详细介绍
反射高能电子衍射仪是MBE制程的一部分。在薄膜沉积过程中，RHEED给客户提供了重要的信息。
首先，RHEED图像表征样品表面的状态。
其次，其强度震荡可以提供生长速率的量化数据。
RHEED提供了清晰的焦点，以及衍射图样，并能够在屏幕上高亮度显示。
电子光学部件有磁性保护罩，便于提高操作性。
可选部件：RHEED图像分析硬件和软件系统，可以实时获取RHEED图样，使用户便于观察和控制薄膜生长质量。完整的RHEED系统包括 10KeV RHEED电子束源，电源及配套光缆。
技术参数：
束流电压 | 10KV |
灯丝电流 | 3A |
发射电流 | 5A |
光斑大小 | 1.0mm (17’’/1075px距离) |
最大烘烤温度 | 230 oC |
RHEED Electron Source
2.75"和4" 法兰
RHEED Power Supply
RHEED Image Analysis Software
高分辨CCD 或相机
实时分析
2D/3D分析
RHEED Optional Components
主要特点：
实时检测外延生长
测量薄膜生长速率
单晶薄膜的生中速率测量
光学部件带有磁性罩
技术文档
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仪企号
美国SVTA公司中国办事处
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