一文掌握气管插管！

//什么是气管插管？为什么要进行气管插管？

气管插管（以下简称插管）是指将一特制的气管内导管经声门置入气管，进而打开病患呼吸道，为气道通畅、通气供氧、呼吸道吸引和防止误吸等提供ZJ条件。插管是实施危重病患抢救过程中的一项重要技术，也是实施吸入麻醉的基础操作。

气管插管的主要作用：

◆ 保持气道通畅：防止口腔分泌物和胃内容物被误吸。

◆ 通气供氧：良好的氧气供应和辅助通气有助于机体的组织氧供，可以有效预防并发症出现，并在术中出现紧急情况时及时进行急救。

◆ 控制麻醉深度：相比于注射麻醉和面罩吸入麻醉，经气管插管可以有效地控制通气从而控制麻醉深度；同时插管可以防止麻醉气体向周围环境的逸散，保护手术人员不会较多地吸入麻醉药。减少麻醉气体的浪费，更经济。

//最常用的犬猫气管导管-Murphy型

①接头-连接麻醉机供气系统；②导管；③套囊-密闭气道、避免误吸、固定导管、保护气管（保持导管位于气道ZY，避免JD损伤气道）；④测试球囊-给套囊充气，可判断充气是否合适；⑤充气连接管；⑥Murphy孔-可以防止导管JD意外贴于气管壁时发生通气堵塞；⑦JD。导管外壁标识，ID为导管内径（mm）；OD示值为导管外径（mm）；刻度（cm）10、12、14、16、18…表示导管JD到刻度的距离，提示导管插入深度。

//如何选择合适的气管插管？

◆ 根据动物的体重选择对应规格的气管导管：

▲Tip：体重非常小的动物，管径选择1.5, 2.0, 2.5mmID；特定品种不适用，短头品种一般气管较细，需要的型号较小；长吻犬的气管较粗，需要的型号大。所以临床应用还要结合体型、品种等因素综合评估。

◆ 对比动物的鼻中隔：将气管导管JD抵于动物鼻中隔处，选择外径和鼻中隔宽度相当气管导管，同时另取前后两个ID（一大一小）的气管导管备用。

▲Tip：兽医还是要在具体操作的过程中根据实际情况做调整。

//气管插管前需要做哪些准备？

◆ 润滑剂或局麻剂：利多卡因凝胶

◆ 3种型号的气管插管

◆ 纱布若干

◆ 无针头注射器&套囊压力计

◆ 喉镜，确认光源没问题

//如何进行气管插管？

划ZD：气管插管操作

◆ 选择合适的气管导管（见前文）

◆ 检查气管插管套囊有无漏气：用注射器针管通过测试球囊向套囊注射空气使套囊充盈，按压套囊，套囊漏气则废弃，不漏气的可准备实施气管插管。

◆ 修剪插管为合适长度：比对犬齿到肩胛骨中前缘（第2-3肋骨处）的距离，拔掉接口，修剪插管为合适长度，重新连接接口即可。

◆ 导管壁涂利多卡因凝胶(必要时可将利多卡因气雾剂喷于喉头)，以减少喉痉挛

◆ 保持下颌与颈成一条直线，开口，拽出舌头

◆ 配合喉镜，将插管经声门裂插入气管

◆ 套囊适度充气，用套囊压力计量取压力在20 cmH2O；如无套囊压力计，则使用注射器充盈到合适压力，如下图：

◆ 确认插管正确插入：①导管插入气管内 ②导管插入深度合适 ③气道密闭

1. 直视法：看到插管位于气管内；

2. 呼吸袋、气道压力表、呼吸活瓣伴随动物呼吸或人为按压胸廓有同步变化

3. 透明管上可以看到呼出的雾气；

4. 触诊颈部只能摸到一个刚性管状结构；

5. 正压通气时可听诊肺音，可看到胸壁膨胀；

6. 通过呼气末CO2数值及波形图进行判断

◆ 固定插管，连接麻醉机

//拔气管插管的时机

以上是气管插管基本的介绍，get 更多常用气管插管产品信息，欢迎识别下方二维码咨询。

考虑到mRNA转录的高度动态特性以及样品处理和下游处理步骤中引入的潜在变量，RT-qPCR工作流程的每个步骤的标准化方法对于可靠和可重现的结果至关重要。MIQE为这种方法提供了一份包含85个参数的清单，以确保质量结果符合任何期刊的接受标准。接下来，小编将为大家详细介绍如何应用MIQE指南来建立一个可靠的RT-qPCR实验流程。

