罗德与施瓦茨RS ZNL3 ~3GHZ 矢量网络分析仪
罗德与施瓦茨RS ZNL4 ~4.5GHZ 矢量网络分析仪
罗德与施瓦茨RS ZNL6~6GHZ 矢量网络分析仪
罗德与施瓦茨RS ZNL14~14GHZ 矢量网络分析仪
罗德与施瓦茨RS ZNL20~20GHZ 矢量网络分析仪
罗德与施瓦茨 R&S® 矢量网络分析仪 ZNLE3 :100 kHz ~ 4.5 GHz
主要规格
▶ 频率范围: 100 kHz ~ 3 / 4.5 / 6 / 14 / 18 GHz
▶ 测量速度:(201点、全2端口校准时) 9.8 ms
(IFBW = 100 kHz、跨度 = 200 MHz)
▶ 动态范围: 120 dB(典型值)
▶ 最大输出功率: 0 dBm
▶ 迹线・噪声: 0.001 dB(典型值)
▶ IF 带宽: 1 Hz ~ 500 kHz,1 / 1.5 / 2 / 3 / 5 / 7 步进
▶ 显示器 :10.1 英寸彩色 WXGA(1366 × 768 像素)
▶ 测量点数: 1 ~ 6,001 点 / 迹线
▶ 外形尺寸(W×H×D): 408 ㎜ × 186 ㎜ × 235 ㎜
▶ 重量: 6 kg
主要特点
▶ 频率范围 :100 kHz ~ 3 / 4.5 / 6 / 14 / 18 GHz
▶ 2 端口 S 参数测试仪搭载模式
▶ 小型轻量的省空间设计
▶ 搭载 10.1 英寸电容触摸屏
▶ 适合生产和教育领域
▶ 轻松配置,直观易用
▶ 性能卓越,经济高效
▶基础网络分析应用的理想之选
R&S·泽尔矢量网络分析仪易于用户使用,适用于基础测量任务
闻名遐迩的优质设计、创新的用户界面以及紧凑尺寸使R&S·泽尔非常适用于矢量网络分析仪基础应用。
时域分析选件(R&S ZNL-K2)和故障点距离测量选件(R&S·ZNL-K3)提供重要的通用测试功能,完善了R&S·泽尔.
▶以合理的价格实现高性能
R&S®ZNLE 是一款以 2 端口网络分析仪。动态范围 120 dB,迹线噪声 0.001 dB。
通过 LAN 或 IEC/IEEE 控制和传输数据。
▶技术参数:
型号 端口 频率 连接器
ZNLE3 2 100 kHz ~ 3 GHz N 型(阴性)
ZNLE4 2 100 kHz ~ 4.5GHz N 型(阴性)
ZNLE6 2 100 kHz ~ 6GHz N 型(阴性)
ZNLE14 2 10 MHz ~ 14 GHz N 型(阴性)
ZNLE18 2 10 MHz ~ 18 GHz N 型(阴性)
18 GHz(在过范围模式下最高达 20 GHz)
▶订购信息
产品名称 主体 型号
矢量网络分析仪 100 kHz ~ 3 GHz R&S®ZNLE3
矢量网络分析仪 100 kHz ~ 4.5 GHz R&S®ZNLE4
矢量网络分析仪 100 kHz ~ 6 GHz R&S®ZNLE6
矢量网络分析仪 10 MHz ~ 14 GHz R&S®ZNLE14
矢量网络分析仪 10 MHz ~ 18 GHz R&S®ZNLE18
▶选件
GPIB 接口 R&S®FPL1-B10




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特性:1、电极内缩,可减小装配短路风险2、微波性能优良,适用频率 100kHz~40GHz3、表面金电极,适合于金丝键合应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF 旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、在 IC 封装中可减少引线长度并提高性能3、降低组装的复杂性和成本应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、适合于电路设计和调整应用:主要应用于匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
特性:1、体积小、容量大(容量为10nF~100nF)2、容量温度系数好(TCC为X7R、X7S)3、工作电压高(可达100V)应用 :主要应用于高电压的滤波、旁路等。
特性:在氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、微晶玻璃、石英等电路基片上沉积功能薄膜,将薄膜电感、薄膜电阻和分布参数电路元件集成在同一电路板,构成薄膜电路。所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好,工作可达40GHz,并且集成度高、尺寸小。产品包括薄膜电路、陶瓷支撑片短路片及热沉片、薄膜微带线、金锡预成型焊盘等。
特性:1、电阻、电容集成在一起,降低元件数量2、可金丝键合应用:主要应用于微波集成(MIC)中 ,可缩小电路空间,降低元件成本。
特性:1、可焊性及键合性能良好2、四面金属的产品具有良好的导电性3、热沉片热导性能好4、与芯片的热膨胀匹配度高5、电极耐温特性 400℃ 10min6、可根据客户要求定制外形尺寸,使用方便应用:在微波集成电路及光通讯电路中使用,起支撑、缩短金丝长度、散热等作用。
特性:1.高品质因素,高介电常数 20~1302.接近于零值的谐振频率温度系数,具有优良的温度稳定性3.基片平整,可到 2 英寸4.可用于制备单层电容器、薄膜电路、微波介质天线等应用:主要用于制造微波单层片式电容器、微波薄膜电路等。