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单通道石英晶体微天平中石英晶体压电的特性

来源:佰奥林(上海)贸易有限公司 更新时间:2022-11-22 15:36:38 阅读量:320

       单通道石英晶体微天平的发展始于上世纪60年代初期,它是一种非常灵敏的质量检测仪器,其测量精度可达纳克级,比灵敏度在微克级的电子微天平高1000 倍,理论上可以测到的质量变化相当于单分子层或原子层的几分之一。

       单通道石英晶体微天平利用了石英晶体的压电效应,将石英晶体电极表面质量变化转化为石英晶体振荡电路输出电信号的频率变化,进而通过计算机等其他辅助设备获得高精度的数据。

       单通道石英晶体微天平石英材料中的二氧化硅在正常状态下, 其电偶极是互相平衡的电中性.  二氧化硅是以二维空间的简化图形. 当我们在硅原子上方及氧原子下方分别给予正电场及负电场时, 空间系统为了维持电位平衡, 两个氧原子会相互排斥, 在氧原子下方形成一个感应正电场区域, 同时在硅原子上方产生感应负电场区域。

        相反的情况, 当我们在硅原子上方及氧原子下方分别给予负电场及正电场时, 两个氧原子会相互靠近, 氧原子下方产生感应负电场,硅原子上方产生感应正电场.  然而, 氧原子的水平位置变化时, 邻近的另一个氧原子会相对的产生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原来的空间位置。

        因此, 电场的力量与原子之间的力量会相互牵动, 电场的改变与水平方向的形变是形成交互作用状态. 这个交互作用会形成一个在石英材料耗能Z小的振动状态, 只要由电场持续提供能量, 石英材料就会与电场之间维持一个共振频率. 这个压电效应下氧原子的振幅与电场强度及电场对二氧化硅的向量角度有相对应的关系.在实际的应用上, 电场是由镀在石英芯片上的金属电极产生, 电场与二氧化硅的向量角度则是由石英晶棒的切割角度来决定。


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