1、实验设计

正确的实验设计是任何基因表达研究的关键。由于mRNA转录对与研究过程无关的外部刺激敏感，因此严格控制和设计实验条件的工作是十分重要的。其中包括了确定实验程序、对照组、重复组的类型和数量、实验条件以及各组内的样品处理方法等，这些对于最小化变异性至关重要（表1）。

2、RNA提取及质控

样品需-80℃冷冻或使用RNA储存溶液进行储存。RNA提取程序应包括DNA酶处理步骤，以去除任何的基因组DNA污染。

确保仅使用高纯度（无污染物）和高完整性（未降解）的RNA是RT-qPCR实验工作流程中最关键的一点。RNA样本中的杂质可能导致RT和PCR的YZ，从而导致不同和不正确的定量结果。由于样品纯度和完整性不相关，因此应评估两者确定RNA样本符合下游工作流程的ZD验收标准。

3、逆转录

考虑到RNA酶在环境中的普遍存在，建议在质量控制评估后立即将总RNA样本反转录成cDNA。这将避免RNA样品在转化为cDNA之前多次冷冻/解冻而降解的风险。对于RT步骤，关键是确保提取的RNA样本中转录基因组的一致性和完整性。建议使用相同数量的总RNA，并保持所有实验样本的反转录反应时间，以最小化生物复制之间的变异性。

4、引物和扩增子设计

引物设计和靶序列的选择是保证扩增产物特异性和GX性的关键。目前有许多软件或在线网站可设计引物对和确定扩增子，比如DNAMAN、Primer Premier、Oligo、Beacon Designer、Primer-Blast、BathPrimer、Primer3 Plus等等。

5、qPCR验证

qPCR验证是使用一组标准样品对引物退火温度、反应效率和特异性的适度范围进行评估的方法。具体步骤如下：

1)根据仪器类型，选择合适的耗材和qPCR试剂；

2)配置不同的PCR反应体系，凝胶电泳检测引物适宜浓度以及特异性；

3)设置温度梯度测试引物适宜退火温度；

4)实验设置NTC、NRC、POS和NEG等对照组，来监控实验体系或污染；

5)标准曲线的建立(评价PCR效率)。

6、内参基因的选择

在RT-qPCR实验中，内参基因可以用于校正上样量、上样过程中存在的实验误差，保证实验结果的准确性。一个好的内参基因应在不同时空样本或不同处理样本中具有相对稳定的表达水平，常见的有ATCB、GAPDH、β-actin、18S rRNA等。

7、实验重复性

基因表达实验中有两种可能影响结果的变异来源：

1)由于个体有机体、组织或细胞样品之间基因表达水平的固有差异引起的生物变异性；

2)实验过程本身的技术变异性，通常与移液器误差、操作误差或样品质量和数量有关。为了减轻生物和技术变异性的影响，一般认为至少三次生物学重复和技术重复。

看完整个RT-qPCR实验流程，您是不是拨开RT-qPCR神秘的面纱了呢，现在快快来申请Azure Cielo™ 实时荧光定量PCR系统，来感受Azure Cielo™带给您的真实可靠的RT-qPCR数据。

Azure Cielo™实时荧光定量PCR系统

Azure Cielo™ 实时荧光定量PCR系统来自美国Azure Biosystems公司，可为您提供3/6检测通道，根据实验需求灵活配置。这款产品采用了高能LED作为光源系统，可保证光源强度高，光源一致性好；高品质的帕尔贴温度模块作为温控系统，升降温速率快，可设置12列跨度30°C的温度梯度；CMOS拍照+光纤信号传输作为检测系统，CMOS检测灵敏度高，光纤传输速度快，无光损失和噪音干扰，无需ROX校准。Azure Cielo™实时荧光定量PCR系统可为您的科学研究提供高灵敏度和高可靠性的实验结果。

