解析硅表面：SEM-SXES探索新材料的深度信息

SXES是一种利用新开发的衍射光栅和高灵敏度Ｘ射线CCD相机组合，通过检测能量和光谱形状的变化来进行化学状态分析的设备。

SXES可以与JEOL EPMA（电子探针显微分析仪）或SEM（扫描电子显微镜）结合，精准定位目标区域。SEM-SXES联用可以通过电子束减速模式在低电压下提供大探针电流，有力支持样品的观察和分析。

在本案例中，我们使用表面有不同厚度非晶层的硅晶圆样品，尝试比较低入射电压下的SEM-SXES分析与XPS分析结果，并通过SEM-SXES评估硅表面的晶体性。

本研究的样品信息见下图。首先，为了检查靠近样品表面的非晶硅（a-Si）层造成的光谱形状变化，采用500 eV的入射电压对每个样品进行了SXES分析。其次，使用JEOL JPS-9030进行了XPS分析，以检查每个硅晶圆的晶体性变化。最后，分别采用2 kV、1 kV和500 V的入射电压，使用SXES对样品C进行深度方向的分析。

SEM-SXES低入射电压的这些结果表明，可能出现一种新的评估技术，用于检测样品表面化学结构的变化。随着科学技术的不断发展，SXES设备在材料科学中的应用将会越来越广泛。从电子器件开发到光伏材料研究，SXES将成为研发者们不可或缺的工具。

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