BCEIA 2025表界面分析暨第十一届全国表面分析科学与技术研讨会成功举办，共话表界面分析前沿技术与研究进展

本次报告重点探讨了表面等离体共振技术在生物科学中的应用进展。李景虹老师指出，传统荧光成像技术需要标记等问题，因此发展高信噪比的无标成像技术对原位细胞研究至关重要。表面等离体技术利用金属表面电子共振，可检测分子互作参数，已广泛应用于药物筛选与生物机制研究。近年来通过机制创新与仪器研发，其灵敏度和分辨率显著提升，并可结合电化学方法原位监测细胞反应与离子通路变化，为生命过程研究提供了有力工具。

经过十年技术攻关，刘雷老师的研究团队成功开发出一种针对半导体及材料界面以下原子结构进行单原子精度表征的新方法。该技术解决了困扰学界很久的难题——传统表征手段无法实现表面以下缺陷结构的精准识别与单原子分辨，极大阻碍了对半导体掺杂缺陷功能机制的深入理解。目前该技术已成功应用于半导体-金属界面缺陷的精准测量，未来将朝室温稳定操作、自动化与AI化原子制造方向发展，并拓展至化学分子反应和界面过程等研究领域，为跨学科材料单原子解析与操控提供全新路径。

报告聚焦于光电器件技术与应用的研究进展。重点介绍了紫外光电子探测、高迁移率金刚石外延生长等关键技术，特别强调了氮化镓、氧化锌等在射频显示领域的应用，以及氧化镓在成本、稳定性和尺寸方面的优势。他还指出，我国在宽禁带半导体（如碳化硅）研发中取得显著成果，并获得国家层面支持。同时强调了外延薄膜技术对半导体制造的重要性，探讨了光电能谱在氧化物半导体分析中的关键应用，强调能谱校准需审慎处理，束缚能变化与价态密切相关，并指出氧缺陷测试中应注意多因素干扰。

报告聚焦于氮化镓基半导体器件的可靠性研究及光电应用进展。系统介绍了氮化镓材料的优异特性，如带隙宽、击穿电压高、电子饱和速度快，适用于高温高压及大功率场景，进一步探讨了半导体器件的发光机制，包括晶体质量提升、p型掺杂激活和应力调控等关键技术，以及外延生长中的晶格适配处理。此外，赵老师指出，氮化镓基电力电子器件在动态电阻退化、界面可靠性等方面仍存在挑战，可靠性水平较LED有较大差距，需进一步优化。

报告介绍了其位于英国剑桥的团队如何致力于搭建中英技术转移的桥梁，特别是在时间飞行、加速度计、气体监测及电子冲击等技术领域的研发与合作，并强调正通过北京实验室推动相关技术在中国市场的推广与应用。报告重点介绍了高灵敏度表面成像技术（SPS）的最新进展，该技术可实现硅片铜层等材料的精确表面分析与元素探测，在环境科学等多领域具重要应用价值。相比同类方案，SPS具备更高灵敏度，目前已在48个国家获得推广应用。

张老师报告中提出电喷物质谱中许多难以解释的现象可能可以通过的理论解释。报告指出华中科技大学有机化学课题组在合成铜催化剂时,发现质谱表征的价数与实验结果不符,经过讨论发现是二价铜被还原成了一价铜。张老师认为这个发现虽然颠覆性,但并不会改变电喷雾质谱界的基本原理。他还提到,对于特定问题,应具体分析,用电喷雾的目的只是检测物质是否存在,而非深入研究。

报告重点探讨了XPS表面分析技术的应用与深度信息获取方法。由于XPS检测深度有限，针对不均匀或浅层样品可采用角分辨、成像、深度剖析及离子散射谱（ISS）等手段增强表层信息分辨能力。通过调整探测角度可改变采样深度，结合元素化学态成像和离子溅射，能够解析材料纵向成分分布与界面结构，例如识别电池中单质硅的深度位置及锂的界面富集。此外，报告还介绍了使用多种靶材和传送模式以保护样品并替代同步辐射光源，实现更高效、多深度的表面成分分析。

报告重点介绍了表面分析技术的最新进展与应用。她概述了公司XPS、AES、SIMS等核心产品线，并深入解析了表面分析技术的特点及优势，强调通过调节入射光能量可实现无损深度分析。报告讨论了超高真空设备的使用，包括设备实现真空互联的技术，并说明了各种分析手段的应用情况和特点。

报告重点介绍了雷尼绍在拉曼成像及联用技术上的最新进展。针对科研中对快速、高分辨及原位化学成像的需求，雷尼绍开发了多种快速成像技术，如StreamHR高分辨成像、Volume 3D成像等，并推出了专利的LiveTrack实时自动追焦功能，可在样品不平整情况下实现高质量三维成像而不增加采集时间。此外，全新SEM-拉曼联用技术实现了真正共定位分析，兼顾形貌与化学信息。还推出了高性能、便携式光纤拉曼系统Virsa，适用于大尺寸、不可移动样品的原位检测，拓展了拉曼技术在考古、新能源及临床等现场应用的可能。

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