TIVP1L光隔离探头
IsoVu 光隔离探头
发现非隔离探头隐藏的快速震荡的信号。IsoVu™ 探头技术实际上通过光学隔离消除了共模干扰。这样就可以按 100V/ns 或更快的速度在 ±60kV 的基准电压上提供精确的差分测量。借助我们的 IsoVu Generation 2 设计,您能获得 IsoVu 技术的所有优势,但大小仅为原来探头尺寸的 1/5。
IsoVu Gen 2 探头凭借多功能 MMCX 连接器以及带宽、动态范围和共模YZ组合,为隔离探头技术设定新的标准。
IsoVu 探头技术可在基准电压以 100V/ns 或更快速度回摆 ±60kV 时提供高达 ±2500V 的精确差分测量。第二代探头采用 IsoVu 第 2 代设计,其尺寸仅为DY代的五分之一,但却拥有所有的 IsoVu 技术优势。
凭借通用的 MMCX 连接器以及带宽、动态范围和共模YZ功能的结合,IsoVu Gen 2 探头为隔离探头技术树立了新标准,并能够通过 SiC 和 GaN 实现宽带隙电源设计。
IsoVu 探头的优势
IsoVu 技术使用光纤供电和光模拟信号路径,以在测量系统和 DUT 之间实现光电隔离。这种隔离的重要优势是允许探头在共模电压下独立浮动。
±60 kV 共模电压范围
高达 ±2500 V 差分输入电压范围
高达 ±2500 V 偏置范围
高电压和高带宽
如果使用传统的差分探头,则必须在高带宽或高电压电平之间进行选择。IsoVu 探头具有屏蔽同轴电缆和隔离层,可提供高带宽和 ±2500 V 的差分电压范围。第 2 代 IsoVu 可提供 200 MHz、500 MHz 和 1 GHz 的带宽,以满足您的预算和性能要求。
高性能和便捷的连接
IsoVu 探头端部具有一系列连接和附件,性能和可接入性较高。探头可以直接连接到 MMCX 连接器,这种连接器价格便宜且使用广泛。这样就可以提供稳定的、免提测试点,以及高带宽和共模YZ。坚硬的金属主体屏蔽了中心导体,减小了接地回路的面积,从而将干扰降低。
还可提供其他附件使探头端部能够用于多种连接方式。另外还提供 0.100" 和 0.200" 间距的四方针端部以用于差分电压大于 ±250V 的场景。当不使用端部时,传感头在探头的 SMA 连接器处还具有 1MΩ 和 50Ω 的可切换端接。此功能可以有效地向任何兼容示波器添加隔离通道。
功率转换器和电机驱动设计中的浮动测量
在半桥功率转换器中进行高边测量充满挑战,因为测量时参考的源或集电极会快速上下摆动。SiC 和 GaN FET 等宽带隙器件更难测量,因为它们可以在几纳秒内切换高压。这种快速变化的共模电压产生的噪声进入差分测量结果中,并掩盖 VGS 和 VDS 的详细信息。IsoVu 探头在全带宽下具有共模YZ性能,通常能够查看到信号详细信息。
TIVP1L光隔离探头
应用(A)
使用 SiC 或 GaN、FET 或 IGBT 的半/全桥设计
浮动测量
功率转换器设计
电源设备评估
开关电源设计
逆变器设计
电机驱动设计
电子镇流器设计
EMI 和 ESD 故障排除
电流并联测量
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特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
特点: -50kHz - 6GHz频率范围 -低漂移: 内置温度补偿最小化漂移 -高线性度 -改进的测量重复性: < 0.1dB typ -高动态范围: 110dB在5.8GHz (VNA6000-B) -高动态范围: 95dB在5.8GHz (VNA6000-A) -可调IFBW: 实现测量速度和噪声之间的最佳权衡 可以测量窄带设备 -可以连接到PC (NanoVNA-QT软件): S参数导出
规格 频率范围:40 MHz至40 GHz 测量参数:S11,S21,S12,S22,TDR等 动态范围:132dB 测量速度:80ms (201个点) 阻抗:50Ω 控制接口:USB 支持操作系统:Windows Linux
特性:1、电极内缩,可减小装配短路风险2、微波性能优良,适用频率 100kHz~40GHz3、表面金电极,适合于金丝键合应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF 旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、在 IC 封装中可减少引线长度并提高性能3、降低组装的复杂性和成本应用:主要应用于微波集成电路(MIC)中,起隔直、RF旁路、源旁路、阻抗匹配等作用。
特性:1、安装方便2、适合于电路设计和调整应用:主要应用于匹配网络、并联谐振回路、介质谐振的调谐或耦合。
特性:1、体积小、容量大(容量为10nF~100nF)2、容量温度系数好(TCC为X7R、X7S)3、工作电压高(可达100V)应用 :主要应用于高电压的滤波、旁路等。
特性:在氧化铝、氮化铝、氧化铍、铁氧体、微晶玻璃、石英等电路基片上沉积功能薄膜,将薄膜电感、薄膜电阻和分布参数电路元件集成在同一电路板,构成薄膜电路。所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好,工作可达40GHz,并且集成度高、尺寸小。产品包括薄膜电路、陶瓷支撑片短路片及热沉片、薄膜微带线、金锡预成型焊盘等。