详细介绍
InGaAs APD可大大降低暗电流
该款InGaAs APD（雪崩光电二极管）通过使用新的器件结构和加工处理流程，和现有产品相比，大幅度降低了暗电流。 G14858-0020AA可以用于距离测量，微弱光检测等。
产品特性
● 低暗电流
● 低电容
● 高灵敏度
详细参数
| 象元数 | 1 |
| 感光面积 | φ0.2 mm |
| 封装 | Metal |
| 封装类型 | TO-18 |
| 光谱响应范围 | 950 to 1700 nm |
| 峰值波长（典型值） | 1550 nm |
| 灵敏度（典型值） | 0.8 A/W |
| 暗电流（最大值） | 50 nA |
| 截止频率（典型值） | 900 MHz |
| 结电容（典型值） | 2 pF |
| 击穿电压（典型值） | 65 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.1 V/℃ |
| 测试条件 | Ta=25℃, Photosensitivity: λ=1.55 μm, M=1 |
光谱响应
外形尺寸（单位：mm）
产品优势
InGaAs APD可大大降低暗电流
该款InGaAs APD（雪崩光电二极管）通过使用新的器件结构和加工处理流程，和现有产品相比，大幅度降低了暗电流。 G14858-0020AA可以用于距离测量，微弱光检测等。
产品特性
● 低暗电流
● 低电容
● 高灵敏度
该款InGaAs APD（雪崩光电二极管）通过使用新的器件结构和加工处理流程，和现有产品相比，大幅度降低了暗电流。 G14858-0020AA可以用于距离测量，微弱光检测等。
产品特性
● 低暗电流
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