硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片
梓冠光电的单片集成多比特光延时芯片是基于厚膜 SOI 硅光子技术、将硅基光开关和硅波导延时回路单片集成的自主研发产品。集成的硅基光开关使其延时态切换速度达到1μs以下，硅波导延时使其延时精度提升1个量级，厚膜SOI硅光技术使其光损耗达到工程应用水平，单片集成的芯片解决了传统光延时器的体积大、可靠性差问题，是可全方面满足光控相控阵应用要求的新一代产品。
硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片特性
高速切换
高延时精度
超小尺寸
超宽带工作
全固态波导芯片可靠性强
硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片应用领域
光控相控阵雷达系统、电子对抗系统
硅基单片集成 7bit 可调光延时器芯片规格参数
性能指标 Parameter | 单位 Unit | 典型值 Typical value | 备注 Notes |
延时位数 Delay bits | / | 7 | 可定制 Can be customized |
最小延时步进 Min.step-delay | ps | 2 | 可定制 Can be customized |
可调节延时量 Adjustable max.delay | ps | 254 | |
延时偏差 Delay deviation | ps | ≤±0.5 | ≤±1@max |
延时切换时间 Delay switching time | µs | ≤1 | |
插入损耗 Insertion loss | dB | 14 | |
各延时态损耗差异 Delay state loss difference | dB | ±0.5 | |
回波损耗 Return loss | dB | 45 | |
芯片尺寸 Chip dimension | mm | 19×11×0.7 |
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报价：￥500
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宽带InGaAs光电探测器由光电探测器芯片和偏置电路组成，饱和光功率可达10dBm，小型化，可原位替换EM169，标准SMA射频口输出。
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平衡探测器模块集成了两个匹配的光电二极管和一个超低噪声的放大器，有效地减少激光器噪声和共模噪声，提高系统的性噪比，具有多种光谱响应可选，低噪声，高增益，带宽可选最高可达200M，使用方便等特点。
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