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igbt静态测试设备价格
- 品牌:普赛斯仪表
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
- 供应商报价: ¥ 1000 (市场参考价:¥ 1000)
- 武汉普赛斯仪表有限公司 更新时间:2024-04-26 08:56:25
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企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
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- 详细介绍
IGBT测试难点:
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多个测量模块协同测试。
2、IGBT的漏电流越小越好,所以需要高精度的设备进行测试。
3、IGBT动态电流范围大,测试时需要量程范围广,且量程可以自动切换的模块进行测试。
4、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,脉冲测试可以减少自加热效应,所以MOSFET需要进行脉冲IV测试,用于评估期间的自加热特性。
5、MOSFET的电容曲线是其特性表征的重要内容,且与其在高频应用有密切关系。所以IGBT的电容测试非常重要。
6、IGBT开关特性非常重要,需要进行双脉冲动态参数的测试。
普赛斯igbt静态测试设备特点和优势:
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大6000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
系统指标
项目
参数
集电极-发射极
Z大电压.
3500V
Z大电流
6000A
精度
0.10%
大电压上升沿
典型值5ms
大电流上升沿
典型值15us
大电流脉宽
50us~500us
漏电流测试量程
1nA~100mA
栅极-发射极
Z大电压
300V
Z大电流
1A(直流)/10A(脉冲)
精度
0.05%
Z小电压分辨率
30uV
Z小电流分辨率
10pA
电容测试
典型精度
0.5%
频率范围
10Hz~1MHz
电容值范围
0.01pF~9.9999F
温控
范围
25℃~150℃
精度
±1℃
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
半导体分立器件特性参数测试是对待测器件(DUT)施加电压或电流,然后测试其对激励做出的响应;通常半导体分立器件特性参数测试需要几台仪器完成,过程既复杂又耗时,还占用过多测试台的空间。实施特性参数分析的Z佳工具之一是半导体分立器件静态测试系统,普赛斯分立器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可晶准测量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,电压可高达10KV,电流可高达6KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流晶准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。 igbt静态测试设备价格找普赛斯仪表专员为您解答!- 产品优势
- 普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。igbt静态测试设备价格找普赛斯仪表专员为您解答!