解密无内源质粒短乳杆菌电转化的适配条件

将短乳杆菌接种于 MRS 培养基，37°C 静置培养，定期取样监测 OD₆₀₀，绘制生长曲线，确定对数生长期、稳定期等关键生长阶段。在不同生长阶段收集菌体，部分实验组用不同浓度甘氨酸（0 - 2%，梯度设置）处理一定时间（1 - 3 小时），部分用溶菌酶在特定浓度（如 0.5 - 2 mg/mL）下处理不同时长（15 - 60 分钟），处理后冰浴洗涤、离心收集菌体备用。

取预处理后的菌体与不同浓度（0.1 - 1 μg/μL）质粒 DNA 轻柔混匀，冰浴孵育一定时间（10 - 30 分钟）使 DNA 结合于菌体表面。吸取混合液至预冷电转杯，置于电穿孔仪中，设置不同电击参数组合：电压（1000 - 2500 V）、电容（25 - 50 μF）、电阻（200 - 600 Ω）进行电击操作。电击结束后，迅速加入预温复苏培养基，37°C 低速振荡培养 2 - 3 小时。

将复苏培养后的菌液梯度稀释涂布于含特定抗生素（对应质粒抗性标记）的 MRS 平板，37°C 培养 2 - 3 天，计数菌落形成单位（CFU）以计算电转化效率。随机挑取单菌落，利用荧光显微镜观察 GFP 表达情况，验证转化真实性，同时提取质粒进行酶切电泳分析，确认质粒完整性与拷贝数。