晶体管动态特性测试系统

公司主要从事半导体器件/晶体管/模块/晶圆等各类器件的电参数、可靠性、老化等测试设备的研发、生产、销售：

主要产品包含：

静态测试设备、动态测试设备、环境老化测试设备、热特性测试设备、高低温箱等

ACT1200晶体管交流参数测试仪

用于  Si （选配 SiC, GaN）材料的  IGBTs , DIODEs , MOSFETs 分立器件的动态特性测试

电压源  1200V （选配 2000V）电流源  200A （选配/300A）栅极-10- +20V （选配±30V）

单机外联标配 ，选配柜式结构 ，计算机程控

☑ 标配 ，开通特性测试单元 / Turn_ON

☑ 标配 ，关断特性测试单元 / Turn_OFF

☑ 标配 ，二极管反向恢复测试单元 / Qrr_FRD

☑ 标配 ，栅电荷测试单元 / Qg

□ 选配 ，容阻测试单元 / CR

□ 选配 ，短路测试单元 / SCSOA

□ 选配 ，雪崩测试单元 / UIS

一、产品背景

ACT1200 型晶体管动态特性测试系统 ，是一款专为功率器件测试用户设计开发的组合式、低电感、高精度

测试平台。可实现对 IGBT、 MOS FET、二极管的多种动态参数的精确测试 ，测试原理符合国军标

ACT1200 型晶体管动态特性测试系统（手动版）可针对各类型 GaN   S i  基及  SiC（选配）  基二极管、

MOSFET、 IGBT 等分立器件的各项动态参数测试 ，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时 间、关断延迟时间、开通损耗、关断损耗、栅极总电荷、栅源充电电量、平台电压、反向恢复时间、反向恢复 充 电电量、反向恢复电流、反向恢复损耗、反向恢复电流变化率、反向恢复电压变化率、输入电容、输出电容、反

向转移电容、短路。

通过更换不同的测试单元以达到对应测试内容，通过软件切换可以选择测试单元、测试项目及配置测试参数、

读取保存测试结果。测试原理符合国军标 ，系统集成度高 ，性能稳定 ，具有升级扩展潜能和良好的人机交互。

产品的最终使用是由多种配套仪表和功能单元组合而成，其中成本最大的示波器可由用户自己提供，也可整

套供应。尽量让企业现有的资产高效使用 ，避免资产重复购置。

该测试系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件测试的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉 了解后 ，完全自主开发设计的全新一代“晶体管动态特性测试平台”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定 了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。为从事功率半导体产业的测试用户奉上一款良心

