窗片/晶体/棱镜

览砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很

览砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很

览砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很

览砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很

览砷化镓(GaAs)的生产采用Czochralski或水平Bridgeman晶体生长技术。 由于它是含砷的，应注意处理和工作中的预防措施。砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好，硬度高，抗恶劣环境能力很

览布儒斯特窗口的入射角等于“布儒斯特角”，对于 10.6 毫米的 ZnSe，该角为 67.4 度。为了使入射光束呈方形，它们比宽度长约 2.5 倍。它们完全透射 P 平面中的线偏振光，并反射大约 50

览布儒斯特窗口的入射角等于“布儒斯特角”，对于 10.6 毫米的 ZnSe，该角为 67.4 度。为了使入射光束呈方形，它们比宽度长约 2.5 倍。它们完全透射 P 平面中的线偏振光，并反射大约 50

览激光反射镜:  熔融石英 ( 红外)  | pl- 凹面| Ø=25. 0(- 0. 1) mm | te=6. 35( ± 0. 10) mm | 楔角=30ʹ&nb

sI（碘化铯）是最为熟知的红外透射材料，能应用于最宽范围分光光度计的组分。 CsI一种非常软的材料，极难抛光，因此其性能受到限制。 通过它（Tl）掺杂，CsI（Tl）是一种有用的闪烁体，其发射波长与硅

规格（D×L）:25.4×1.0mm,方向:Random,应用范围:IR

透光率, 0.35 – 5.5µm,非线性系数, pm/V d31= 2.76; d32= 4.74; d33= 18.5,对称度 斜方晶系, mm2 point group,晶胞参数, Å a=13...

透光率, 0.16 – 3.5µm,非线性系数, pm/V d31 = 2.0; d31 = 0.12,对称度:正方晶系, 4mm point group,晶胞参数, Å a=12.818, b=6....

透光率, 0.189 - 2.6µm,非线性系数, pm/V d22=2.2, d15=0.16,对称度:三方晶系, 3m point group,晶胞参数, Å a=12.519, c=12.723

透光率, 0.16 – 2.6µm,非线性系数, pm/V d31 = 0.67; d32 = 0.85,对称度:斜方晶系, mm2 point group,晶胞参数,:a=8.447, b=7...

透光率,0.35 – 4.5 µm,非线性系数, pm/V d31 = 2.0; d32 = 3.6,对称度 斜方晶系, mm2 point group,晶胞参数, Å a=12.818, b=6.4...

MPb2X5族晶体(M=K, Rb = Cl, Br): RE是一种新型激光活性介质，其波长范围从紫外到中红外不等