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SiC外延片测试方案
SiC由于其禁带宽度大、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电压高和介电常数低等特点，在高频、高功率、耐高温的半导体功率器件和紫外探测器等领域有着广泛的应用前景，特别是在电动汽车、电源、航天等领域备受欢迎。
外延材料是实现器件制造的关键，主要技术指标有外延层厚度、晶格布局，材料结构，形貌以及物理性质，表面粗糙度和掺杂浓度等。下面阐述SiC外延表面常见的测试手段，详细文章在附件中，请下载。
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沪公网安备 31011502008050号
