激光芯片开封法适用范围

       芯片开封的目的是使得内部芯片暴露出来，然后进一步进行芯片表面的电探测和形貌观察。 X射线透视技术、扫描声学显微术等无损失效分析技术只能解决有限的失效分析问题，如内引线断裂、芯片黏结失效等。由于单子元器件等封装材料和多层布线结构的不透明性，对于大部分失效问题，必须采用解剖制样技术，实现芯片表面和内部的可视察性和可探测性。因此如何合理的进行芯片开封至关重要。

       芯片开封通常有化学和激光法，两者都有一定的优势，但是面对于铜键合丝，由于铜键合丝一般采用塑封，在用化学芯片开封法，在腐蚀掉塑料的同时，内部材料同样会受到影响，因此需要因地制宜的使用芯片开封的方法。

       激光芯片开封法是利用高能激光蚀刻掉芯片或者电子元器件的塑封外壳，从而光学观测或者电气性能测试提供了可能性，以便于实现X射线等无损检测无法实现的功能。激光开封技术也可以在不破坏芯片或者电路的整体功能的前提下，去除局部的塑封材料，进行测试甚至修复实验。与化学开封技术相比，激光开封更加GX，同时避免了减少强酸环境暴露。它适用于那些范围的芯片开封呢？

       激光芯片开封法适用范围

       1.半导体器件的失效分析。

       2.塑封工艺设计和工艺参数有效性的验证。

       3.通过激光对微区的线路修改，制备已知失效模式样品标样，对测试机台及程序做定期验收。

       4.通过使不同位置的连接线部分暴露，实现点与点之间的通断性 测试以极ng确确定失效点。

       5.应用于模块使用厂家，进料检验时完全打开器件以观察内部是否存在设计或生产缺陷。

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