美国MMR K2500 变温霍尔效应测试仪器

MMR Hall Effect Measurement System

controlled continuously variable temperature

MMR可控连续变温霍尔效应测试系统

1. 功能描述： 测量半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等参数

2.测试范围： Si, SiGe, SiC, GaAs, InGaAs, InP, GaN (N Type & P Type)等材质的半导体薄膜中载流子类型、载流子浓度、 迁移率、电阻率、霍尔系数等参数。

3.磁场强度： 0.5T 电磁场，磁场强度可以定制选择

4. 温度区域: 70K ~730K； 80K ~580K； 80K ~730K； 300K ~730K

5. 电阻率范围：10^-6~10¹³ Ohm*cm

6. 电阻范围：10 m Ohms~ 10G Ohms

7. 载流子浓度：10²~10²²cm^-3

8. 迁移率: 10^-2~10⁹ cm²/volt*sec

仪器优点：

1. 采用van der Pauw法测试;

2. 最大可测25mmX25mm样品，提供两种样品装载方式：弹簧探针、引线治具，以及两个杜瓦瓶：全封闭和带玻璃窗口各一 个;

3. 配备电脑和相应的控制软件，测试过程以及设备内各个单元均由软件控制,永磁体需要手动翻转样品，电磁场测试过程全自 动。测试数据能够方便的储存和导出;

4. 模块化设计，可升级到温度范围更广、磁场更大的系统，也可升级成塞贝克测量系统;

5. 测试过程中，由于致冷或加热所引起的样品振动幅度在um量级或更优;

6. 在同一个样品室下进行变温霍尔效应的测试，最大变温范围70K~730K。避免更换样品室给测试带来的不方便性和不连贯 性，其他品牌低温和高温需要在高温和低温两个样品室下测试

7.允许在一定气体环境下测试

8.提供石英透明窗口，可以测试光激发下电阻率