主要功能：

主要用于半导体应用，及各种需要进行微纳工艺溅射镀膜的情形。可以用于金属材料（金、银、铜、镍、铬等）的直流溅射、直流共溅射，绝缘材料（如陶瓷等）的射频溅射，以及反应溅射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及对温度敏感的有机柔性基片等。

工作原理：

通过分子泵和机械泵组成的两级真空泵对不锈钢腔体抽真空，当广域真空计显示的读数达到10-6Torr量级或更高的真空时，主系统的控制软件通过控制质量流量计精确控制Ar气体(如需要溅射氧化物薄膜，可增加O2)，此时可以设定工艺所要求的真空（一般在0.1-10Pa范围）。这时可以根据溅射的需要开启RF或DC电源，并通过软件选择所要溅射的靶枪，产生的Ar等离子轰击相应的靶枪(如果增加O2，氧原子则会与溅射出来的原子产生反应，实现反应溅射)。并在样品台上方的基片上沉积出相应的薄膜，薄膜的膜厚可以通过膜厚监控仪自动控制。工艺状况可通过腔门上的观察视窗实时观看。自动遮板则可以遮挡每一次除了被选中的靶枪外的其它靶枪，防止被污染。

设备优势：

考虑实验应用要求工艺数据的可靠性，NANO-MASTER的磁控溅射设备在镀膜均匀性、重复性和设备稳定性等方面均有优势。

1、镀膜均匀性：在关键的镀膜均匀性方面，对于6”硅片的金属材料镀膜，NM设备可以达到优于3%的镀膜均匀度。

2、设备制造工艺：在配备相似等级的分子泵及机械泵的情况下，NM设备普遍具有更快的抽真空速率，可在20-25分钟左右就达到高真空工艺。腔体真空的稳定度影响镀膜的性能。

3、工艺的可重复性：NM设备在工艺控制方面，有更高的自动化能力，通过PC控制，减少人工干预造成的工艺偏差。相比需要人工配合的设备，导致不同人采用同样的工艺做出来的效果却不同，甚至同一个人在不同时间运行相同的工艺做出来的效果也不同。

4、设备的紧凑性：在满足相同性能情况下，由于加工精密度方面的优势，NM设备具有更紧凑的设计，占地面积较小，节约实验室宝贵的空间。

5、设备的稳定性：NM设备的维护率较低，可以保证设备较长时间的稳定运行，保证科研进度。

矿产资源是指在地下或地表的可以被开发利用的具有经济价值的矿物资源。矿石中有用成分(元素或矿物)的单位含量称为矿石品位。矿石品位常用来衡量矿石的价值。从经过矿山中采下来含有某种有价值的矿物质的石块，矿石经过破碎、粉磨等逐级加工后，被应用在金属矿山、冶金工业、化学工业、建筑工业、铁(公)路施工单位、水泥工业及砂石行业等工程领域中。矿产资源按性质和用途分为以下几类：

一、金属矿石

从中可以提取金属原料的有用矿物资源，按照其工业用途又可以分为：

黑色金属矿产：如铁、锰、铬、钒、钛、镍、钴、钨、钼等;

有色金属矿产：如铜、铅、锌、锡、铋、锑、汞、铝、镁等;

贵金属矿产：如金、银、铂、钯、锇、铱、钌、铑等;

稀有金属矿产：如铌、钽、铍、锂、锆、铯、铷、锶等;

稀土金属矿产(ΣREE)：包括原子序数57-71以及39(钇)的16个元素，根据其地球化学性质和共生关系，分为如下两类：

轻稀土金属矿产(铈族元素ΣCe)：如镧、铈、镨、钕、钷(人造元素)、钐、铕等;

重稀土金属矿产(钇族元素ΣY)：如钇、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱、镥等;

分散元素矿产：如锗、镓、铟、镉、铪、铼、钪、硒、碲等。

二、非金属矿石

从中可以取得非金属元素或直接利用的矿物或矿物集合体。工业上除少数非金属矿产是用来提取非金属元素，如硫、磷之外，大多数非金属矿产是利用矿物或矿物集合体的某些物理、化学性质和工艺特性。例如金刚石大多是利用它的硬度和光泽;云母是利用其透明度和绝缘性;水晶是利用它的光学和压电性能等等。按照其工业用途可以分为：

冶金辅助原料：如萤石、菱镁矿、耐火粘土、白云石和石灰岩等;

