详细介绍
结合了信号处理IC的光电二极管阵列
S11865/S11866系列是由硅光二极管阵列与信号处理IC芯片组合而成。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,x射线的耐受性得到了提高。信号处理IC芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路由多组阵列排成一行配置。对于x射线检测应用,也可以在光敏区贴上磷片。作为专用驱动电路,提供C9118系列(单独销售)。
产品特性
● 数据率:1 MHz max.
● 象元间距大:0.8mm间距×128通道
● 5V电源供电
● 用电荷放大阵列同步积分
● 移位寄存器串行读出
● 零偏置光电二极管,因此暗电流低
● 集成了钳位电路,使其噪声低,动态范围宽
● 集成了时序发生器,可在两种脉冲时序下工作
● 为X射线探测提供感光面粘贴了了磷片的类型(S11865-64G/-128G, S11866-64G-02/-128G-02)
详细参数
图像尺寸 | 102.4 x 0.8 mm |
有效像素数 | 128 pixels |
像素大小 | 0.7 x 0.8 mm |
像素间距 | 0.8 mm |
闪烁体类型 | None |
光谱响应范围 | 200 to 1000 nm |
峰值灵敏度波长 | 720 nm |
线率(最大值) | 7568 lines/s |
测量条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted |
光谱响应
外形尺寸(单位:mm)
产品优势
结合了信号处理IC的光电二极管阵列
S11865/S11866系列是由硅光二极管阵列与信号处理IC芯片组合而成。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,x射线的耐受性得到了提高。信号处理IC芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路由多组阵列排成一行配置。对于x射线检测应用,也可以在光敏区贴上磷片。作为专用驱动电路,提供C9118系列(单独销售)。
S11865/S11866系列是由硅光二极管阵列与信号处理IC芯片组合而成。与之前的产品(S8865/S8866系列)相比,x射线的耐受性得到了提高。信号处理IC芯片由CMOS工艺构成,包括定时发生器、移位寄存器、电荷放大器阵列、箝位电路和保持电路,使外部电路由多组阵列排成一行配置。对于x射线检测应用,也可以在光敏区贴上磷片。作为专用驱动电路,提供C9118系列(单独销售)。
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