合肥科晶/KeJing

品名称：PEN塑料上镀ITO膜（Indium-Tin-Oxide(ITO)coatedplasticfilm）技术参数：塑料材料：PEN(DuPontTeijinTeonex)film镀膜方法：Mag

品名称：InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜（dia3”InP/InGaAs/InPEPIonInP)产品参数：薄膜生长方法：MOCVDdeposition基底参数：N型掺S,InP:S[100

品名称：Al2O3+Si薄膜(SOS)进口料(大尺寸Silicon-on-Sapphire)常规尺寸：dia100;单抛技术参数：Si晶向：Si掺杂类型：本征；不掺杂Si厚度：0.6um+/-0.06

品名称：Si上镀Cu薄膜（Cu?coated?Si?Wafer?）技术参数：薄膜厚度：400nmhighlyorientedpolycrystallineCuSi基底尺寸：dia4”x0.525mmS

品名称：?KH2PO4单晶产品简介：MonopotassiumPhosphatecrystalisnotedforitsnon-linearopticalproperties.Usedinoptica

品名称：硅酸镓镧LGS（La3Ga5SiO14)技术参数：晶体切向：xyl/48.5°/26.7（0°，138.5°，26.7°）or(0°，22°，90°）晶体直径：dia76.2mm,dia100

品名称：二维材料（MoS2、MoSe2、MoTe2、WS2、WSe2、WTe2)供应信息：一片2~2.5mm×2~2.5mm左右大小，厚度约为0.1mm.需要大的请致电说明。另外可以按照重量购买，每m

品名称：TiO2晶体（进口锐钛矿型）技术参数：常规晶向：、、、、.常规尺寸：5x5x0.5mm抛光：单抛标准包装：1000级超净室100级超净袋包装

品名称：GaSe(进口料)技术参数：摩尔质量（molarmass）148.69g/mol密度：5.03g/cm3熔点：960°C,1233K,1760°FBandgap：2.1eV(indirect)

品名称：DOI（金刚石薄膜Diamond?on?Oxide）技术参数：基底尺寸：dia4"x0.5mmSi晶向：±0.5°绝缘层：SiO2薄膜厚度：2um氧化层：1um电阻率：10E3~10E4ohm

-Z系列晶体列表A-F系列G-H系列L-N系列P-Z系列Al2O3GaTeLaAlO3PbWO4AlGaNLiTaO3PbF2AuGa2O3-?LiNbO3PbSAgGa：ZnOLiFPIN-PMN-

品名称：氮化铝(AlN)薄膜产品简介：AllNEpitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延（HVPE）的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法，用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚欢迎您的垂询！技

-Z金属箔片合肥科晶公司提供各种尺寸A-Z金属箔片，常规厚度0.1毫米，纯度>3N ，欢迎垂询。Ag银箔Al铝箔Au金箔Cu铜箔Co钴箔Cr铬箔Li锂箔In铟箔Ni镍箔Mo钼箔Pb铅箔Ti钛箔 Ta钽

品名称：钨（W）箔产品尺寸：常规尺寸：0.01-1mm，具体可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装

品名称：钼（Mo）箔产品尺寸：常规尺寸：0.01-1mm，具体可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装

品名称：铅(Pb)箔（进口料）产品尺寸：常规尺寸：2" W x 0.0063" Thick x 36 Yard length具体可按照客户要求加工尺寸标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装