-
-
第三代半导体SiC测试仪功率器件测试设备
- 品牌:普赛斯仪表
- 型号: PMST-3500V
- 产地:武汉
- 供应商报价: ¥ 1000 (市场参考价:¥ 1000)
- 武汉普赛斯仪表有限公司 更新时间:2024-04-26 08:56:25
-
企业性质生产商
入驻年限第3年
营业执照已审核
- 同类产品功率器件测试系统(39件)
联系方式:陶女士027-87993690
联系我们时请说明在仪器网(www.yiqi.com)上看到的!
-
为您推荐
- 详细介绍
第三代半导体SiC测试仪功率器件测试设备组成
普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关通讯、测试配件等构成。整套系统采用普赛斯自主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专用上位机测试软件,可根据测试项目需要,设置不同的电压、电流等参数,以满足不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可生成I-V以及C-V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使用,实现晶圆级芯片测试;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用,满足高低温测试需求。
测试主机内部采用的电压、电流测量单元,均采用多量程设计,测试精度为0.1%。其中,栅极-发射极,Z大支持30V@10A脉冲电流输出与测试,可测试低至pA级漏电流;集电极-发射极,Z大支持6000A高速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压高速同步采样功能;Z高支持3500V电压输出,且自带漏电流测量功能。电容特性测试,包括输入电容,输出电容,以及反向传输电容测试,频率Z高支持1MHz。
系统特点
高电压:支持高达3.5KV高电压测试(Z大扩展至10kV);
大电流:支持高达6KA大电流测试(多模块并联);
高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;
丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;
配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;
数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;
模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;
可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;
可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;系统参数
项目
参数
集电极-发射极
Z大电压
3500V
Z大电流
6000A
精度
0.10%
大电压上升沿
典型值5ms
大电流上升沿
典型值15us
大电流脉宽
50us~500us
漏电流测试量程
1nA~100mA
栅极-发射极
Z大电压
300V
Z大电流
1A(直流)/10A(脉冲)
精度
0.05%
Z小电压分辨率
30uV
Z小电流分辨率
10pA
电容测试
典型精度
0.5%
频率范围
10Hz~1MHz
电容值范围
0.01pF~9.9999F
温控
范围
25℃~150℃
精度
±1℃
测试项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces、集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极截止电流Ices、栅极漏电流Iges
栅极-发射极电压Vges、栅极-发射极阈值电压Vge(th)
输入电容、输出电容、反向传输电容
续流二极管压降Vf
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等测试夹具
针对市面上不同封装类型的硅基功率半导体,IGBT、SiC、MOS、GaN等产品,普赛斯提供
整套测试夹具解决方案,可用于T0单管,半桥模组等产品的测试。
围绕第三代宽禁带半导体静态参数测试中的常见问题,如扫描模式对SiC MOSFET 阈值电压漂移的影响、温度及脉宽对SiC MOSFET 导通电阻的影响、等效电阻及等效电感对SiC MOSFET导通压降测试的影响、线路等效电容对SiC MOSFET测试的影响等多个维度,针对测试中存在的测不准、测不全、可靠性以及效率低的问题,普赛斯仪表提供一种基于国产化高精度数字源表(SMU)的测试方案,具有更优的测试能力、更准确的测量结果、更高的可靠性与更全面的测试能力。
- 产品优势
- 普赛斯数字源表集电压源、电流源、电压表、电流表、电子负载功能于一体,支持四象限工作、微弱电流10pA输出测量、3500V高压下nA级测量、1000A脉冲大电流输出,全系列产品丰富,第三代半导体SiC测试仪功率器件测试设备认准普赛斯仪表
- 解决方案