专为半导体行业设计, 赛默飞iCAP TQs ICP-MS

搭载全新5G SoC芯片，采用7nm+EUV制成工艺的国产手机5G版重磅来袭！！

       S次将5G基带集成到SoC上，创新的达芬奇架构，全新的16核GPU，使得您的手机运行更快更自然。手机性能的快速提升，归根结底是半导体产业的蓬勃发展。

       半导体产业Z上游是IC设计公司与硅晶圆制造公司，IC设计公司依客户的需求设计出电路图，硅晶圆制造公司则以多晶硅为原料制造出硅晶圆。中游的IC制造公司主要的任务就是把IC设计公司设计好的电路图移植到硅晶圆制造公司制造好的晶圆上。完成后的晶圆再送往下游的IC封测厂实施封装与测试，即大功告成！

       硅片是半导体制造业的基础材料，硅片表面极其少量的无机杂质元素污染都可能器件的功能丧失或者可靠性变差，例如：

• 碱金属及碱土金属（Li、Na、K、Ca、Mg、Ba等）污染会导致元件击穿电压降低；

• 过渡金属与重金属（Fe、Cr、Ni、Cu、Au、Mn、Pb等）污染可使元件的寿命缩短，或者使元件工作时的暗电流增大；

• 渗透元素（B、Al、As等）本身用于形成元件，如果是污染，则改变了元件的工作点，使器件产生工作错误等；

       硅片表面及处理硅片过程中所使用试剂中的无机元素监测是硅片制造及使用过程中不可缺少的流程，也是提升元器件性能的重要方法及指标。

赛默飞四极杆型ICP-MS

       针对半导体硅片表面及处理硅片所使用试剂中的无机元素杂质含量均为痕量级别，且待测元素种类多，四极杆型ICP-MS由于其检出限低、分析速度快等优点被广泛应用于半导体行业中无机杂质元素的分析中。赛默飞可为您提供iCAP RQ单四极杆ICP-MS及iCAP TQ三重串联四极杆型ICP-MS。

iCAP RQ 单四极杆ICP-MS

       随着半导体行业的不断发展，半导体行业无机杂质元素检出限量可能低至1ppt。对此，赛默飞专门推出半导体专用串联四极杆型iCAP TQs ICP-MS：

iCAP TQs 三重四极杆ICP-MS

性能优势

• 符合人体工程学；

• 紧凑型设计，适用于与在线监测系统和气相蚀刻系统集成使用；

• 自适应化学惰性进样系统确保Z小的污染以得到可重复稳定数据；

• 稳健性能，一次分析中采用结合热和冷等离子体方式；

• 通过软件流程实验全自动并简化的日常分析工作；

• 易于安装，需要的安装尺寸小，对洁净室和生产场地要求小；

• 标配He, O?, H?, NH? 4路碰撞反应气体，能够彻底消除ICP-MS测试过程中遇到的多原子离子干扰；标配有机加氧装置，可直接分析半导体行业遇到的有机试剂；

• 标配干泵，降低泵的使用及维护成本；避免油泵带来的油雾颗粒，降低洁净间的维护成本；

• 稳健可靠的冷焰模式，同一方法中可实现不同模式切换；冷、热等离子体间切换，仪器长期稳定性依然好；

• 专门Reaction Finder功能，智能推荐反应产物，简化方法开发流程，是提升方法开发的有效手段；Q1极ng确实现1amu的质量筛选，能更好的降低质谱干扰的形成；

• 独特的结构设计令操作及仪器维护更简单；

实验数据

       硅片经VPD处理后会以溶液的形式被收集，经VPD扫描的硅会在处理过程中与HF反应被除去，扫描液中硅的含量很低，对仪器没有耐高盐的要求，采用标配iCAP TQs ICP-MS对样品进行分析，测试元素为半导体常规关注元素。分析方法经过Reaction Finder的优化，测试结果真实可靠。

       为验证TQs ICP-MS在半导体硅片样品测试中的稳定性，对扫描液进行加标100ng/L，连续测试两个小时。测试结果表明，半导体所关注的元素在两个小时内RSD值均在5% 以内，证明仪器的稳定性能良好。

       赛默飞针对半导体行业不仅可以提供无机元素分析仪器ICP-MS，还能提供离子色谱用于阴离子分析及GC-MS用于厂务气体中挥发性有机物的分析。除此之外，赛默飞还为客户提供物理失效分析、电子失效分析等分析仪器。综上赛默飞可为半导体企业提供完整的解决方案，助力中国半导体企业腾飞！