请问场发射扫描电子显微镜与普通扫描电镜相比有哪些区别

二次电子像分辨率 0.8 nm（加速电压 15 kV），1.0 nm（加速电压 1 kV ）

分析时 3.0 nm (加速电压 15 kV, WD 8 mm, 探针电流 5 nA ) 

倍率 Direct magnification:  x25 to 1,000,000（120 x 90 mm）

Display magnification:  x75 to 3,000,000（1,280 x 960 pixels） 

加速电压 0.1 ～ 30 kV 

探针电流 数 pA ～ 200 nA 

电子枪 浸没式肖特基场发射电子枪 

透镜系统 聚光镜（CL）、  最 佳光阑角控制镜（ACL）、  半浸没式物镜（OL） 

样品台 全对中测角样品台、5轴马达驱动 

电子检测器系列 高位检测器、　r‐过滤器　内置、  低位检测器 

自动功能 自动聚焦、自动消象散、自动亮度/衬度调节 

图像观察用

液晶显示器 屏幕尺寸 23英寸宽屏

 分辨率　1,920 × 1,080像素 

抽真空系统 电子枪室／中间室　SIP 离子泵

样品室　TMP 分子泵 

蔡司场发射扫描电子显微镜主要优势有：灵活的探测，4步工作流程，的分析性能

将的分析性能与场发射扫描技术相结合，利用成熟的 Gemini 电子光学元件。多种探测器可选：用于颗粒、表面或者纳米结构成像。Sigma 半自动的4步工作流程节省大量的时间：设置成像与分析步骤，提效率。

Sigma 300 性价比高。Sigma 500 装配有的背散射几何探测器，可快速方便地实现基础分析。任何时间，任何样品均可获得可重复的分析结果。

蔡司场发射扫描电子显微镜是基于成熟的 Gemini 技术

Gemini 镜头的设计结合考虑了电场与磁场对光学性能的影响，并将场对样品的影响降至更低。这使得即使对磁性样品成像也能获得出色的效果。

Gemini in-lens 的探测确保了信号探测的效率，通过二次检测(SE)和背散射(BSE)元件同时减少成像时间。

Gemini 电子束加速器技术确保了小的探测器尺寸和高的信噪比。

本文有蔡司显微镜厂家小编Pancy整理，更多关于蔡司场发射扫描电子显微镜相关的咨询

       简介： 

       电子束曝光技术（Electron Beam Lithography）指使用电子束在表面上制造图样的工艺，是光刻技术的延伸应用。 光刻技术的精度受到光子在波长尺度上的散射影响。使用的光波长越短，光刻能够达到的精度越高。根据德布罗意的物质波理论， 电子是一种波长极短的波。这样，电子束曝光的精度可以达到纳米量级，从而为制作纳米线提供了很有用的工具。电子束曝光技术在半导体工业中被广泛使用于研究下一代超大规模集成电路。

图形发生器及PC机（中科院电工所 DY-2000A）

       电子束曝光的设备实现电子束曝光技术有专门的仪器—电子束曝光机。也可以利用扫描电子显微镜作为平台，配置图形发生器软/ 硬件和工作站，按照提前设计好的图形，通过控制扫描电子显微镜的扫描线圈，使电子束按照一定顺序在光刻胶上完成曝光动作。

       日本电子（JEOL）JSM系列热场发射扫描电镜在EBL技术应用中的优势： 

       1.浸没式肖特基场发射电子枪，寿命长，Z大束流可达500nA。 

       2.束流稳定度高。 

       3.ACL（Z优角孔径控制镜），可在大束流下已经保持小电子束斑直径。 这三者结合，在保证刻蚀精度和刻蚀尺度的情况下，实现了GX率。

一、电子源：

       也称电子枪，产生连续不断的稳定的电子流。普通扫描电镜的电子枪由阴极（灯丝）、栅极和阳极组成。阴极采用能加热的钨丝，栅极围在阴极周围。被加热了的钨丝释放出电子，并在阳极和阴极之间施加高压，形成加速电场，从而使电子得到能量——高速飞向（在高真空镜筒中）样品。而场发射电子枪与普通钨丝电子枪有所不同，阴极呈杆状，在它的一端有个极锋利的尖点（直径小于100nm）,尖 端的电场极强，电子直接依靠“隧道”穿过势垒离开阴极，由加速电压加速产生高速电子流飞向样品。一般来说，扫描电镜加速电压通常为1——30kV。

二、电子透镜：

       将从电子枪发射出来的电子会聚成直径最小为1——5nm电子束。

三、扫描系统：

       使电子束作光栅扫描运动。