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导热相变化材料,求一种可由片状相变为液态的导热材料?

821210577 2016-11-21 19:01:50 479  浏览
  • 导热相变化材料,求一种可由片状相变为液态的导热材料?有哪位大神知道,望提供相关信息,谢谢!

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  • duanyu159 2016-11-22 00:00:00
    楼主您好,GLPOLY您身边的热管理专家为您详细解答: 一、相变(淘宝中又叫固态硅脂) 1、名称:(专业名准确的应叫:相变 即PCM - Phase Change Material) 这个产品在淘宝上没有统一的名称,很多 也搞不清楚到底应该叫它什么好。它的作用跟普通的膏状硅脂一样,但它的形态又不同,在常温下?烫?模??杂殖破湮?烫?柚??br />然而,它的准确称呼应是:相变(PCM - Phase Change Material) 相变由来:它能随温度变化而改变形态,在常温下?烫??蔽露却笥?0度时,它会变成液态。 从这点可以看出,确实应该称它为相变,更加准确贴切。 它在常温下?烫??谖露雀哂谀成瓒ㄖ担ㄒ话闶?0度左右)时,会变成液态。这时候如果对其有一定的压力,它就会在压力的作用下流动,自动填充接触面的细微间隙,排出接触面的细微间隙产生的空气,并代替之,以产生良好的导热 相变导热材料通常被制作成厚度很小的片状产品,相变材料的两面都贴有保护膜保护,在使用的时候需要去除。 相变材料使用方便,像使用双面胶一样,贴上即可,免去膏状硅脂涂抹的烦恼。 导热相变材料跟膏状导热硅脂的作用是相同的,两者可相互替代。 都是用在看似接触紧密,实际由于接触面不是理想中的平齐而产生很多微小空气缝隙的热传递界面上填充这些微小的纹隙沟壑,以达到加强导热的目的。 固态硅脂(相变)有没有1mm厚的或1.5mm厚的,想用在显卡那里导热,显卡与 2、用了固态硅脂(相变)还用涂导热膏吗? 3、相变有0.2mm厚,铜片1mm厚,两片相变+一片铜片 就有1.4mm厚了,是不是可以用在1.4mm的间隙填充? 针对这三个问题,特做以下说明: 1、固态硅脂(相变)Z厚的一般不超过0.25mm,为什么这么薄,是因为它是用在没有什么接触间隙的热界面填充微小的纹隙沟壑而不能用在有比较大的间隙的热界面。 把固态硅脂(相变)当作膏状硅脂来用 ,不能用在有明显间隙的热界面导热。 2、用了固态硅脂(相变)后,不用再涂导热膏,因为 固态硅脂(相变)和导热膏的作用相同,只是形态不同,它们可相互替代使用,不需要重复使用! 3、相变在受热受压的情况下,会变软流动,如果铜片的厚度刚好是间隙的大小,那么芯片处的相变会基本上被挤出来,只有接触面的细小纹隙中会留有相变材料导热,其它接触好的地方是芯片和金属片之间直接导热,而不是全部都经过一层相变来传递热量,这样一来热量的传更直接更快。所以我们 在选择铜片的厚度时,不需要计算相变的厚度 a、相变导热材料主要用于接触面没有明显间隙的地方,比如大多数机器的 和散热器之间,以及设计合理没有明显间隙的部分 b、用于制作 相变+铜片 组合的复合导热垫,用在很多笔记本的显卡GPU跟散热器之间导热,来替代原来的软导热垫 主要用于台式机显卡GPU导热,也可用于 其它类似的热传递界面的导热应用 GLPOLY是国内实力lingxian的导热相变化材料研制商, 导热相变化材料XK-C系列,导热系数从0.5~3.5w/mk,可wan美替代霍尼韦尔、莱尔德、贝格斯导热相变化材料。

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研究表明,在GXCIGS电池的吸收层表面通常存在一层贫铜组分的有序缺陷化合物(2VCu+InCu,OVC),OVC相可以极大提高CIGS/CdS异质结质量,从而提升CIGS器件效率。在液相法制备薄膜中,由于无法实现元素在制备过程中的实时调控,很难实现CIGS表面OVC的可控形成。近期,河南大学武四新教授课题组通过分析OVC相的形成机理,设计了一种在吸收层表面沉积贫铜CIGS化合物的方式,利用在硒化成膜过程中Cu元素的扩散,实现CIGS表面OVC的制备。通过控制硒化温度以及顶层和体相前驱体薄膜的Cu/(In+Ga)化学计量,可以实现Cu(In,Ga)Se2表面OVC相的可控制备(图1)。

    

图1. OVC相制备过程示意图

图2. CIGS器件的能带结构示意图

通过测试分析,武四新教授课题组发现表面OVC相提升CIGS电池效率的原因主要来源于以下几点:

(1)OVC相使CIGS表面的价带能级位置向下移动,形成空穴往缓冲层传输的势垒,YZ载流子在CIGS/CdS的复合。

(2)OVC相的形成可以有效降低界面的缺陷浓度。

(3)OVC相可以促进载流子的分离和收集。

通过优化OVC相含量,制备出了16.39%效率的CIGS太阳能电池,本研究工作对进一步提升液相法CIGS太阳能电池的效率提供了新的研究思路和技术手段。

图3  7种OVC结构的拉曼光谱、J-V曲线和FF数

图4 有/无OVC结构CIGS器件的Cu元素TOF-SIMS剖面、EQE曲线、USP光谱

图5 有/无OVC结构CIGS器件在不同温度下暗态J-V曲线

文章信息

这一成果以“Controllable Formation of Ordered Vacancy Compound for High Efficiency Solution Processed Cu(In,Ga)Se2 Solar Cells”为题发表在Advanced functional materials上。河南大学赵云海为论文DY作者,武四新教授和袁胜杰博士为论文通讯作者

文章链接https://dx.doi.org/10.1021/acs.analchem.0c04399

本研究采用的是北京卓立汉光仪器有限公司SolarIV系列 太阳能电池伏安特性测量系统,如需了解该产品,欢迎咨询我司。

河南大学武四新教授课题组简介

河南大学武四新教授课题组名称:光电功能材料以及太阳能薄膜电池。

课题组主要从事光电功能的设计、制备及光伏性能的研究,希望能改善薄膜太阳能电池的转换效率。课题组期望通过对铜基薄膜太阳能电池各部分组件先进工艺和关键技术的探索和突破(薄膜微结构设计、缺陷态调控、表/界面钝化、能带结构优化以及微观动力学研究等方面),ZZ开发出具有高结晶质量吸收层体相材料和优良电学性能接触界面的GXCZTSSe以及CIGS光伏器件并丰富其应用领域。

截止目前,本课题组已承担了各类项目10余项,其中,包括,国家自然科学基金、教育部新世纪优秀人才支持计划、教育部科学技术ZD项目、人事部归国留学人员 择优支持计划项目、河南省科技厅基础与前沿ZD项目、河南省高校知识创新工程支持计划等,在国内外著名学术期刊Energy Environ. Sci.,Adv. Funct. Mater.,Chem. Mater.以及J. Mater. Chem. A等发表学术论文50余篇。

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