接枝率测定原理-低场核磁技术

接枝率测定原理-低场核磁技术

纳米颗粒表面改性之接枝率测定原理

纳米级二氧化硅作为典型的纳米颗粒材料具有分散性好，比表面积大，亲水性、力学补强性、增稠性及防粘结性等特性，广泛应用于电子封装材料、高分子复合材料、塑料、涂料、橡胶、颜料、 陶瓷、胶黏剂、玻璃钢、药物载体、化妆品及kang菌材料、油墨等领域；

评价SiO2纳米材料表面改性的接枝率测定原理

二氧化硅纳米颗粒表面存在大量的不同状态的羟基不饱和残键，亲水疏油，易于团聚，必须要对其进行功能化改性，以提高性能及应用范围。

二氧化硅表面改性的目的主要有以下3个方面：

一是改善或提高二氧化硅纳米颗粒在介质中的分散性及相容性。因为表面修饰后的纳米颗粒可以减弱表面活性羟基的带电效应和表面的亲水性，所以可以有效防止颗粒团聚；

二是通过表面修饰，在二氧化硅表面接枝活性基团，提高或者控制其表面活性，从而为纳米粒子的进一步接枝或者功能化提供了可能性；

三是拓宽二氧化硅纳米颗粒的应用范围，表面修饰后的纳米颗粒可以产生新的功能，如药物运输和释放，刺激响应性等。

低场核磁技术接枝率测定原理：

LU等科学家采用多洛伦兹分裂算法将游离PEG的NMR信号与接枝的NMR信号区分开，从而可以使用1H-NMR对接枝过程进行原位监测。低场核磁技术接枝率测定方法的优点是不受接枝基团末端官能团类型、表面化学性质、纳米粒子或组成的限制，它还为相关科学研究提供表征纳米颗粒上基团接枝密度的关键和标准指南。

针对固体颗粒样品，也可以使用固体核磁技术通过化学位移氢谱对接枝率进行定量表征，不过大家都知道固体核磁相对成本较高，对使用者要求较高。

低场核磁技术接枝率测定方法的优势：

低场核磁技术因为其设备成本较低，使用简单，适用于宏观样品等特性，非常适用于快速测定颗粒表面接枝率测定。它通过MSE系列序列实现死时间内的1H核磁信号采集，zui大程度的采集到了接枝在颗粒表面的基团中H原子核的信号，利用外标法进行定量分析。

低场核磁