化学工业原料：如磷灰石、磷块岩、黄铁矿、钾盐、岩盐、明矾石、石灰岩等;

工业制造原料：如石墨、金刚石、云母、石棉、重晶石、刚玉等;

压电及光学原料：如压电石英、光学石英、冰洲石和萤石等;

陶瓷及玻璃工业原料：如长石、石英砂、高岭土和粘土等;

建筑材料及水泥材料：如砂石、砾石、浮石、白垩、石膏、花岗岩、珍珠岩、松脂岩、大理岩等。

 三、宝玉石材料

如金刚石、红宝石、蓝宝石、翡翠、硬玉、水晶、蛇纹石、叶蜡石、绿松石、玛瑙等。

 四、可燃性有机岩矿产 

指能够为工业和民用提供有机能源的地下资源，它们既是最主要的燃料，也是重要的化工原料。从化学成分的角度看它们主要由碳氢化合物组成，应该属于非金属矿产，但其形成条件和用途都与上述非金属矿产明显不同，因此可以单独列为一大类。按照它们的物理状态又可以分为三类：

固体可燃性有机岩矿产：如煤、泥炭、石煤、油页岩、地蜡、地沥青等;

气体可燃性有机岩矿产：如天然气等;

液体可燃性有机岩矿产：如石油等。

ICP刻蚀技术

电感耦合等离子体刻蚀（ICP，Inductively Couple Plasma）刻蚀工作原理是：用高频火花引燃时，部分Ar工作气体被电离，产生的电子和氩离子在高频电磁场中被加速，它们与中性原子碰撞，使更多的工作气体电离，形成等离子体气体。导电的等离子体气体在磁场作用下感生出的强大的感生电流产生大量的热能又将等离子体加热，使其温度达到1×10^4K，形成ICP放电。

电感耦合等离子体刻蚀是物理过程和化学过程共同作用的结果，在真空低气压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例混合的气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极RF射频作用下，这些等离子对基片表面进行轰击，基片材料的化学键被打断，与刻蚀气体反应生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，从真空管路被抽走。

ICP刻蚀的优势：ICP刻蚀技术具有刻蚀速率快、选择比高、各向异性高、刻蚀损伤小、大面积均匀性好、刻蚀断面轮廓可控性高和刻蚀表面平整光滑等优点；ICP刻蚀设备结构简单、外形小、操作简便、便于自动控制、适合大面积基片刻蚀。近年来，ICP刻蚀技术被广泛应用在硅、二氧化硅、III-V族化合物、金属等材料的刻蚀上

ICP刻蚀相比RIE刻蚀的优势

ICP刻蚀设备的一般构造

电感耦合等离子体（ICP）刻蚀机包括两套通过自动匹配网络控制的13.56MHz 射频电源，一套连接缠绕在腔室外的螺线圈，使线圈产生感应耦合的电场， 在电场作用下， 刻蚀气体辉光放电产生高密度等离子体。功率的大小直接影响等离子体的电离率， 从而影响等离子体的密度。第二套射频电源连接在腔室内下方的电极上，主要为等离子提供能量。这样两套RF电源的配置，使得在低离子能量条件下，可以增加离子密度，从而提高刻蚀速率的同时，保证对晶片的损伤降到最低。

刻蚀的基本要求

（1）负载效应

刻蚀中还存在负载效应，即发生刻蚀速率变慢的情况。分为宏观负载效应和微观负载效应。刻蚀面积很大时，因为气体传输受限和刻蚀气体耗尽，刻蚀速率会较慢，这称为宏观负载效应。在微细图形的局部区域内， 被刻蚀材料的密度过高造成刻蚀气体耗尽的情况称为微观负载效应。

