在《光刻胶研发相关解决方案推荐(上集)》 中推荐了两个光刻胶研发相关解决方案,这次我们来介绍一下光刻胶曝光动力学原位测试与光刻胶DILL模型建立的相关解决方案。
光刻胶曝光动力学原位测试


紫外光-功率补偿型差示扫描量热分析仪
(用于光刻胶在不同紫外波段下的曝光动力学研究)
曝光动力学研究对于光刻胶的研发异常关键,因为其效能直接决定了制程良品率和生产效率。为了更加准确原位模拟光刻胶在不同紫外-可见波段下的曝光历程,建议增加功率补偿型差示扫描量热分析仪(DSC)和紫外光源联用设备,光源可选汞灯或者LED光源分别模拟不同波段范围的实际需求,比如:模拟i线-365 nm,g线-436 nm或者h线-405nm采用汞灯,DUV区间则选择LED光源等等。
目前市面上的DSC分为热流型和功率补偿型两种原理。前者仅适合常规的熔点或结晶过程的测定,而功率补偿型DSC 8500具备更高的量热灵敏度,极短的瞬态背景干扰,且可主动补偿由于紫外光源照射或固化过程产生的额外背景温度/热量扰动,非常适合用于研究光刻胶的固化动力学过程,为研发更加稳定可靠的新一代无机金属氧化物复合光刻胶提供准确热力学数据支撑。
光刻胶DILL模型建立
——为理论计算提供支撑


高性能紫外-可见-近红外分光光度计 [1]
(辅助建立DILL透光模型)
标量衍射原理计算模拟光刻胶的曝光过程一般采用Dill方程,以Dill模型或者Mack模型计算光刻胶的显影过程,获得其在单位体积分布范围所吸收的光能大小,该大小Z 终决定了光刻胶曝光过程中各个组分自身化学结构的变化速率(反应速率)[2]。简言之,我们必须保证所研发的光刻胶在固定的曝光时效内实现自上而下的均匀透光、反应。
DILL模型具备A,B和C三个参数。A代表与曝光相关的吸收参数,B代表与曝光非相关的吸收参数,C则代表光刻胶的漂白速率(化学物质的光化学反应速率)。利用高性能Lambda 1050+ UV-Vis光谱仪可以测定光刻胶在曝光前后的吸光度信号,辅助计算DILL模型所需的各个关键参数,为研究新型光刻胶的曝光显影模拟提供基础数据支撑。
PerkinElmer光刻胶解决方案
PerkinElmer的科学家们将会持续不断的用更加全面的解决方案助力半导体行业蓬勃发展。
参考文献:
[1] Andrew Estroff, Photoresist Absorbance and Bleaching.
[2] Chris Mack, Fundamental principles of optical lithography: the science of microfabrication, John Wiley & Sons, 2007.
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