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- 祖遵颖 2017-09-25 00:00:00
- 首先，有几个问题需要明确：1、ZnS禁带宽度3.66eV，对应特征吸收为340nm，CdSe的禁带宽度仅0.52eV，对应特征吸收2000nm，包覆上后有红移相当正常。2、荧光Z大吸收峰的原理是固定发射峰的波长，检测那个波长激发其发射峰的强度Z大。假设你的荧光Z大吸收峰是ZnS表面缺陷态引起的，而CdSe包覆又没有改变ZnS的表面缺陷态，就有可能不变。需要知道你测试的峰位才能判断。
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