合肥科晶/KeJing

品名称：进口GOI（Germanium?on?Insulator）产品简介：技术参数：Devicelayer：直径:6"类型：P型掺B晶向：+/10degreetoward厚度:50nm+/-3%电阻

品名称：石墨烯薄膜产品数据：产品尺寸：dia100mm生长方法：CVD法薄膜厚度：1-10单分子层厚度Ni层厚度：300nm氧化层厚度：500nmSi片厚度：500umResearchGrade,ab

品名称：ALN单晶（进口）技术参数：晶向：±1°尺寸：9.9x9.9x0.5±0.05mm吸收系数：Absorption coefficient< 80 cm-1Etch pit density(EP

品名称：InSb?P型掺Ge技术参数：生长方法：LEC晶向：±0.5°载流子浓度：(0.05-0.50)x10^17/ccMobility:>(4.0-8.4)x10^3cm2/VsEPD:

品名称：不同基底上的石墨烯材料基底种类：（1）在铜片上合成3.5英寸的石墨烯（单层）（2）在Ni或Cu等薄膜上合成4英寸的石墨烯薄膜（单层或少数层）；（3）转移到硅片、玻璃、石英、PET等基板上的石墨

品名称：?Ga2O3-??单晶技术参数：晶体结构：单斜晶体Monoclinic晶格常数：a=12.23A,b=3.04A,c=5.80A,?=103.7°晶向：+/-0.7°(Pleasepayatt

产品名称：氮化镓(GaN)薄膜产品简介：氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。在HVPE过程中，盐酸反应生成GaCl，而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延

品名称：Si片外延AlN膜产品简介：Si片外延AlN膜是通过HVPE方法生长，其实验衬底效果已日渐取代AlN单晶基片技术参数：AlN厚度：200nm±10%,单面镀膜正面：

品名称：金刚石薄膜(Diamond?on?Silicon?Wafer)技术参数：产品尺寸：dia4"x0.5mmSi面晶向：±0.5°薄膜厚度：?2um；1um电阻率：10E3~10E4ohm-cm标

品名称：AL2O3+ZnO晶体(进口料ZnO?epi?film?on?Sapphire)技术参数：晶向：薄膜厚度：500A(0.5micron)厚度公差：5%电阻率：10to10E3ohm-cm抛光：

品名称：Mg（镁）薄片常规尺寸：100x1000x0.1mm;可以按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室及100级超净袋锡箔纸真空包装

品名称：DOI（低阻金刚石薄膜Diamond?on?Oxide）产品参数：基底尺寸：dia4"x0.5mmSi晶向：±0.5°绝缘层：SiO2薄膜厚度：2um氧化层：1um电阻率：

品名称：A-Z系列金属多晶基片产品简介：科晶集团提供各种尺寸A-Z多晶基片，真诚欢迎您的垂询！具体信息：Al铝片Au金片Cu铜片Cr铬片Co钴片Er锇片Fe铁片Mo钼片Hf铪片Ni镍片Nb铌片Ti钛片

品名称：铱（Y)片产品参数：常规尺寸：10x10x1.0mm注：可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知：由于金属极易氧化，请于真空储藏。

品名称：锇（Er)片产品参数：常规尺寸：10x10x1.0mm标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知：由于金属极易氧化，请于真空储藏。

品名称：钒（V)片产品参数：常规尺寸：10x10x1.0mm标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装储存须知：由于金属极易氧化，请于真空储藏。