干货 IC芯片电性能参数测试“芯”体验

        芯片测试作为芯片设计、生产、封装、测试流程中的重要步骤，是使用特定仪器，通过对待测器件DUT(Device Under Test)的检测，区别缺陷、验证器件是否符合设计目标、分离器件好坏的过程。其中直流参数测试是检验芯片电性能的重要手段之一，常用的测试方法是FIMV（加电流测电压）及FVMI（加电压测电流）。

        传统的芯片电性能测试需要数台仪表完成，如电压源、电流源、万用表等，然而由数台仪表组成的系统需要分别进行编程、同步、连接、测量和分析，过程复杂又耗时，又占用过多测试台的空间，而且使用单一功能的仪表和激励源还存在复杂的相互间触发操作，有更大的不确定性及更慢的总线传输速度等缺陷，无法满足高效率测试的需求。

        测试 PIN 脚与 GND 之间连通状态，测试过程中SMU选择3V量程，施加-100μA电流，限压-3V，测量电压结果表 1 所示，电压结果在-1.5~-0.2 之间，测试结果 PASS。

*测试线路连接参照图2

        光电耦合器主要由两部分组成：光的发射端及光的接收端。光的发射端主要由发光二极管构成，二极管的管脚为光耦的输入端。光的接收端主要是光敏晶体管， 光敏晶体管是利用 PN 结在施加反向电压时，在光线照射下反向电阻由大变小的原理来工作的，晶体管的管脚为光耦的输出端。

        案例采用两台SMU进行测试，一台SMU与器件输入端连接，作为恒流源驱动发光二极管并测量输入端相关参数，另一台SMU与器件输出端连接，作为恒压源并测量输出端的相关参数。