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VGF法生长GaAs

销售范围售全国

入驻年限第9年

营业执照

详细介绍

产品名称：	VGF生长法GaAs（进口料GaAssinglecrystalwafer,PRIMEGrade）
常规尺寸：	dia2"x0.5mm;单抛
技术参数：	生长方法：VGF法GaAs晶向：<100>2degreeOFFToward<101>±0.5deg产品尺寸：dia2"x0.5mm掺杂类型：N型掺Te载流子浓度：(0.15-2.6)E18/cm^3迁移率:2700~3600cm^2/V.S电阻率：9E-4~1.1E-2ohm-cmEPD：<8000/cm^2
标准包装：	1000级超净室100级超净袋真空包装或者单片盒