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近红外赋能半导体精准蚀刻|10秒钟快速分析混酸含量

来源:瑞士万通中国有限公司 更新时间:2025-11-12 17:30:24 阅读量:48
导读:近红外赋能半导体精准蚀刻|10秒钟快速分析混酸含量


在半导体芯片制造的精密蚀刻与清洗环节,磷酸、硫酸、硝酸、氢氟酸、乙酸等组成的混酸溶液是至关重要的工艺化学品,其浓度的微小偏差都可能导致晶圆刻蚀速率不均、线宽失控乃至产品报废。


传统方法的分析周期长达半小时以上,严重滞后于生产工艺,无法实现实时调控,已成为提升良率与效率的瓶颈。

近红外光谱技术则为这一核心质控环节带来了颠覆性的变革,助力半导体制造向智能化与精准化迈进。

技术简介


近红外光谱可以检测含氢基团(如,C-H、N-H、O-H、S-H)的倍频吸收与合频吸收,而混酸溶液中的各组分在近红外区域具有独特的光谱特征。


通过建立光谱数据与参考方法(如,温度滴定)所测得各酸含量值之间的化学计量学模型,即可实现未知样品中各酸含量的快速预测。

技术优势

快检技术 仅需10秒

将分析时间从 30+分钟 缩短至 10秒,消除了试剂消耗与废液处理问题,特别适用于高通量质检与生产线上实时监控。

仪器配置

硬件

OMNIS 奥秘一代近红外光谱仪(液体)

 软件

◆ OMNIS 单机版软件

◆ 定量模型开发软件

 附件

◆ 一次性样品瓶,8mm

◆ 样品瓶适配器,8mm

瑞士万通 OMNIS 奥秘一代近红外光谱仪凭借其更快速更简单更高效的技术亮点,在复杂混酸体系的定量分析中展现出强大实力。

它不仅是对传统分析方法的重要补充,更是工业4.0时代下,实现过程分析技术的理想工具,为提升生产工艺控制水平与产品质量提供了强有力的技术支撑。

更多详细信息,请点击下方“阅读原文”查阅。

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