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大功率IGBT静态参数测试平台

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详细介绍

大功率IGBT静态参数测试平台简介 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以J准测量不同封装类型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容  、反向传输电容等。

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法    灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

静态测试系统无电话.jpg

系统组成

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要由测试仪表、上位机软件、电脑、矩阵开    关、夹具、高压及大电流信号线等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的静态测试主机,内置多种电压、电流等级的测量单元。结合自主开发的上位机软件控制测试主机,可根据测试项目需要,选择不同的电压、电流等级,以满足不同测试需求。      

系统主机的测量单元,主要包括普赛斯P300高精度台式脉冲源表、HCPL系列高电流脉冲电    源、E系列高压源测单元、C-V测量单元等。其中P300高精度台式脉冲源表用于栅极驱动与测试使用,Z大支持30V@10A脉冲输出与测试;HCPL系列高电流脉冲电源用于集电极、发射极之间电流测试及续流二极管的测试,15μs的超快电流上升沿,自带电压采样,单设备支持Z大1000A脉冲电流输出;E系列高压源测单元用于集电极、发射极之间电压,漏电流测试,Z高支持3500V电压输出,并且自带电流测量功能。系统的电压、电流测量单元,均采用多量程设计, 精度为0.1%。      


 

产品特点

  • 高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);            
    大电流:支持高达4KA大电流测试(多模块并联);
    高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;
    丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
    配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
    数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
    模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
    可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
    可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;


    技术指标

功率器件静态测试系统主要由多台源表、电桥、矩阵开关、PC、上位机控制软件、夹具盒等组成。针对不同的测试需求,用户可以选择不同源表、夹具等




                                    PMST系统配置

关键参数

备注

P系列
脉冲源表

PW高达30V/10A、300V/1A

栅极特性测试

CW高达300V/0.1A、30V/1A

最小脉冲宽度200uS

HCP系列
大电流脉冲源表

PW高达30V/100A

IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试

CW高达10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脉冲宽度80uS

HCPL系列
高电流脉冲电流源

单台PW高达12V/1000A,可多台并联

最小脉冲宽度50uS

E系列
高电压源测单元

CW高达3500V/100mA

IGBT击穿电压测试

最小分辨率10mV/100pA

测量精度0.1%

电桥

频率范围:20Hz~1MHz

IGBT各级间电容测试

HVP系列提供0~400V直流偏置电压
S系列提供0~30V直流偏置电压

预置偏置电阻100kΩ

矩阵开关

/

电路切换及源表切换

主机

/


测试夹具

根据器件封装形式定制




系统具体配置由用户自行选择,以车规IGBT为例,一般配置如下:  


设备名称数量功能
P300脉冲源表1台测试栅极(基极)特性;
E100高电压源测单元1台测试集电极发射极(漏极源极)耐压及漏电流;
HCPL100高电流脉冲电源1台测试功率管导通电阻及续流二极管前向压降;
电桥1台客户指定或我司推荐,测试各极间电容;
PC机1台运行我司上位机软件程序;
矩阵开关1台按照国际要求进行电路切换及源表切换;
夹具至少1个针对不同的封装形状需要使用不同的测试夹具;


大功率IGBT静态参数测试平台应用

功率器件如二极管、三极管、MOS管、IGBT、SIC、GaN;



产品优势
大功率IGBT静态参数测试平台,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。
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