宽禁带半导体及静态测试方案

第三代半导体（本文以 SiC 和 GaN 为主）又称宽禁带半导体，禁带宽度在 2.2eV 以上，具有高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点，逐步受到重视。SiC 与 GaN 相比较，前者相对 GaN 发展更早一些，技术成熟度也更高一些；两者有一个很大的区别是热导率x，这使得在高功率应用中，SiC 占据统治地位；同时由于 GaN具有更高的电子迁移率，因而能够比 SiC 或 Si 具有更高的开关速度，在高频率应用领域，GaN 具备优势。

静态测试

静态：也叫稳态或者DC状态，施加激励（电压/电流）到稳定状态后再进行测试，常作为器件的“体检”！是特性测试中的基本测试；

特点：测试稳定，精度高，测试慢；

静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又叫稳态或者DC（直流）状态测试，施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括：栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容)，以及以上参数的相关特性曲线的测试。

测试设备：

源和测量单元一体，也就是SMU设备；

静态测试

静态：也叫稳态或者DC状态，施加激励（电压/电流）到稳定状态后再进行测试，常作为器件的“体检”！是特性测试中的基本测试；

特点：测试稳定，精度高，测试慢；

静态参数主要是指本身固有的，与其工作条件无关的相关参数。静态参数测试又叫稳态或者DC（直流）状态测试，施加激励(电压/电流)到稳定状态后再进行的测试。主要包括：栅极开启电压、栅极击穿电压、源极漏级间耐压、源极漏级间漏电流、寄生电容(输入电容、转移电容、输出电容)，以及以上参数的相关特性曲线的测试。