产品。

二、技术规格

2.1 、基础能力

(1)   动态测试高压源： 1200V（选配  2000V）

(2)   动态测试高流源： 200A（选配 300A）

(3)   动态测试栅极电压： -10- +20V（选配±30V）

(4)   动态测试栅极电流： 10A

(5)   时间分辨率： 1ns（选配 400ps/200ps/100ps）

2.2 、测试能力

1 、测试种类

可测试 1200V（选配 2KV）200A（选配 300A）以内的  IGBTs , DIODEs , MOSFETs  分立器件的动态特性

测试 ，兼容  Si（选配 SiC ，GaN）材料；

2 、测试参数及测试标准

 td(on)开通延迟

tr 上升时间

ton 开通时间

Eon 开通损耗

td(off)关断延迟

tf 下降时间

toff 关断时间

Eoff 关断损耗

反向恢复时间 Trr

反向恢复电荷 Qrr

反向恢复电流  Irm

反向恢复损耗  Erec

软度因子  FRRS

电流下降率 di/dt

电压变化率 dv/dt

Qg（th） 阈值电荷

Vg 平台电压

Qg 栅电荷

Qgs 栅源电荷

Qgd 栅漏电荷

Icsc 短路电流

Tsc 短路时间

Esc 短路耐量

Vce_max 集电极最大电压

EAS 雪崩能量

IAS 雪崩电流

PAS 雪崩功率

Ciss 输入电容

Coss 输出电容

Cres 反馈电容

2.3 、参数指标

1 、（阻性/感性）开关测试单元 / Turn_ON/OFF

(1)   • 漏极电压测试范围： 5V-1200V ，分辨率  1V；  精度±2%

(2)   • 漏极电流测试范围： 1A-200A ，分辨率  1A；（可扩展至 300A）  精度±2%

(3)   • 栅极驱动： -10- ±20V ，分辨率  0.1V；  精度±2%

(4)   •  最大栅极电流 ：2A；

(5)   • 脉冲宽度： 1us-500us,步进  0.1us

(6)   •时间测试精度： 1ns；

(7)   •  感性负载 ：0.01mH-160mH 程序控制 ，步进  10uH；

(8)   •  阻性负载： 1Ω、 2Ω、 5Ω、 10Ω、 50Ω ,  程序控制 ，备用三个电阻 ，以便使用时选择。

(9)   • 开通/关断时间 ton/toff： 5-10000ns 最小分辨率 0.1ns 精度±2%

(10) • 开通/关断延迟 td(on)/td(off）： 5-10000ns 最小分辨率 1ns  精度±2%

(11) • 上升/下降时间 tr/tf： 5-10000ns 最小分辨率 1ns  精度±2%

(12) • 开通/关断损耗  Eon/Eoff： 1-2000mJ  最小分辨率  1uJ   精度±2%

2 、栅极电荷单元 / Qg

(1)   • 驱动电流：

0-2mA ，分辨率 0.01mA ，精度±2%

2-20mA ，分辨率 0.1mA；  精度±2%

20mA-200mA ，分辨率  1mA。精度±2%

(2)   • 栅极电压： -10- ±20V ，分辨率  0.1V；  精度±2%

(3)   •  恒流源负载：

1-25A ，分辨率 0.1A ，±2%

25-200A ，分辨率  1A；±2%

(4)   • 漏极电压：

5-100V ，步进 0.1V ， 精度±2%

100-1200V ，步进  1.0V。精度±2%

(5)   • 栅极电荷  Qg： 1nC-100µC

(6)   • 漏极电荷  Qgs： 1nC-100µC

(7)   • 源极电荷  Qgd： 1nC-100µC

(8)   •  平台电压 Vgp： 0 ~30V ，分辨率 0.1V   精度±2%

3 、反向恢复测试单元 / Qrr_FRD

(1)   • 正向电流：

1A-25A ，分辨率 0.1A ，精度±2%

25A-200A ，分辨率  1A；  精度±2%

(2)   • 反向电压：

5v-100V ，步进 0.1V ，         精度±2%

100V-1200V ，步进  1.0v；  精度±2%

(3)   • 反向恢复时间  Trr： 1ns-10000ns ，最小分辨率  1ns；   精度±2%

(4)   • 反向恢复电荷  Qrr： 1nC-100µC ，最小分辨率  1nC；   精度±2%

(5)   • 反向恢复电流  Irm： 1A-200A；  精度±2%

(6)   • 反向恢复损耗  Erec： 1-2000mJ ，最小分辨率  1uJ；    精度±2%

(7)   •  电流下降率  dif/dt： 50-1kA/us；

(8)   •  电压变化率  dv/dt： 50-1kV/us。

4 、容阻测试单元 / CR

(1)   •  电容测试扫频范围 ：0.1MHz ～5MHz；

(2)   •  漏源极电压： 1200V ，分辨率  1V。

(3)   •  Ciss、Coss、 Cres

5 、短路特性测试单元 / SC

(1)   •  最大电流： 10000A

(2)   •  脉宽： 1us~100us

(3)   • 栅驱电压： -10- ±20V@0.1V 分辨率   精度±2%

(4)   • 漏极电压  5V~100V ，0.1V 分辨率  ， 100V~1200V ， 1.0V 分辨率,  精度±2%

6 、雪崩测试单元 / UIS

(1)   •雪崩耐量/EAS： 100J

(2)   •雪崩击穿电压/2500V  雪崩电流/IAS： 1.0-400A 分辨率  1.0A   精度±2%

(3)   •雪崩感性负载范围/0.01mH-160mH；分辨率 10μH；程控式连续可调