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赛默飞ELEMENT GD Plus双聚焦辉光放电质谱仪参数

来源:赛默飞色谱与质谱中国 更新时间:2026-04-07 16:15:03 阅读量:12
导读:赛默飞ELEMENT GD Plus是针对固体样品痕量/超痕量元素分析的高分辨率双聚焦辉光放电质谱仪(GD-MS),核心解决传统消解方法的污染风险与同量异位素干扰问题,广泛服务于高纯材料、半导体、陶瓷等行业的精准检测需求。

赛默飞ELEMENT GD Plus是针对固体样品痕量/超痕量元素分析的高分辨率双聚焦辉光放电质谱仪(GD-MS),核心解决传统消解方法的污染风险与同量异位素干扰问题,广泛服务于高纯材料、半导体、陶瓷等行业的精准检测需求。

赛默飞ELEMENT GD Plus核心技术特点

  1. 双聚焦质谱分析器:磁扇+静电扇组合设计,实现高分辨率(≥10000@10%谷),可有效分离同量异位素(如Ar⁺与⁴⁰Ca⁺、Fe⁺与⁵⁶Ni⁺),提升复杂基体样品分析准确性;
  2. 双模式离子源:支持直流(DC-GD)与射频(RF-GD)辉光放电,固体样品无需消解直接进样,避免前处理污染;溅射速率可调(0.1-10 nm/s),适配薄层分析与深度剖面需求;
  3. 低检出限与高灵敏度:多数元素检出限≤1 ng/g(ppt级),难电离元素(B、P)≤10 ng/g,气体元素(O、N)≤50 ng/g,满足高纯材料杂质检测要求;
  4. 宽样品适应性:可分析金属、半导体、陶瓷、玻璃等固体样品,支持直径≤50 mm、厚度≤10 mm的样品,异形样品可定制夹具;
  5. 智能化数据系统:搭载Thermo Qtegra™软件,支持自动调谐、方法存储、多元素定量分析,符合GLP/GMP及FDA 21 CFR Part 11要求,提升实验室效率。

赛默飞ELEMENT GD Plus关键技术参数

参数类别 具体指标
质谱分析器 双聚焦(磁扇+静电扇)
分辨率 ≥10000(10%谷,m/z=56);低(R≈300)、中(R≈3000)、高模式切换
离子源模式 DC-GD(直流)/ RF-GD(射频)双模式
溅射速率 0.1-10 nm/s(连续可调)
典型检出限(固体) 多数元素≤1 ng/g;B/P≤10 ng/g;O/N≤50 ng/g
质量范围 2-250 u
样品要求 固体;直径≤50 mm,厚度≤10 mm;表面粗糙度≤1 μm,无油污/氧化层
数据系统 Qtegra™软件,支持自动调谐、定量分析、合规性报告
设备尺寸 1200 mm(宽)× 1500 mm(深)× 1800 mm(高)
设备重量 约800 kg

典型应用场景

  1. 高纯材料分析:半导体硅片、高纯Al/Cu/Ti中痕量杂质(Fe、Ni、B)检测,满足电子级材料纯度要求;
  2. 深度剖面分析:TiN涂层、半导体外延层的元素分布,金属表面腐蚀层(氧化层)深度解析;
  3. 陶瓷/玻璃检测:电子陶瓷(Al₂O₃、AlN)中痕量金属杂质,玻璃中过渡金属(Fe、Cr)组成分析;
  4. 物证鉴定:金属刀具、弹壳的元素指纹识别,辅助 forensic 案件调查。

该仪器凭借直接进样、高分辨率、低检出限等优势,成为实验室、科研机构及工业检测领域痕量元素分析的核心工具,可有效提升复杂固体样品的分析效率与准确性。

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