（2）图形保真度

设横向刻蚀速率为V1，纵向刻蚀速率为V2，通常用A 表示刻蚀的各向异性刻蚀的程度，定义如下：

A=1，表示图形转移中没有失真， 刻蚀具有很好的各向异性。A=0，图形失真情况严重，刻蚀为各向同性。

（3）均匀性

在材料制备时， 薄膜厚度一般有一定的不均匀性， 而刻蚀时同一衬底片的不同位置的刻蚀速率也不同。这些都会造成图形转移的不均匀。

刻蚀的均匀性在很大程度上依赖于设备的硬件参数， 如反应室的设置， 气流， 离子浓度等均匀性情况。其次是工艺参数的影响。

对于大衬底的刻蚀， 如果刻蚀时间不够， 膜厚处没有刻蚀完全；但是刻蚀时间太长，膜薄处会造成过刻蚀，实际情况中需要综合考虑。也可以在被刻蚀材料的下层制备截止层，截止层选用和被刻蚀材料有很高选择比的材料， 这样可以加长刻蚀时间， 保证膜厚处被刻蚀干净，膜薄处也不会造成明显的过刻蚀。

除了同一样片不同位置的均匀性问题， 同一刻蚀条件不同样片的刻蚀均匀性（也称重复性）也很重要。重复性与反应室的状况有很大的关联性。

（4）表面形貌

一般情况下， 刻蚀后的表面形貌都希望侧壁陡直光滑， 刻蚀地面平滑。但对于不同的器件有时也有特殊要求，如需倾斜剖面、微透镜结构等。

（5）刻蚀的清洁

刻蚀中防止玷污是非常重要的。如果在接触孔的位置出现重金属沾污也会造成漏电。对于干法刻蚀，刻蚀表面还会出现聚合物的再淀积。

等离子刻蚀的基本过程

等离子体刻蚀有四种基本的过程，他们分别是物理溅射刻蚀（Sputtering）、纯化学刻蚀（Chemical）、离子增强刻蚀（Ion enhanced energetic）、侧壁抑制刻蚀（Ion enhanced inhibitor）。

1) 物理溅射刻蚀（Sputtering）

溅射工艺是以一定能量的粒子（离子或中性原子、分子）轰击固体表面，使固体近表面的原子或分子获得足够大的能量而最终逸出固体表面的工艺。等离子体所提供的离子能量约为几百eV，一般来说会高于溅射产生的阈值（几十eV）。在等离子提供的能量范围内，溅射率随着离子本身能量的增大而急剧增加。不同材料的溅射速率在离子能量一定的情况下相差不大，因此溅射是纯物理的过程，这个过程选择性差，速率低。

但是物理溅射刻蚀，离子轰击具有很强的方向性，使得被刻蚀材料具有很好的各向异性。

2) 纯化学刻蚀（Chemical）

在纯化学刻蚀中，等离子体提供中性的活性基团，这些活性基团与薄膜表面发生化学反应，生成相应的气相产物。如刻蚀Si材料常用F基气体，因为会生成易挥发的SiF4.

化学刻蚀是各项同性的，活性基团会以近似角分布到达被刻蚀材料表面，反应过程中反应产物必须是可挥发的。一般来说化学刻蚀可以获得高的速率以及选择比。

3) 离子增强刻蚀（Ion enhanced energetic）

离子增强刻蚀是物理溅射和化学刻蚀互相结合的工艺方式。物理溅射中物理轰击的作用可以大大增强薄膜表面的化学反应的活性，刻蚀的效果相较单一的物理和化学刻蚀，效果显著。等离子体既提供了粒子通量又赋予离子能量。

4) 侧壁抑制刻蚀（Ion enhanced inhibitor）

这种刻蚀方式主要应用于深刻蚀，如Bosch工艺，深硅刻蚀运用分子量较大的钝化气体C4F8与SF6搭配，刻蚀和钝化交替进行，实现侧壁垂直的深刻蚀工艺。

影响刻蚀效果的因素

ICP 工艺中影响刻蚀效果的因素很多。工艺参数里包括源功率、偏压功率、刻蚀气体及流量、工作气压和温度等。此外，掩膜的制备和反应室内壁的情况对刻蚀结果也有很重要的影响。

1.掩膜的影响

ICP 刻蚀是图形转移的过程，因此掩膜的制备对刻蚀非常重要。最常见的掩膜是光刻胶(Photoresist.PR)、SiO2和金属(如A1、Ni等)。一个好的掩膜要求陡直度较高，边缘光滑。底部去除干净无残留，抗高温和抗轰击能力强。

掩膜的陡直度和边缘的光滑程度直接影响刻蚀剖面的陡直度和侧壁的光滑程度。虽然可以通过工艺参数的调整改善刻蚀形貌，但是效果远不如掩膜质量的改善。因此高质量的光刻技术对刻蚀非常重要。

