创新不止，精益求精——微区半导体参数测试仪全面升级

厚积薄发，彰显卓立匠心

从2003年开始步入拉曼领域至今，卓立汉光的技术实力不断沉淀，拉曼产品也在推陈出新，公司产品在材料、地质、生物、化学、医药、食品、刑侦等领域得到了广泛的应用。2022年，经过与半导体行业客户的长期探讨，基于卓立汉光成熟的RTS系列拉曼光谱测量系统与相关算法， 旨在打造一台能够满足半导体行业用户对于多晶硅晶化率、应力测试、载流子迁移率测试需要的第三代半导体相关参数测试仪。
我们汲取了前几代产品的成功经验，对设备的硬件和软件上做了全方面的升级： • 使用了卓立汉光全新一代的影像校正光谱仪，成像质量增加优秀，波长重复性和准确性更高，让半导体参数测试的数据更加可靠； • 光纤共焦系统，光路稳定，满足工业复杂环境需要；

 • 针对多晶硅晶化率、应力测试、载流子迁移率测试搭建的全新架构软件，直接给出测试结果。

微区半导体参数测试仪

测试原理

拉曼光谱的优势

载流子浓度测量

主要优点：

1. 利用拉曼光谱法测量载流子浓度具有非接触、速度快等优势。2. 通过共聚焦拉曼光谱可以测量微米尺度局域载流子浓度，可对片内均匀性进行评估。3. 适用的材料体系：氮化镓、碳化硅等第三代半N型半导体材料。

实测案例

可测试的载流子浓度范围：1017 ~ 1020 cm-3 ， 重复实验的标准偏差<5% 

应力测试

应力的存在与应力集中是导致材料和结构最   终失效的主要原因。研究材料的应力分布及应力状态下材料的物理性质，可以对缺陷、掺杂和 污染造成的失效机制进行分析。

氮化镓压痕坑附近的应力分析

多晶硅晶化率测试

结晶率指晶态硅与晶界占非晶态、晶态、晶界总和的质量百分比或体积百分比，是评价结晶硅薄膜晶化效果的一项重要指标。晶化率xc可通过高斯拟合拉曼光谱分峰后定量计算： 

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微区半导体参数测试仪

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丨关于我们About Us

卓立汉光自1999年成立，在近二十年的不断努力下，已成为光电领域知名厂商。自主研发生产:荧光/拉曼光谱系统、光谱仪、太阳能电池检测仪器、光源及探测器、电控/手动精密位移台、调整架、光学平台、光学元件等系列产品。

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