罗德与施瓦茨RS FSWP8 ~ 8 GHZ 相位噪声和VCO测试仪
罗德与施瓦茨RS FSWP26 ~26.5 GHZ 相位噪声和VCO测试仪
罗德与施瓦茨RS FSWP50 ~50 GHZ 相位噪声和VCO测试仪
罗德与施瓦茨RS FSPN8 ~ 8 GHZ 相位噪声和VCO测试仪
罗德与施瓦茨RS FSPN26 ~ 26.5 GHZ 相位噪声和VCO测试仪
罗德与施瓦茨R&S®FSPN50 相位噪声分析仪和VCO测试仪信号源:1 MHz ~50 GHz
主要特点
▶ 频率范围 :1 MHz ~ 8 / 26.5 / 50 GHz
▶ 通过双频综和互相关的高灵敏度相位噪声测量 :
-163 dBc/Hz(典型值,1 GHz 频率,10 kHz 偏移)
▶ 相位噪声灵敏度: -163 dBc / Hz(典型值、1 GHz、10 kHz 偏移)
-143 dBc / Hz(典型值、10 GHz、10 kHz 偏移)
▶ 内置超低噪声直流源,自动评估 VCO 特性
▶ 标配硬件互相关的快速测量
▶ 可以同时评估相位噪声和幅度噪声
▶ 噪声极低的内部直流源,便于自动进行 VCO 特性测量
▶ 自动 SCPI 记录,完全兼容 R&S®FSWP
▶ 提高实验室和生产的效率与可重复性
R&S®FSPN 相位噪声分析仪和 VCO 测试仪具备出色的灵敏度和测量速度,可以测量合成器、压控振荡器、恒温晶体振荡器
和介质振荡器等信号源的特性。这款仪器非常适用于在严苛的开发和生产应用中进行相位噪声和 VCO 分析。 仪器配备两个低
相位噪声合成器和实时互相关引擎以提高测量灵敏度,只需少量的互相关即可在生产中测量高质量振荡器、合成器或压控振荡
器。增加互相关数量,能够在研发中测量极为灵敏的商用合成器和振荡器的特性。
▶ 优越的测量速度
R&S®FSPN 具有出色的相位噪声灵敏度,在评估 DRO 和 OCXO 等振荡器时,与同类产品的其他解决方案相比,可以用大约
百分之一的相关次数进行测量。通过内部高速处理器和 FPGA 可以即时进行数据处理和分析,从而减少高质量内部信号源测量
相位噪声所需的相关次数。这样,缩短测量时间,提高测量吞吐量。
▶ 高灵敏度的相位噪声测量
R&S®FSPN 可以使用互相关功能来测量比内部高质量信号源的相位噪声更低的相位噪声。由于原始灵敏度高,所需的相关次数
很小。例如,如果将相关次数增加 10 倍,R&S®FSPN 固有相位噪声将减少 5 dB。FSPN 高质量源的优势可以缩短生产线上的
测量时间。另外,R&S®FSPN 同时评估相位噪声和幅度噪声,可以在一个画面上的不同的窗口中显示。虽然很难预先确定所需
的相关数的情况,但迹线下方的灰色区域可以帮助估计所选相关数的可实现灵敏度和互相关增益。
▶ 高速 VCO 特性评估
借助非常低噪声的内部直流源,R&S®FSPN 可以测量 VCO 在各种调谐电压和电源电压下的相位噪声。快速进行使调谐电压和
电源电压变化的 VCO 特性评估,并瞬时测量主要参数。对于多数 VCO 制造商来说,抑制引起系统内干扰的高次谐波是重要的
关注点,R&S®FSPN 可以测量 VCO 对调谐电压的高次谐波功率。
▶ 通过最大 8GHz 带宽的瞬态分析
频综和信号源的详细特性评估、特别是瞬态分析(时域宽带频率和相位测量)对于设计工程师来说至关重要。R&S®FSPN 使用
最大 8GHz 的带宽,可以详细评估跳频后的建立时间、斜坡和开关时间等频综的特性。想要详细分析 PLL 瞬变等的窄带特性评估,
R&S®FSPN 对应高达 40 MHz 的窄带分析。显示器显示所有迹线的余晖模式,可以轻松估计参数的变化程度和是否存在异常值。
▶技术参数
型号 频率范围 相位噪声
FSPN8 1 MHz 至 8 GHz < –163 dBc (1 Hz)(f = 1 GHz,10 kHz 偏移)
FSPN26 1 MHz 至 26.5 GHz < –163 dBc (1 Hz)(f = 1 GHz,10 kHz 偏移)
FSPN50 1 MHz 至 50 GHz < –163 dBc (1 Hz)(f = 1 GHz,10 kHz 偏移)
▶订购信息
产品名称 主体 型号
相位噪声和 VCO 测试仪: 1 MHz ~ 8 GHz R&S® FSPN8
相位噪声和 VCO 测试仪: 1 MHz ~ 26.5 GHz R&S® FSPN26
相位噪声和 VCO 测试仪: 1 MHz ~ 50 GHz R&S® FSPN50








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特性:1、电极内缩,可减小装配短路风险2、微波性能优良,适用频率 100kHz~40GHz3、表面金电极,适合于金丝键合应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF 旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、在 IC 封装中可减少引线长度并提高性能3、降低组装的复杂性和成本应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、适合于电路设计和调整应用:主要应用于匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
特性:1、体积小、容量大(容量为10nF~100nF)2、容量温度系数好(TCC为X7R、X7S)3、工作电压高(可达100V)应用 :主要应用于高电压的滤波、旁路等。
特性:在氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、微晶玻璃、石英等电路基片上沉积功能薄膜,将薄膜电感、薄膜电阻和分布参数电路元件集成在同一电路板,构成薄膜电路。所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好,工作可达40GHz,并且集成度高、尺寸小。产品包括薄膜电路、陶瓷支撑片短路片及热沉片、薄膜微带线、金锡预成型焊盘等。
特性:1、电阻、电容集成在一起,降低元件数量2、可金丝键合应用:主要应用于微波集成(MIC)中 ,可缩小电路空间,降低元件成本。
特性:1、可焊性及键合性能良好2、四面金属的产品具有良好的导电性3、热沉片热导性能好4、与芯片的热膨胀匹配度高5、电极耐温特性 400℃ 10min6、可根据客户要求定制外形尺寸,使用方便应用:在微波集成电路及光通讯电路中使用,起支撑、缩短金丝长度、散热等作用。
特性:1.高品质因素,高介电常数 20~1302.接近于零值的谐振频率温度系数,具有优良的温度稳定性3.基片平整,可到 2 英寸4.可用于制备单层电容器、薄膜电路、微波介质天线等应用:主要用于制造微波单层片式电容器、微波薄膜电路等。