半自动12英寸快速退火炉RTP

设备规格:

适应于 2英寸-12英寸 晶圆或者至多支持 300mmx300mm 样品；

退火温度范围 300℃-1000℃；

升温速率 ≦100℃/sec(裸片)；

温度均匀性 ≦±1%；

真空腔体（可选配常压腔体或正压腔体）；

冷却方式包括水冷和氮气吹扫；

MFC控制，3-5路制程气体。

应用领域:

快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；

离子注入/接触退火；

金属合金；

热氧化处理；

化合物合金（砷化镓、氮化物等）；

多晶硅退火；

太阳能电池片退火；

高温退火；

高温扩散。