Thermo Scientific™ iCAP™ PRO XP ICP-OES参数

一、核心技术特点

作为电感耦合等离子体发射光谱（ICP-OES）领域的旗舰机型，iCAP PRO XP针对复杂基体痕量分析优化，核心优势如下：

• 高分辨分光系统：采用中阶梯光栅（132 grooves/mm）+ 棱镜交叉色散，波长覆盖167-800 nm，200 nm处分辨率≤0.008 nm，可有效分离Fe（202.04 nm）与As（202.06 nm）等易干扰谱线；
• 无溢出CID检测器：4096×512像素电荷注入检测器（CID），无电荷溢出问题，可稳定检测ng/L级痕量元素，寿命≥10年；
• 宽线性范围：8个数量级（0.1 ng/L至100 mg/L），无需稀释即可同时分析痕量（如Hg）与常量（如Ca）元素，减少操作误差；
• 高通量分析：全谱直读技术，单样品≤60种元素分析时间≤10秒，适配食品检测、环境监测等高通量场景；
• 耐复杂基体进样：可选耐HF同心雾化器+石英炬管，可直接分析含HF样品（如地质消解液、半导体清洗液）；蠕动泵进样RSD≤0.5%。

二、关键性能参数

三、典型行业应用

iCAP PRO XP覆盖实验室、科研、检测、工业多场景，典型应用包括：

• 环境监测：
  地表水/地下水痕量As、Hg、Pb检测（满足GB 3838-2002）；土壤消解液Cr、Ni、Cd分析（精度≤1% RSD，符合GB 15618-2018）；
• 食品检测：
  乳制品Cr、Hg、As限量检测（符合GB 5009.268-2016）；农产品农残代谢物痕量重金属分析；
• 制药行业：
  原料药（API）重金属杂质（Pb、Cd、Hg）限量检测（符合USP/EP药典）；药用辅料多元素纯度分析；
• 工业分析：
  不锈钢Cr、Ni、Mo成分测定（RSD≤0.1%）；半导体硅片表面Cu、Fe、Zn痕量杂质检测。

综上，iCAP PRO XP通过高分辨、宽线性与抗干扰设计，解决了复杂基体多元素分析的痛点，是实验室提升数据准确性与效率的可靠工具。