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光电二极管阵列检测器新分析方法i-DReC的原理及概要
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本文由 岛津企业管理（中国）有限公司 整理汇编
2014-02-12 00:00 315阅读次数
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光电二极管阵列检测器新分析方法i-DReC的原理及概要
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光电二极管阵列检测器新分析方法i-DReC的原理及概要- 光电二极管阵列检测器新分析方法i-DReC的原理及概要[详细]
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- 用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 细长板类型 S11299-121是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比，具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用，更便于和闪烁体耦合，由于它在背部没有光敏面，也没有焊接线，因此不需要担心对线的损坏。 S11299 系列支持双能成像，因此可以与S11212系列结合使用（板上尺寸：25.4 (W) ×20.0 (H) mm），组成上两层的双层结构，同步检测高、低X射线。产品特性● 象元尺寸：1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距：1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸：25.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列，长而窄的设计版式● 支持双能成像（上下两层结合使用时） [详细]
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- 用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-421 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比，具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用，更便于和闪烁体耦合，由于它在背部没有光敏面，也没有焊接线，因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同，它可以替代S5668系列。产品特性● 象元尺寸：1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距：1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸：25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列，长而窄的设计版式● 支持双能成像（上下两层结合使用时） [详细]
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2020-03-10 12:38
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- 硅光电二极管阵列 S11212-321产品样册
- 用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-321是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比，具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用，更便于和闪烁体耦合，由于它在背部没有光敏面，也没有焊接线，因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同，它可以替代S5668系列。产品特性● 板上尺寸：25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列，长而窄的设计版式● 支持双能成像（上下两层结合使用时） [详细]
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- 硅光电二极管阵列 S13620-02产品样册
- 用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列，适合于平面结构S13620-02是一款8×8硅光电二极管阵列，具有背照式结构，用于X射线无损检测。背照式光电二极管阵列具有方便操作的特点，因为其在入射表面没有接合线或光敏区域。你可以在不用损坏任何导线的情况下贴上一个闪烁体。此外，它的设计优势还在于产品周围不可利用的区域减少，产品耦合空间增大，而且不会产生任何串扰。产品特性● 二维数组(8×8元素)● 光谱响应范围:400 ~ 1100 nm● 包装尺寸:24(W)×24(H)毫米● 元节距:3.0毫米×64元素● 易于与闪烁体耦合由于光敏区没有导线，且与闪烁体的光耦合效率可以Zda化，因此适合于无损x射线检测设备。 [详细]
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2020-03-10 12:38
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- 硅光电二极管阵列 S11212-121产品样册
- 用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-121是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比，具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用，更便于和闪烁体耦合，由于它在背部没有光敏面，也没有焊接线，因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同，它可以替代S5668系列。产品特性● 象元尺寸：1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距：1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸：25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列，长而窄的设计版式● 支持双能成像（上下两层结合使用时） [详细]
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2024-09-14 21:06
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- 用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 细长板类型 S11299-021 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比，具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用，更便于和闪烁体耦合，由于它在背部没有光敏面，也没有焊接线，因此不需要担心对线的损坏。 S11299 系列支持双能成像，因此可以与S11212系列结合使用（板上尺寸：25.4 (W) ×20.0 (H) mm），组成上两层的双层结构，同步检测高、低X射线。产品特性● 象元尺寸：1.175 (W) × 2.0 (H) mm / 单象元 ● 象元间距：1.575 mm (× 16 pixels) ● 板上尺寸：25.4 (W) × 10.2 (H) mm● 多阵列，长而窄的设计版式● 支持双能成像（上下两层结合使用时） [详细]
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- 用于X射线无损检测的背照式光电二极管阵列 S11212-021 是一款专用于X射线无损检查的背照式16象元光电二极管阵列。它比我们之前的S5668系列相比，具有更高的灵敏度一致性和更小的象元变化。该背照式二极管更加易于使用，更便于和闪烁体耦合，由于它在背部没有光敏面，也没有焊接线，因此不需要担心对线的损坏。由于它们的封装尺寸和管脚连接都相同，它可以替代S5668系列。产品特性● 板上尺寸：25.4 (W) ×20.0 (H) mm● 多阵列，长而窄的设计版式● 支持双能成像（上下两层结合使用时） [详细]
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2010-12-30 00:00
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带信号处理IC的光电二极管阵列，用于X射线检测
S13886-128G是带有放大器的光电二极管阵列系列，放大器具有附着到光敏区域的荧光片以进行X射线检测。 与以前的产品S11865系列相比，信号处理IC芯片的改进大幅度地提高了产品的灵敏度。 信号处理IC芯片由CMOS工艺构成，内含定时发生器，移位寄存器，电荷放大器阵列，钳位电路和保持电路等复杂设置，所以当客户在连接外部电路时十分简单方便。 该产品还可以通过在一行中排列多个阵列来配置长而窄的图像传感器。
产品特性● 数据速率：Zda1 MHz● 元件间距：0.8 mm pitch×128 ch● 3.3 V电源供电● 使用电荷放大器阵列的同时积分方法● 零偏置光电二极管操作，暗电流低● 集成钳位电路，噪声低，动态范围宽。● 集成定时发生器可以在两个不同的脉冲定时下工作。● 可检测的能量范围：30 k至100 keV
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2020-03-10 12:37
产品样册
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- 带放大器的光电二极管阵列 S13885-256G产品样册
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X射线探测用光电二极管阵列（带信号处理IC） S13885系列光电二极管阵列带放大器，且在感光面上粘贴了磷片，用于X射线探测。通过改善信号处理IC，相较于公司之前的产品（S11865系列）有更高的灵敏度。信号处理电路的芯片由CMOS工艺制造，集成了信号发生器、移位寄存器、电荷放大阵列、钳位电路和保持电路，因此可简化外部电路配置。通过将多个阵列排列起来，可配置出长窄型传感器。产品特性● 数据率：1MHz max ● 象元间距大：0.2 mm pitch × 256 ch ● 3.3V电源供电 ● 用电荷积分阵列同步积分 ● 零偏置光电二极管，因此暗电流低 ● 集成了钳位电路，使其噪声低，动态范围宽 ● 集成了时序发生器，可在两种脉冲时序下工作 ● 可探测能量范围：30 k to 100 keV
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2020-03-10 12:37
产品样册
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