硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片
单片集成多比特光时延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技术，是目前综合性能最优和集成度最高的光时延器产品。采用二进制多级时延回路结构，芯片集成时延切换开关和包含了均衡和杂波抑制衰减器的延迟光波导回路，延时切换时间达到 200ns 以下，总时延量 1022ps；延时精度 0.5ps，片内单级延时损耗低至 0.8dB/bit。相比于传统采用微波传输线的电时延芯片，光时延器可以适用任意的微波和毫米波频段，具有极低的串扰和极高的非目标时延信号消光比。最大时延 1ns 的 9bit 可调光延时芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度减小系统体积；由于光载波频率相对于微波信号大至 4 个数量级的频率比，光子集成的时延器芯片具有覆盖从米波到毫米波全频段的信号处理能力，适合各类超宽带相控阵的波束合成应用。
硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片主要性能指标
性能指标Parameter | 单位Unit | 典型值Typ. | 备注Notes |
工作波长Operationwavelength | nm | 1530-1570 | |
延时位数Delay bits | / | 9 | 可定制Can be customized |
最小延时步进Min.step-delay | ps | 2 | 可定制Can be customized |
可调节延时量Adjustable max.delay | ps | 1022 | |
延时精度Time-delay accuracy
| ps | ±0.5 | ≤16ps 延时量 delay time |
±1 | 18~64ps 延时量delay time | ||
±2 | 66~512ps 延时量delay time | ||
±3 | 514~1022ps 延时量delay time | ||
延时切换时间Delay switching time | ns | 200 | |
插入损耗Insertion loss | dB | 11 | 13dB max |
各延时态损耗差异Delay state loss difference | dB | ±1 | |
耐受光功率Max. tolerance opticl power | dBm | 23 | 26dBm max |
回波损耗Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸Chip dimension | mm | 20×15×0.7 |
硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片特性
高速切换（100～200ns）
高延时精度（0.5ps 典型值，0.2ps 可达）
超小尺寸
超宽带工作
全固态波导芯片可靠性强
大时延范围(～2ns 可达)
高功率耐受度（ 23dBm 典型值）
硅基单片集成 9bit 可调光延迟线芯片应用领域
光控相控阵系统、超宽带光域信号处理
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宽带InGaAs光电探测器由光电探测器芯片和偏置电路组成，饱和光功率可达10dBm，小型化，可原位替换EM169，标准SMA射频口输出。
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平衡探测器模块集成了两个匹配的光电二极管和一个超低噪声的放大器，有效地减少激光器噪声和共模噪声，提高系统的性噪比，具有多种光谱响应可选，低噪声，高增益，带宽可选最高可达200M，使用方便等特点。
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