PFIB+Laser的最佳组合设计由Helios 5 Laser PFIB实现

上篇文章中我们分析了先进封装等对大体积加工有显著需求的应用所面临的挑战，准确对准并且以高通量去除大块材料的能力是非常重要的。现有方案或者由于有限的样品导航精度引致误差，导致需要更长的加工时间甚至误损独一 无二的样品；或者由于采用常规Ga离子FIB，材料加工速度低，后续加工的时间将以一个数量级以上的级别延长。

大块材料的去除

将 DualBeam 变成

集成半导体激光烧蚀的 TriBeam

为解决当前解决方案的不足并能够灵活处理和分析各类材料，赛默飞通过在单个样品仓内完全集成飞秒激光器，扩展了 DualBeam 产品线。

并且为了获得最 大的通量和精度，赛默飞 Helios 5 Laser PFIB 将等离子体聚焦离子束 (PFIB)、飞秒激光和扫描电子束整合在单个样品仓中。此外，这三束位于单共点轴，可实现更高通量、成功率和精度的半导体封装失效分析。

等离子体束、飞秒激光和单共点轴的优势

更加可靠地精 准导航到缺陷以便进行激光烧蚀和最 后抛光，从而准确及时地收集数据进行失效分析。

使用飞秒激光去除材料的速度比 PFIB 快约 400 倍，比镓 FIB 快约 15,000 倍。

PFIB 的研磨速度比传统的镓 FIB 快约 40 倍，能够快速精确地完成大面积截面加工和激光烧蚀后的清理。

共点轴支持在几分钟内完成精确的激光切割布置、PFIB 研磨和大面积截面成像，而不会损坏敏感的 ROI/缺陷。

无需将样品转移至单独的样品仓或仪器中，显著减少了处理时间和样品污染。

通过使用飞秒级的激光脉宽，极大减少了热影响区造成的损伤。

精细逆向加工

赛默飞 Helios 5 Laser PFIB 即包含这些独特的设计与优势，为复杂结构的大体积分析提供了强大的能力。

参加赛默飞 2022年 10 月 26 日的 SPARK 网络研讨会，了解如何仅用一台仪器去除大块材料并进行精细逆向加工和成像。

会议时间

2022年10月26日上午10:00

参与方式

扫码报名，抢占席位

演讲嘉宾

刘中辉

赛默飞世尔科技半导体事业部

产品市场经理

刘中辉，2017年毕业上海交通大学生物医学工程学院，获硕士学位。曾供职于科磊半导体的产品开发工程师，参与产品软件及硬件的开发；负责3D NAND及DRAM产品量测方案开发，涵盖日本，美国及中国的主流存储器供应商。刘经理熟悉半导体工艺，半导体工艺控制及良率管理，现负责赛默飞世尔公司的PFIB及WDB产品线在半导体行业的拓展。