阴极发光设备（SEM-CL）在光束敏感光电材料（杂化卤化物钙

       卤化物钙钛矿已成为下一代光电应用(如太阳能电池和发光二极管)的特殊候选者。钙钛矿薄膜在微观和纳米尺度上具有非均质性。对纳米尺度的理解是开发和改进这些新型材料的基础。CL允许在高空间分辨率下探测材料的特性。然而，这些软半导体对电子束损伤非常敏感，这主要阻碍了CL的使用。

      利用脉冲模式扫描电子显微镜阴极发光技术(PM SEM-CL)对杂化钙钛矿薄膜的研究是有用的。这些发现是由Attolight Allalin设置实现的。由于电子束的低剂量脉冲特性，通过获取CL高光谱图，可以在纳米尺度上对杂化钙钛矿薄膜的发射特性的非均质性进行成像。这些优化的参数还可以获得多晶薄膜的时间分辨CL，与光致发光类似物相比，显示出明显更短的载流子动力学，这表明电子束与样品的相互作用归因于光束损伤。

图：空间分辨CL图对降低光束电流显出更强大发射。CW（连续波）和 PM（脉冲模式）电子束采集

       这些发现代表了开启CL高光谱测绘和TRCL在更光束敏感的混合钙钛矿成分上的应用的有希望的一步。此外，我们预计低剂量下的CL将在解决其他有机和光束敏感半导体的复杂纳米尺度方面发挥重要作用。