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仪器网>产品中心> 上海麦科威半导体技术有限公司>镀膜沉积系统>原子层沉积系统>全自动原子层沉积系统(ALD)/VEECO

全自动原子层沉积系统(ALD)/VEECO

面议 (具体成交价以合同协议为准)
美国VEECO Savannah G2 ALD 美洲 美国 2026-01-24 23:32:12
售全国 入驻:2年 等级:认证 营业执照已审核
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为你推荐

产品特点:

优势: 高性能,低成本,易于操作和维护

产品详情:

        原子层沉积系统ALD(热型ALD)

  • 产品介绍:

    Veeco(之前称之为Cambridge Nanotech)已经有15年以上的ALD研发生产经验。2003年Cambridge Nanotech成立于哈佛大学,05年搬到Boston并生产出Thermal ALD - Savannah, 之后生产出Plasam ALD - Fuji、批量生产ALD-Phoenix。2017年被Veeco收购,并更新了Batch HVM ALD - Firebird。至今为止,Veeco在ALD设备已有15年多的经验,全 球已安装五百多台ALD设备。


    方式Thermal ALD (plasma option)

    优势: 性能,低成本,易于操作和维护

    薄膜氧化物Al2O3, HfO2, La2O3, Li2O, Li7La3Zr2O12, LiFePO4, SIO2, TiO2, ZnO, ZrO2, Ta2O5, In2O3, SnO2, Fe2O3, MnOx, Nb2O5, MgO, Er2O3, WOx, MoO3, V2O3 硫化物ZnS, SnS, Cu2S, In2S3, Cu2ZnSnS4,PbS, CoS等

    反应腔体大小: S100: 可达100 mm / S200: 可达200 mm  / S300: 可达300 mm

    设备尺寸: S100: 585 x 560 x 980 mm / S200: 585 x 560 x 980 mm / S300: 686 x 560 x 980 mm

    操作模式: 连续模式(高速) / 曝光模式(超高深宽比)

    功率: 115 VAC / 220 VAC,1900 W (不包含泵) (S300 2000W)

    zui高温度: S100: RT - 400 °C / S200: RT - 350 °C / S300: RT - 350 °C

    沉积均一性: Al2O3:<1% (1σ)

    循环时间: <2s per cycle with Al2O3 at 200°C

    兼容: 标准二端口,可增加至六端口。每一个源瓶均可放固态/液态/气态前驱体,可独立加热至200°C

    阀门: 高速ALD阀门,10ms响应

    前驱体源瓶: 独立可加热50ml不锈钢气瓶,可选择更大容量

    载气/排气: N2,100SCCM

    原位分析选项: 原位QCM, 原位椭便仪残余气体分析, LVPD, 批量生产集成手套箱等臭氧发生器批量生产自组装单层膜(SAMs)颗粒镀膜等离子体加强


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