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光刻机uv-kub 2-Brochure
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本文由 微纳立方科技(北京)有限公司 整理汇编
2022-07-05 11:23 418阅读次数
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光刻机uv-kub 2-Brochure
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- 法国KLOE公司在光刻方面有着丰富的经验，其研发的UV- KUB系列光刻机是一种基于UV LED的曝光机系统，结构紧凑，可以直接放置在实验台上，能够处理Zda直径4英寸的晶圆，兼容硬接触（接触式）或者软接触（接近式）工艺，可自动调整掩膜高度以适应不同的基板厚度，可使用365 nm或405 nm的光源，不需要预热，也不需要单独的冷却单元。另外，UV-KUB系列先进的设计，保证了光源的准直性和均匀性，其Z小分辨率可达2μm，Zda发散角小于2°
本系统适用于市面上常用的光刻胶，如AZ系列、Shipley系列、SU-8系列和K-CL系列。
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2024-09-15 17:10
标准
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- KLOE 微流控芯片光刻机/曝光机 UV-KUB系列 资料二
- 法国KLOE公司在光刻方面有着丰富的经验，其研发的UV- KUB系列光刻机是一种基于UV LED的曝光机系统，结构紧凑，可以直接放置在实验台上，能够处理Zda直径4英寸的晶圆，兼容硬接触（接触式）或者软接触（接近式）工艺，可自动调整掩膜高度以适应不同的基板厚度，可使用365 nm或405 nm的光源，不需要预热，也不需要单独的冷却单元。另外，UV-KUB系列先进的设计，保证了光源的准直性和均匀性，其Z小分辨率可达2μm，Zda发散角小于2°
本系统适用于市面上常用的光刻胶，如AZ系列、Shipley系列、SU-8系列和K-CL系列。
[详细]
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2024-09-15 17:11
标准
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- Nanonex光刻机/紫外光刻机
- Nanonex光刻机/紫外光刻机[详细]
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2024-09-14 13:44
课件
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电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）- 电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）
依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度大面积写场电子束光刻机 P21 系列。 百及纳米S次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机 P21 是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国 Raith 公司的成熟机型上 升级而成。该系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6 英寸晶圆）及扩展使用功能。P21 不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关 键指标于一身，包括：
• 国际上S次开发的新颖电子束闭环控制系统，能够实现电子束的原位检测与校正;
• 国际领先的写场拼接精度≤2 nm;
• 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的空间漂移，将其位置稳定性提高到≤10 nm/h； 有利于通过提高电子束光刻时间实现大尺寸图形的曝光需求。
百及纳米的 P21 系列以常规电子束光刻机为载体，通过独家专利技术对其进行功能及性能指标的大幅提升。P21 光刻机组件均为德国原装制造。[详细]
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2022-09-05 22:02
选购指南
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- 无掩膜光刻机
- 光刻机又名掩膜对准曝光机，是芯片制造流程中光刻工艺的核心设备。其主要用途是生产集成电路，将设计好的集成电路模板复刻到硅晶圆上，从而生产出微小、精确、高效率的集成电路。
根据光刻机的曝光方式，主要可以分为接触式光刻机、接近式光刻机和直写式光刻机，其中直写式光刻机又可以依据其是否需要使用掩膜版细分为有掩膜和无掩膜两种。无掩膜光刻机是一种不需要使用传统掩膜版的光刻机，它通过直接对晶圆进行曝光，实现图案的转移，能够更快速地制造特定产品、降低成本，除了能够满足传统的2D光刻需求外，还能实现2.5D光刻（即灰度光刻）。无掩膜光刻机不需要掩膜版、高度灵活的优点，使其被广泛应用于科学研究、定制化生产、快速原型制造、电子器件、生物医药、光学元件、微机械等领域。[详细]
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2024-09-15 17:53
产品样册
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- 紫外掩膜曝光光刻机
- 美国恩科优N&Q系列光刻机（Mask Aligner)，是领xian的光刻系统，在光刻领域有超过35年的经验，售出1000多套设备，为半导体制造和科研领域提供品质优良稳定的全波段紫外光刻机系统，广泛的应用于半导体光刻工艺制程、微机电MEMS、二极管芯片、发光二极体（LED）芯片制造、生物器件、纳米科技、显示面板LCD、光电器件、奈米压印以及电子封装等诸多领域。客户如美国航空航天公司、飞利浦、摩托罗拉、惠普、美国国家半导体公司、牛津大学、剑桥大学、斯坦福大学、伦敦大学、台塑、墨尔本大学、华盛顿州立大学、方大集团、大联大集团、光宝科技、汉磊股份、厦门乾照光电股份有限公司等等。[详细]
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2024-09-28 08:12
产品样册
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- 探针电子束光刻机（扫描探针电子束光刻系统P-SPL21）
- 公司推出的探针电子束光刻机P-SPL21,利用探针在近光刻胶表面发射低能电子的原理实现光刻效果。该系统的主要特点在于：
（1）几乎无邻近效应，能实现3-5nm线宽的超精细光刻结构；
（2）用于发射电子的探针同时具有原子力显微镜功能，能够实现亚纳米级精准定位并原位测量曝光图型；
（3）超高写场拼接精度（≤2nm），且能够抑制电子束长时间产生的空间漂移（≤5nm）。
百及纳米科技的探针电子束光刻系统能够实现光刻与原子力显微镜表征的双重功能，是一款理想的用于微纳制造和表征尺寸小于5nm线宽结构的一体化系统。[详细]
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2024-09-14 06:17
产品样册
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- 193nm紫外波前传感器（512x512高相位分辨率）助力半导体/光刻机行业发展
- 新一代193nm高分辨率（512x512）波前分析仪!该波前传感器采用Phasics公司技术-四波横向剪切干涉技术，可以工作在190-400nm波段，消色差，具有2nm RMS的相位检测灵敏度[详细]
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2024-12-10 16:54
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