详细介绍
低偏置电压，适用于800 nm波段
这是一款800nm近红外波段硅APD，可以工作在200V或更低的低偏置电压下。适用于FSO（Free Space Optics，自由空间光学）和光学测距仪等应用中。
产品特性
● 低偏置电压下稳定工作
● 高速响应
● 高灵敏度和低噪声
详细参数
| 类型 | Near infrared type (Low bias operation) |
| 感光面积 | φ0.5 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-18 |
| 峰值灵敏度波长（典型值） | 800 nm |
| 光谱响应范围 | 400 to 1000 nm |
| 灵敏度（典型值） | 0.5 A/W |
| 暗电流（最大值） | 1 nA |
| 截止频率（典型值） | 900 MHz |
| 结电容（典型值） | 2 pF |
| 击穿电压（典型值） | 150 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.65 V/℃ |
| 增益（典型值） | 100 |
| 测试条件 | Typ. Ta=25 ℃, unless otherwise noted, Photosensitivity: λ=800 nm, M=1 |
光谱响应
外形尺寸（单位：mm）
产品优势
Si 雪崩光电二极管在紫外以及近红外的低光检测中具有高速、高灵敏度的特点。
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