850nm 10Gbps GaAs 1x4 Array PD Chip φ60um
850-910nm 56Gbaud 1x4 Array PD Chip φ32um
850nm 25Gbps GaAs PD Chip φ40um
850-910nm 56Gbaud PD Chip φ32um
850nm 10Gbps GaAs PD Chip φ60um






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数据速率高达 10-40Gbps φ60um 有效面积 850nm 高响应度 正面阳极/阴极焊盘
数据速率高达 100Gbps/channel 响应范围:850nm-910nm 850nm 高响应度 GSG 电极结构
数据速率高达 25Gbps/通道 φ40um 有效面积 850nm 高响应度 正面阳极/阴极焊盘
数据速率高达 100Gbps/channel 响应范围:850nm-910nm 850nm 高响应度 GSG 电极结构
数据速率高达 10-40Gbps φ60um 有效面积 850nm 高响应度 正面阳极/阴极焊盘
高速调谐(高达600nm/s); 无ASE(SMSR>80 dB),宽范围无跳模调谐; COM端口完全控制; 体积小巧坚固,OEM适用; 低成本;
● 64波长 ● 功率稳定度高 ● 高边模抑制比
线宽:2kHz -5kHz 光功率:16dBm RIN 噪声:-165dBc/Hz @100kHz