18.3 in × 7.8 in × 16.4 in)配备常规选件时的重量约为 18 kg (约为 40 lb)约为14 kg 约为31 lb)LAN1-LAN11IEEE 488选件选件B 型 USB 接口1-货品号1201.0002K501201.0002K25想了解更多信息可以访问安泰测试网www.agitek.com.cn

2022-11-18 16:15:48反应离子刻蚀技术: 反应离子刻蚀概述：反应离子腐蚀技术是一种各向异性很强、选择性高的干法腐蚀技术。它是在真空系统中利用分子气体等离子来进行刻蚀的，利用了离子诱导化学反应来实现各向异性刻蚀，即是利用离子能量来使被刻蚀层的表面形成容易刻蚀的损伤层和促进化学反应，同时离子还可清除表面生成物以露出清洁的刻蚀表面的作用。主要用于Si、SiO2、SiNx、半导体材料、聚合物、金属的刻蚀以及光刻胶的去除等，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。工作原理：通常情况下，反应离子刻蚀机的整个真空壁接地, 作为阳极, 阴极是功率电极, 阴极侧面的接地屏蔽罩可防止功率电极受到溅射。要腐蚀的基片放在功率电极上。腐蚀气体按照一定的工作压力和搭配比例充满整个反应室。对反应腔中的腐蚀气体, 加上大于气体击穿临界值的高频电场, 在强电场作用下, 被高频电场加速的杂散电子与气体分子或原子进行随机碰撞, 当电子能量大到一定程度时, 随机碰撞变为非弹性碰撞, 产生二次电子发射, 它们又进一步与气体分子碰撞, 不断激发或电离气体分子。这种激烈碰撞引起电离和复合。当电子的产生和消失过程达到平衡时, 放电能继续不断地维持下去。由非弹性碰撞产生的离子、电子及及游离基(游离态的原子、分子或原子团) 也称为等离子体, 具有很强的化学活性, 可与被刻蚀样品表面的原子起化学反应, 形成挥发性物质, 达到腐蚀样品表层的目的。同时, 由于阴极附近的电场方向垂直于阴极表面, 高能离子在一定的工作压力下, 垂直地射向样品表面, 进行物理轰击, 使得反应离子刻蚀具有很好的各向异性。所以，反应离子刻蚀包括物理和化学刻蚀两者的结合。刻蚀气体的选择对于多晶硅栅电极的刻蚀，腐蚀气体可用Cl2或SF6，要求对其下层的栅氧化膜具有高的选择比。刻蚀单晶硅的腐蚀气体可用Cl2/SF6或SiCl4/Cl2；刻蚀SiO2的腐蚀气体可用CHF3或CF4/H2；刻蚀Si3N4的腐蚀气体可用CF4/O2、SF6/O2或CH2F2/CHF3/O2；刻蚀Al（或Al-Si-Cu合金）的腐蚀气体可用Cl2、BCl3或SiCl4；刻蚀W的腐蚀气体可用SF6或CF4；刻蚀光刻胶的腐蚀气体可用氧气。对于石英材料, 可选择气体种类较多, 比如CF4、CF4+ H2、CHF3 等。我们选用CHF3 气体作为石英的腐蚀气体。其反应过程可表示为：CHF3 + e——CHF+2 + F (游离基) + 2e，SiO 2 + 4F SiF4 (气体) + O 2 (气体)。SiO 2 分解出来的氧离子在高压下与CHF+2 基团反应，生成CO ↑、CO 2↑、H2O ↑、O F↑等多种挥发性气体。对于锗材料、选用含F 的气体是十分有效的。然而, 当气体成份中含有氢时, 刻蚀将受到严重阻碍, 这是因为氢可以和氟原子结合, 形成稳定的HF, 这种双原子HF 是不参与腐蚀的。实验证明, SF6 气体对Ge 有很好的腐蚀作用。反应过程可表示为：SF6 + e——SF+5 + F (游离基) + 2e，Ge + 4F——GeF4 (挥发性气体) 。设备：典型的（平行板）RIE系统包括圆柱形真空室，晶片盘位于室的底部。晶片盘与腔室的其余部分电隔离。气体通过腔室顶部的小入口进入，并通过底部离开真空泵系统。所用气体的类型和数量取决于蚀刻工艺;例如，六氟化硫通常用于蚀刻硅。通过调节气体流速和/或调节排气孔，气体压力通常保持在几毫托和几百毫托之间的范围内。存在其他类型的RIE系统，包括电感耦合等离子体（ICP）RIE。在这种类型的系统中，利用RF供电的磁场产生等离子体。虽然蚀刻轮廓倾向于更加各向同性，但可以实现非常高的等离子体密度。平行板和电感耦合等离子体RIE的组合是可能的。在该系统中，ICP被用作高密度离子源，其增加了蚀刻速率，而单独的RF偏压被施加到衬底（硅晶片）以在衬底附近产生定向电场以实现更多的各向异性蚀刻轮廓。操作方法：通过向晶片盘片施加强RF（射频）电磁场，在系统中启动等离子体。该场通常设定为13.56兆赫兹的频率，施加在几百瓦特。振荡电场通过剥离电子来电离气体分子，从而产生等离子体。在场的每个循环中，电子在室中上下电加速，有时撞击室的上壁和晶片盘。同时，响应于RF电场，更大质量的离子移动相对较少。当电子被吸收到腔室壁中时，它们被简单地送到地面并且不会改变系统的电子状态。然而，沉积在晶片盘片上的电子由于其DC隔离而导致盘片积聚电荷。这种电荷积聚在盘片上产生大的负电压，通常约为几百伏。由于与自由电子相比较高的正离子浓度，等离子体本身产生略微正电荷。由于大的电压差，正离子倾向于朝向晶片盘漂移，在晶片盘中它们与待蚀刻的样品碰撞。离子与样品表面上的材料发生化学反应，但也可以通过转移一些动能来敲除（溅射）某些材料。由于反应离子的大部分垂直传递，反应离子蚀刻可以产生非常各向异性的蚀刻轮廓，这与湿化学蚀刻的典型各向同性轮廓形成对比。RIE系统中的蚀刻条件很大程度上取决于许多工艺参数，例如压力，气体流量和RF功率。 RIE的改进版本是深反应离子蚀刻，用于挖掘深部特征。