(1)几乎所有的掩膜制备都需要由光刻制备，光刻胶掩膜的制备最容易，精度也最高。但是，光刻胶的抗高温和抗轰击能力很差，只能用于低温工艺，通常选择比也较低。

(2)硬掩膜

SIO2 和金属等硬掩膜一般需要光刻胶图形的二次转移，图形精度会有所损失。但是它们的抗高温和抗轰击能力很好，选择比高，可以刻蚀更深的深度。

2.工艺参数的影响

(1)ICP Power 源功率

这个功率源的主要作用是产生高密度等离子体，控制离子通量。功率增加时，离子和活性基密度增加，刻蚀速率也增加。一般情况下，选择比也会增加。但过高时，均匀性会下降。

同时，源功率增加会带给衬底更多的热负荷，衬底温度会明显升高，对于需要低温的工艺影响较大，需要更好的温控系统。

(2)RF Power 偏压功率

偏压功率源主要作用是控制离子轰击能量。对刻蚀速率和台阶角度影响很大。偏压功率增加，刻蚀速率明显增加。但是同时对掩膜的刻蚀也明显增加，可能导致选择比下降，台阶形貌变差。偏压功率过高有时会在台阶底部形成“trenching”沟槽。

(3)工作气压

ICP 刻蚀的工作气压一般都小于 50mTorr，典型值在几个 mTorr 至十几mTorr。在这样的低气压条件下，粒子的平均自由程很长，方向性好，离子轰击作用也较强。同时，低气压也有利于挥发性刻蚀产物的解吸附，易获得好的刻蚀结果。气压对均匀性影响很大，气压减小时均匀性更好。因此，气压减小，刻蚀的各向异性增加，均匀性和台阶角度会更好。

气压对刻蚀速率的影响随刻蚀材料和气体的不同而有明显的差异。对于化学作用较强的工艺，如 GaAs 的刻蚀，气压较大时因为活性基和离子密度增加，刻蚀速率和选择比会有较大增加。而对物理作用较强的工艺，如 SiO2 的刻蚀，气压增加时刻饨速率变化不大。

(4)气体成分和流量

等离子体刻蚀中经常使用含多种成分的混合气体。这些气体大体可分为三类。第一类是

主要刻蚀反应气体，与被刻蚀材料发生化学反应生成挥发性产物。如 CI2、CF4、SF6 等。

第二类是起抑制作用的气体,可以在侧壁形成阻挡层,实现高的各向异性刻蚀,如 CHF3、 BCl3、SiCI4、CH4等。

第三类是起稀释或特殊作用的惰性气体，如 Ar、He、N2 等。可以增强等离子体的稳定性，改善刻蚀均匀性，或增加离子轰击作用在(如 Ar)来提高各向异性和提高选择比(如 H2、O2)等。

为了实现不同的刻蚀结果，平衡每一类气体的作用(选用合适的流量比)非常重要。如果需要获得较高的刻钟速率,应选择和被刻蚀材料反应积极并目生成物非常易干挥发的反应类气体，同时可以适当提高其百分比浓度。但是，如果是被刻蚀层偏薄，对下层材料的选择出又较低的情况，常常提高抑制气体和稀释气体的比例来降低刻蚀速露，以实现对刻钟终点的精确控制。

(5)温度

温度对刻蚀速率的影响主要体现在化学反应速率的变化。因此为了保证刻蚀速率的均匀性和重复性，必须精确的控制衬底温度。

高温可以促进化学反应的进行，同时也有利于挥发性产物的解吸附。对于刻蚀生成物挥发温度较高的工艺，如 InP的刻蚀，高温会带来有利的影响，但是对于以光刻胶为掩膜的低温工艺来说，温度必须控制在较低的水平。温度过高时光刻胶会软化变形，造成刻蚀图形的偏差。严重时光刻胶会碳化，导致刻蚀后很难去除。如果必须使用较高的衬底温度，需要改为 SiO2、金属等硬掩膜。

外加功率在很大程度上会转化为热量。对于ICP 这种等离子体，功率一般很高，反应中衬底温升很快。如果工艺对温度非常敏感，在参数设置时应更加注意。