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等离子化学气相沉积系统——介绍视频
发布：河南诺巴迪材料科技有限公司浏览次数：233【导读】该产品是由固态等离子源、气体质子流量控制系统、衬底控温系统、真空系统组成，采用集中总线控制技术的操作软件。适用于室温至1200℃条件下进行SiO2、SiNx薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态气态源沉积其它材料，尤其适合于有机材料上高效保护层膜和特定温度下无损伤钝化膜的沉积。等离子体化学气相沉积该产品具有固态等离子源、分开式反应气体进气系统，动态衬底温控，各方面控制真空系统，适用于室温至1200℃条件下进行的SiO2、SiNx,、等离子体化学气相沉积、 SiONx a-Si薄膜的沉积，同时可实现TEOS源沉积，SiC膜层沉积以及液态或气态源沉积其它材料。
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